pHEMT - 解釋頁
pHEMT 假型高速電子移動電晶體。
是用GaAs（砷化鉀）生產的微波元件結構的一種。pHEMT與HBT同樣可使用在高線度，高功效的無線電射頻裝置，但pHEMT的RF若要達到與HBT相同的功效則需較大尺寸的晶片，雖然pHEMT要有相對的高單體成本，但pHEMT在操作電壓效率上比HBT有優勢，因為HBT需要極高的開機電壓，所以無法在低於2.5V的狀態下繼續操作或維持高效能，此外，pHEMT元件在1.5V狀態下能有高效能的表現，對講究待機時間長的行動產品而言，pHEMT較具優勢。另外，pHEMT亦具有低雜訊的特點，因此在20GHz以上的高頻微波通訊上，pHEMT有一定的市場地位。
HBT - 解釋頁
HBT 異質接面雙極電晶體
用GaAs（砷化鉀）生產的微波元件結構的一種，是目前較新的技術。HBT的射極、基極、集極排列方式呈垂直排列，通道內的電子流呈垂直方向，由其結構上的優勢，造成甚高的功率密度。也就是，在同樣的輸出功率下，HBT的die size可以較小，再加上僅需單一電壓來源即可運作。
由於HBT具有線性效果佳及功率效益（power efficiency）好的特性，因而成為行動電話及個人通訊服務的關鍵性元件技術。
英特磊主要產品
微電子元件磊晶片 pHEMT, HBT
應用領域:
- 無線通訊: 射頻開關(switch)，低雜訊放大器(LAN)，功率放大器(PA)
- 衛星通訊 • 光纖通訊
紅外線成像材料與磊晶片 GaSb, T2SLS, QWIP,HBT
應用領域:
- 夜視鏡應用
- 居家保全，國土監控應用
- 太空軍事應用 • 生物醫學應用
光電元件磊晶片 VCSEL, PIN, APD, laser
應用領域:
- 光通訊應用(10G,40G,100G network)
- 資料傳輸應用 • 資料儲存應用
- 雲端試算應用
英特磊產品介紹
砷化鎵(GaAs) pHEMT
因具有超高頻及低雜訊特性，使其在高功率基地台，低雜訊放大器（LNA）及射頻開關（RF Switch）上佔有重要地位。pHEMT 因為砷化銦鎵（InGaAs）的加入，特別適用於RF Switch 的應用使得它未來在電腦與電腦間的無線區域網路（Wireless Local Area Network, WLAN），於光纖通訊、衛星通訊、點對點微波通訊、衛星直播、有線電視、數位電視應用、及汽車防撞系統（Automobileradar）等應用，都有相當大的成長空間。
磷化銦(InP) HBT
能提供更低功率消耗、更佳電氣特性，因而使手機待機電壓更低、功率放大倍率更佳。更甚而之，磷化銦HBT能解決網路頻寬瓶頸，使運算產出最大化，因而加速下個世代通訊與運算架構的誕生。磷化銦HBT可應用於網路、通訊、運算、儲存、測試與量測、軍事與太空產品，它能提供40 gigabits/s （40G） 及100 gigabits/s （100G）高速類比半導體解決方案於通訊市場，及高速記憶體介面解決方案於運算市場。
紅外線光偵檢器（Infrared （IR） sensors）
在軍事用途，如目標搜尋、鎖定上，在民生用途如保全監控及夜視上，均有非常重要之功能。幾乎所有的紅外線光偵檢器或聚焦面陣列（focal plane arrays, FPA）均使用半導體材料，如II-VI族的汞鎘碲（HgCdTe, MCT）） ，IIIV族的量子井紅外線光偵檢器（quantum well infrared photodetectors, QWIP） ，和銻化鎵第二型應變層超晶格紅外線偵檢器（GaSb type II strained layer superlattice, T2SLS） 透過商業上半導體代工生產T2SLS有潛力在性能上優於MCT且在價格上遠低於MCT。
高速高頻的面射型雷射（VCSEL），光接收器（PIN），雪崩式光接收器（APD）
及各種不同波長半導體雷射磊晶片，主要應用在光纖通訊與資料傳輸領域。目前常用的光接收檢光二極體有PIN 二極體與APD（崩潰光電）二極體兩種。於低頻應用上業界有用有機金屬化學氣相沉積法（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD）成長磊晶片，但在高頻應用上，磊晶層的厚度與摻雜濃度之精確度的高度要求下，分子束磊晶 （MBE）成長技術遂成為首選，以達到精準的厚度與摻雜濃度之控制。例如砷化鋁銦成長在磷化銦基板上的雪崩式光接收器（InAlAs/InP APD）磊晶片，要求P型摻雜控制在10e17 cm-3範圍，目前只有MBE技術能夠達到此水準。
英特磊新聞
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非蘋跟進3D感測人臉辨識英特磊搶單| 股市要聞| 股市| 聯合新聞網
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