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2017年07月12日  工商時報/袁顥庭/台北報導

明基材(8215)旗下隱形眼鏡品牌「美若康」推出矽水膠彩色日拋系列,提供更豐富的產品線。明基材董事長陳建志表示,在台灣、馬來西亞、新加坡和大陸四大市場的銷售達到了一定的規模,再加上產品組合的調整,今年隱形眼鏡事業可望達到損益兩平。

去年明基材結束南科廠營運,偏光片產能減少了40%,不過透過生產線去瓶頸化以及生產效率提升,營收衰退的幅度少於產能減少的幅度。明基材今年上半年營收約57.48億元,相比去年同期衰退9.09%。陳建志表示,下半年接單掌握度「審慎樂觀」。不過整體來看因為產能減少、偏光片價格下跌,今年營收難逃衰退。公司會持續提升產能,並且提升生醫等新產品的銷售表現,力求2018年營收恢復成長。

繼領先業界推出水膠彩拋產品綻美矽水膠彩色日拋後,明基材再度推出美若康綻美矽水膠彩色日拋星漾新款,以獨家EautraSil親水矽科技打造150dk/t的有氧彩拋。從化學配方到分子設計,都是自主開發,在雲林新廠生產。

台灣一年的隱形眼鏡市場約3.3億片,產值約50~60億元左右,明基材在台灣市占率約3%~4%。台灣隱形眼鏡市場主要的成長動能在於彩色片和矽水膠,其中矽水膠隱形眼鏡佔有10%的佔有率,而明基材在矽水膠市場占率高達40%。

陳建志表示,美若康隱形眼鏡目前在4大市場銷售,在台灣進入了1200家實體店面馬來西亞約有800家新加坡約100家大陸市場則以天貓、可得等電商通路為主。今年隱形眼鏡產品線更齊全,銷售達到了一定的規模,再加上產品組合的調整,今年隱形眼鏡事業可望達到損益兩平。

(工商時報)

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晶豪科搭上挖礦特快車?

◎王榮旭 CSIA/CFTA

3/20美國聯準會升息機率超過9成,市場擔憂今年升息恐怕達到4次,川普高築貿易壁壘,全球貿易戰一觸即發,造成美股近期走勢震盪,台股站穩萬點以上, 但市場追價意願低,量能萎縮,指數區間震盪,個股強弱差異性大,前期標題「康普中期底部完成」看好核心產品已擴展為以鈷、錳和鎳化合物為主的康普 (4739),上週以來面對國際股勢震盪,股價始終在130~142元間整理,有以盤代跌的味道,姿態極高,自去年10月高點148.5元拉回整理滿21 週,本週量能放大就有機會突破去年高點,全球最大電動車市場中國,延長新能源車購置稅優惠政策3年,這對電動車供應鏈是長線利多,鋰電材料本來就供不應 求,未來供應恐將更吃緊,估計去年康普EPS約5.1元,比前年大增近7成,今年EPS也將如去年大增。

多頭主流還是漲價族群
今年獲利大好的還有被動元件,龍頭股國巨(2327)上季單季EPS達8.62元,毛利率竟然高達43.7%,比兩年前毛利率才22%大增快1倍,今年 Q1淡季主產品晶片電阻持續調漲售價,到Q2~Q3旺季來臨,被動元件缺貨狀況恐怕更加嚴重,獲利將大爆發,這波回到311元本益比降到10倍是地板了, 短線有機會再戰400元以上高點,MLCC用在電動車數量驚人,也是今年缺貨主軸,大廠禾伸堂(3026)上季毛利率創10年新高紀錄,單季 EPS2.41元,估計今年EPS挑戰9~10元,這波回測去年12月高點93元頸線,本益比降到10倍以下是好買點,漲價主流還包括矽晶圓台勝科 (3532)2月營收月減不到1%年增達35%,2月營收受農曆年假工作天數少影響,上市、櫃公司營收月減率大多2位數以上,矽晶圓好業績實在藏不住,環 球晶(6488)及合晶(6182)這波回到季線附近可望打出中期底部。

晶豪科帶量突破

根據《科技新報》獨家掌握的消息,比特大陸即將推出針對以太幣挖礦機型 F3,其設計就是將 DRAM 的匯流排頻寬加大,而且還要提高記憶體的大小。未來,每台挖礦機都有 3 個主機板,每個主機板有 6 顆挖礦專屬的 ASIC 處理器,而每顆挖礦專屬的 ASIC 處理器都搭配有 32 顆 1Gb DDR3 的記憶體。總計,一台 F3 挖礦機上將會有 72 GigaByte DRAM 記憶體,這相較目前針對比特幣的 S9 挖礦機僅有 512MB DDR3 記憶體來說,在記憶體大小上就差異很大。

漲價行情最兇悍的還是繪圖卡,不過全球最大挖礦機製造商比特大陸(Bitmain)預計要在Q2推出以太幣挖礦機,預計有6顆挖礦專用ASIC搭載 192顆1Gb DDR3記憶體,因非主流規格,需特別訂製,將全數下單在利基型記憶體IC設計晶豪科(3006)及愛普(6531),Q1利基型DRAM已漲價5%Q2可望再漲10%,晶豪科Q1不淡Q2業績更好,估計去年全年EPS約4元,今年上看5元,最近剛帶量突破去年10月以來下降線,特定外資今年以來默默 吃貨快1.3萬張,短線有機會再戰5字頭。

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萬寶周刊 2017/09/30 撰文/蔡明彰

我常講當今科技推陳出新,過去的老經驗不再管用,而新的創意才能在未來帶起商機。股市投資的風向隨著改變,老經驗不管用使相關產業的本益比下調,不趁機會出脫股票必大賠。反之具有商機的創新,趁低檔布局相關族群,就可大賺一票。

問題是那些本益比上修,而那些是下調呢?這個方向不是股市分析師決定,也不是台灣政府有能力左右,最主要看國際大廠及美國、中國、歐元區、日本等大國決策。

本益比水準就是一家公司股票的「身價」,如同周杰倫、蔡依林大咖藝人的演出費就一定比一般明星高出很多。但常聽聞大牌明星淪為票房毒藥後身價大跌,形同股票的本益比下修。

i8發表後還在漲

雖然還沒到2018年,但我評估DRAM、AI(含自動化),電動車及材料三大族群本益比上調可是比特幣概念股,指紋辨識及傳統汽車零組件三大類股本益比下修。其實在9月12日蘋果發表i8後,美股科技指標股又創新高不是蘋果,而是美光(記憶體),輝達(人工智慧),特斯拉及鋰電池技術ETF(電動車),呼應2018年將上調本益比有三大族群的看法。當然這3族群連動不少台股的個股,投資人做好功課,凡是低本益比者逢回是買點。

記憶體動向要看三星、海力士、美光全球三大廠,已召開針對2018年產能規劃的戰略會議,細節逐漸批露,請注意這三大DRAM生產高的股票都在改寫今年新高,明年是多是空答案很清楚了。

DRAM續旺

根據Trend-Force記憶體儲存研究所的調查,2018年各家DRAM廠的資本支出皆保守,三星及海力士都面臨產能不足難題,又南韓政府在去年實施勞動新規定不准高職生加班使情況更惡化。興建一座12吋廠及測試需要1年以上時間,三星、海力士擴充記憶體產能恐最快是2019年。剩下只有美光有小幅增加產能空間,重點就在台灣的A2廠區(原瑞晶)。預估2018年DRAM供給成長19.6%,而需求成長20.6%,存在供需缺口記憶體報價仍有上漲空間。需求主要來自智慧手機容量升級,伺服器及資料中心兩大面向。

華邦大增產

各型記憶體又以NOR FLASH明年展望最佳,因為舊產品新用途,物聯網、車聯網擴大NOR FLASH的需求,而現有廠商記取過去8年景氣低迷的教訓不敢輕易增加產能。 NOR FLASH今年估漲價40%,明年仍有再漲20%的空間,產品報價持續維持但2018年溫和些對廠商與客戶相好。旺宏(2337)扣除減資因素2017年股價狂漲6倍,應是台股上市櫃公司績效第一名,憑甚麼?

旺宏就是全球NOR FLASH產能第一名,已超越2016年第一的賽普拉斯。以減資後股本計算旺宏2017年EPS估3元,本益比16倍,估2018年EPS 3.5元仍是維持16倍合理本益比則目標價上看56元,此時介入或有近2成投報率,但顯然績效將不如今年。

大手筆投資3350億

我研判全球NOR FLASH產能第4大的華邦電(2344)在2018年比旺宏更有爆發力。華邦電於9月初確定投資3350億元在南科設第二座12吋廠,建廠時間預計3年即2020年可投產。華邦電目前僅有中科的一座12吋廠,2016月產能4.3萬片,2017年底增至4.8萬片,2018年底再增至5.3萬片將中科廠的產能空間全用完。這樣華邦電NOR FLASH產能可往前到全球第3。

規劃南科廠月產能4萬片,以利基型記憶體及FLASH為主,居時全球市占可望再往前。旺宏在台灣有3座廠,12吋、8吋及6吋各一座,如果沒有設新廠計畫要維持全球市占第一寶座有困難。

華邦電與客戶追求長期合作,產品漲價幅度比同業少,2017年EPS估1.5元,本益比18倍,在目前階段逐漸走入高檔震盪,今年股價已大漲2倍。2018年EPS 2元以上,若維持18倍本益比上看36元,如果拉回到24元以下介入明年投報率可達50%,比旺宏更有投資價值。

晶豪科2018成長王

利基記憶體IC設計的晶豪科(3006)才是2018大黑馬,今年NOR PLASH漲價是生產商受惠,明年各項產品推案出來,下單廠商今年下半年都接受漲價事實。如同華邦電一樣,晶豪科的產能都被預定一空,2017年EPS估4元,本益比10倍。因為去年併購宜揚取得NOR FLASH產品線及矽智財又今年下半年跨海去武漢新芯合肥力晶取得產能,估2018年EPS上看4.5元,以15倍本益比計算目標價67.5元,若破40元介入明年投報率近7成。

資料來源 : 【完整內容請見《<a href="http://weekly.marbo.com.tw/"target="_blank"><font color="0066cc">萬寶週刊</font></a>》1248期】

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晶豪科月線圖

晶豪科月線圖.gif

晶豪科2018成長王

利基記憶體IC設計的晶豪科(3006)才是2018大黑馬,今年NOR PLASH漲價是生產商受惠,明年各項產品推案出來,下單廠商今年下半年都接受漲價事實。如同華邦電一樣,晶豪科的產能都被預定一空,2017年EPS估4元,本益比10倍。因為去年併購宜揚,取得NOR FLASH產品線及矽智財,又今年下半年跨海去武漢新芯,合肥力晶取得產能,估2018年EPS上看4.5元,以15倍本益比計算目標價67.5元,若破40元介入明年投報率近7成。

資料來源 : 【完整內容請見《<a href="http://weekly.marbo.com.tw/"target="_blank"><font color="0066cc">萬寶週刊</font></a>》1248期】

研究機構表示,記憶體市況熱絡,動態隨機存取記憶體(DRAM)價格明顯走揚,預期今年全球記憶體產值將大增57%,成為今年半導體市場向上的主要驅動力。

受惠於基型及行動式DRAM多晶片記憶體模組(MCP)編碼型快閃記憶體(NOR Flash)等出貨暢旺、價格上漲,晶豪科9月營收9.7億元,月增達31.9%、年增20.9%,表現相當亮眼。

晶豪科去年順利併購宜揚取得NOR Flash產品線矽智財,隨下半年NOR Flash缺貨嚴重、價格大漲,晶豪科將直接受惠。

去年以來,隨著擴增實境/虛擬實境(AR/VR)、高效能運算應用全面開發,記憶體供需市況大吃緊,對後段封裝測試訂單也同步拉高,有利於力成營運。

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(一) 公司簡介

1.沿革與背景

晶豪科技股份有限公司(簡稱:晶豪科,代碼:3006)成立於1998年6月2日,為國內利基型記憶體IC設計公司。為擴展公司業務,2005年與集新(影音IC)合併,產品線擴展至類比及混和訊號IC。

2015年11月10日,晶豪科宣布合併宜揚,合併基準日為2016年6月8日,每2.55股宜揚普通股,換發1股晶豪科普通股。(利基型記憶體 IC 設計廠商晶豪科與旗下 NOR Flash IC 設計公司宜揚也宣告合併,整合

2.營業項目與產品結構

主要業務為DRAM/SRAM、Flash Memory、類比積體電路、類比與數位混合積體電路之研究、開發、製造、銷售,及與公司業務相關之產品設計及研發之技術服務。

2016年Q3,產品營收比重為DRAM記憶體IC佔50%、FLASH記憶體IC佔5%、MCP佔20%、SDRAM記憶體IC佔20%。

(二) 產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

A. DRAM、SDRAM
容量從1Mb至512Mb,產品包括FPM、EDO、SDRAM、DDR等,以及低耗電的LPDDR DRAM。

B. NOR Flash
為高速可讀寫的非揮發性記憶原件,應用於PC及電子產品的固定開機程式寫入,以及手機的控制與資料存取。

C. MCP(多晶片模組封裝)
產品線為產品NAND Flash搭配LPDDR DRAM,規格有1Gb搭配256~512Mb及2~4G搭配1~2G,主要應用於高階功能性手機、網通數據卡及低階智慧型手機。

2.重要原物料及相關供應商

NAND Flash顆粒是由力晶供應外,1、2GB的LPDDR則由南科提供。

3.產能狀況與生產能力

2014年Q3,公司的2Gb LPDDR2設計定案且送樣,規劃於2014年Q4以38奈米投片量產,2015下半年以45奈米投片量產1GB LPDDR 2。

(三) 市場需求與銷售競爭

根據研調機構預測,2014年平板電腦需求成長將達2.9億台,年增21%,伺服器與工作站出貨量可成長逾10%以上,以及高容量記憶體的智慧型手機仍持續增加,有助於DRAM需求量增加約26%。

2.銷售狀況

2016年產品銷售區域比重為大陸佔28%、亞洲佔65%、其他佔7%。  

DRAM記憶體IC客戶包括Intel、廣穎、益登等,MCP客戶則有Qualcomm、展訊、聯發科、Samsung、小米科技等。

2014年,公司受惠大陸及新興市場功能型手機需求大幅成長,及三星與SK Hynix退出功能型手機低階MCP市場,公司產品持續提升。

3.國內外競爭廠商

國內競爭廠商有南科、華邦電、鈺創等,國外競爭廠商為Samsung、Micron、Toshiba、Integrated Silicon Solution等。

(四) 財務相關

1.轉投資

A.華信光:晶豪科持股約15%,是國內雷射二極體(LD)廠。

資料來源 : 晶豪科技股份有限公司- 財經百科- 財經知識庫- MoneyDJ理財網

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宏捷科擁新客戶動能,今年營運看成長

MoneyDJ新聞 2018-05-29 11:28:17 記者 張以忠 報導

宏捷科(8086)今(2018)年4月受惠中國手機PA客戶出貨量提升,單月營收達2.01億元、為近年單月新高,法人預期,5月中國客戶需求持續,單月營收估不亞於前月,6月則因中興事件影響,使大客戶拉貨呈保守,預期營收將略受影響,不過全年而言,今年包括中國、台灣皆新增客戶,加上新興市場3G訂單需求回籠,今年宏捷科在手機PA業務成長帶動下,營收、獲利雙雙看增,VCSEL(垂直共振腔雷射二極體)部分,目前佔比還低,惟非蘋陣營有機會在下半年推出3D感測新機,宏捷科VCSEL良率佳、能配合品牌廠出貨,若終端需求發酵,將能同步受惠。

宏捷科成立於1998年,為砷化鎵專業代工廠,以製造HBT以及pHEMT製程之晶片為主,營收結構中,手機PA(功率放大器)約佔8成以上,其餘為基地台應用、VCSEL等。

宏捷科過往美系大客戶佔比高達85%以上,為避免客戶集中風險,近年做客戶分散,包括切入中國手機PA客戶,台灣、韓國也有新增客戶,目前客源結構調整後,大客戶佔比已降至約6-7成。

法人指出,今年宏捷科在手機PA部分,包括中國、台灣皆有新增客戶,其中,中國新增3間客戶,部分客戶已於3月開始挹注出貨表現,往後季度將會逐步加溫,台灣新客戶則預計下半年有產品量產、貢獻度將提升,加上新興市場3G訂單需求回籠,今年宏捷科在手機PA業務成長帶動下,合併營收、獲利雙雙看增。

宏捷科今年4月受惠中國手機PA客戶出貨量提升,單月營收達2.01億元、為近年單月新高,法人預期,5月中國客戶需求持續,單月營收估不亞於前月,6月則因中興事件影響,使大客戶拉貨呈保守,預期營收將略受影響,不過整體第2季營收仍估較前季升溫,毛利率亦可保有季持平表現。

VCSEL部分,目前營收佔比還低,應用端主要為醫療、車用等領域,法人表示,在手機部分,非蘋陣營有機會在下半年推出3D感測新機,宏捷科VCSEL良率佳、能配合品牌廠出貨,若終端需求發酵,將能同步受惠。

VCSEL以6吋產能最具量產優勢,目前多數國際大廠僅有4吋製造經驗,而4吋轉6吋依過往經驗需要幾年的學習曲線,宏捷科很早便跨入6吋製造,因此VCSEL的交貨品質、良率佳,未來若3D感測市場需求爆發,宏捷科將能快速滿足客戶訂單需求。

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華為卡位5G手機,麒麟1020處理器研發提前起跑

2018/06/21 11:24 Moneydj理財網 記者 陳瑞哲 報導

華為麒麟980與麒麟710兩款處理器還要等到下半年問世,但面對5G世代即將到來,傳下一代「麒麟1020」處理器開發工作已提前開始。

Mobilescout報導指出,麒麟1020處理器針對5G世代設計,號稱效能為現有麒麟970的兩倍,且將進一步強化嵌入式神經網路處理單元。

據報導,麒麟1020處理器預計2019年底隨Mate 30與Mate 30 Pro(暫稱)兩款新機發表,剛好配合各電信公司5G商轉時程。

華為是中國唯一自製處理器的手機廠,在其它手機廠靠高通升級至5G世代的同時,華為則必須靠自己,因此要比同業投入更多資源與付出更大心力,才能追上或甚至超前。

據市調機構Counterpoint統計,華為首季全球智慧型手機市占率11%,僅落後三星(22%)與蘋果(15%)。

*編者按:本文僅供參考之用,並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦,讀者務請運用個人獨立思考能力,自行作出投資決定,如因相關建議招致損失,概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。

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焦點股 : VCSEL題材發威,宏捷科(8086)打入華為供應鏈,盤中領軍飆漲停

財訊新聞   2018/01/03 何美如報導砷化鉀大廠宏捷科(8086)中國、台灣新客戶效益顯現,用於3D感測的VCSEL近期打入中國手機大廠華為供應鏈,據了解,榮耀V10機種的外掛手機配件臉部辨識的VCSEL就是宏捷科代工,今年營運將從谷底回升,盤中股價急拉一度亮燈漲停,市場看好全新(2455)、穩懋(3105)同樣受惠VCSEL題材,盤中股價同步衝高。

宏捷科2017年受到最大客戶Skyworks自擴產能影響,累計前11月營收年減近3成,不過,經過一年的拓展,中國、台灣的新客戶效益可望從今年顯現,營運將走出谷底。此外,VCSEL近期打入已打入華為供應鏈,據了解,華為11月底發表的榮耀V10機種,其外掛手機配件臉部辨識的發射源VCSEL是由 AMS(AMS.SW)子公司Princeton設計,就是宏捷科代工。

目前VCSEL在宏捷科的營收占比雖不高僅2%,但法人預期,華為預計2018年MWC發表的旗艦機種P11、下半年將發表的另一旗艦機種Mate 11,都將有內裝臉部辨識,宏捷科將最直接受惠。

法人表示,在手機品牌大廠陸續採用下,3D Sensing相關類股今年業績成長可期,宏捷科今年將走出Skyworks自擴產能的陰霾,在新客戶拓展效益及VCSEL題材推升下,獲利將較去年撐竿跳,EPS上看3元。而穩懋是AMS的第一大代工廠,AMS持續跨入更多手機品牌供應鏈,穩懋業績也將同步受惠成長。

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2018-05-03 經濟日報/記者李珣瑛/即時報導

科技部科學工業園區審議委員會3日召開,通過中國砂輪(1560)竹科分公司、巨擘微測、滙嘉健康生活科技新竹生醫園區分公司,及華立捷科技等4案,共計核准投資41.98億元。

中砂竹科分公司的營運資金為30.2億元,將分二期投資;全數由中砂出資。中砂係由傳統砂輪起家,隨著台灣高科技產業發展投入半導體CMP平坦化製程所用的鑽石碟開發,並與工研院合作再生晶圓延性輪磨生產技術,以供應國內各半導體廠,目前全球市占率僅次3M公司居世界第二。

中砂竹科分公司主要從事12吋再生晶圓的生產製造,提供高再生次數以及低變質層的再生晶圓給各大半導體廠與光電廠,隨著雲端、儲存、大數據以及IT與AI的發展,帶動全球半導體產業的榮景,對再生晶圓的需求也急遽升溫。

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李純君

【財訊快報/李純君報導】再生晶圓與晶圓薄化廠昇陽國際半導體(8028)今(10)日將以每股24.6元參考價掛牌上市,股票代碼8028;而受惠於客戶端需求強勁,加上新增產能的挹注,昇陽下半年單月營收均可創歷年同期新高,法人估,今年本業每股淨利可挑戰2元。  昇陽半最初以再生晶圓業務為主,隨後陸續切入晶圓薄化與生物晶片微機電代工業務,其中再生晶圓貢獻約40%至50%業績,至於晶圓薄化則是第二大業績來源,占全年營收約30%至40%,而就生物晶片方面,公司解釋,是基因排序晶片,和台積電合作,現已進入量產階段。

  昇陽半今年營收成長動能取自薄化業務,原先月產能6萬片,擴增到8萬片,新增產能於今年陸續通過客戶驗證並拉貨,後續會逐步擴充到月產10萬片,持續成為明年業績走升的動能。

  再生晶圓方面,主要有8吋和12吋,大客戶為台積電,目前月產16.5萬片,已接單滿載至年底,將進行去瓶頸化,年底月產能將擴增到18萬至19萬片,明年將進一步擴增到20萬至21萬片規模。

  昇陽半去年每股淨利為1.43元,配發1.6元現金股利,今年第二季營收5.22億元,創單季歷史新高紀錄,法人圈預期,下半年單月營收均可創歷年同期新高,今年本業每股淨利可挑戰2元。

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高志銘│理財周刊910期│2018-02-02

 隨著半導體廠持續擴產,並加快先進製程推進,帶動再生晶圓需求急遽升溫,市場轉為供給吃緊,二○一七年下半年已開始進入漲價循環。再生晶圓是指在半導體IC製造過程中,有幾百道製程,為確保品質精良,每道製程都需要監控,此時就需要使用成本較低的測試晶圓,來確保製程參數是否正確,並保障產品的生產良率。因此,將用於製程監控(Monitor wafer)及檔片(Dummy wafer)用的晶圓,回收加工後再使用,可以降低測試晶圓及檔片的成本。

目前全球十二吋再生晶圓市占率達三成的大廠RS Technologies,一月十九日發布新稿,因再生晶圓事業及半導體生產設備事業優於預期,將二○一七年營收目標從九四.五日圓上修至一○七.五億日圓,合併純益從十六.三億日圓上修至十九.五億日圓。另因RS Technologies股價自二○一七年十二月初至今已大漲逾八成,預期有望掀起再生晶圓廠的比價行情。

國內再生晶圓廠有中砂(1560)、辛耘(3583)及昇陽半(8028),其中又以昇陽半的純度最高,產品包括六吋、八吋及十二吋再生晶圓。昇陽半也與其他材料供應商合作再生服務,研發方向延伸至特殊晶圓(SOI晶圓)及新興材料的產品製程應用(如Glass、Quartz或航太材料的銖晶圓),藉此增加產品的多樣性。公司已於二○一七年十二月二十八日遞件申請上市,二○一七年營收年增八.五%,累計前三季一.一四元,優於前一年同期的○.九五元。

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2018-05-15 記者張慧雯/專題報導

化合物半導體磊晶片製造代工廠IET-KY(英特磊)上週參加櫃買中心業績發表會,總經理高永中表示,首季營收一.九一億元、毛利率四十八%,每股稅後盈餘(EPS)一.○九元,美國德州新廠預計第二季開始量產,期待能繳出逐季成長的好成績。

高永中指出,IET首季產品營收比重分別為砷化鎵佔六十二.六%,磷化銦佔二十一.一%,銻化鎵及其他佔十六.三%。其中,毛利較高的砷化鎵相關產品主要來自汽車防撞雷達ADAS(先進駕駛輔助系統)晶片,與國防相關應用產品為主;磷化銦則是應用於光接收器PIN/APD方面,但因首季主要客戶進行庫存調整,加上美國制裁中國中興通訊影響,庫存調整預計延續至第二季。

高永中表示,公司在短中期目標將聚焦於VCSEL(垂直腔面發射雷射器)磊晶片用於3D感測與資料中心,長期目標則聚焦5G相關產品。在砷化鎵方面,VCSEL磊晶片客戶數增加五十%,生產團隊擴編、機台增加,並已導入量產模式;在磷化銦部分,則是積極研發生物辨識磷化銦雷射磊晶片,並配合新廠產能開出,加速5G HBT(異質結型電晶體)等潛力產品交貨。

高永中指出,今年最大的成長動能來自VCSEL與ADAS,目前德州廠已蓋好、也取得使用執照;他表示,目前已有六台機台在倉庫、放置五台進入新廠,其中兩台就是生產高功率與高速砷化鎵VCSEL磊晶片,若加計原有的兩台,共有四台機台可生產目前市場需求最強的VCSEL磊晶片。

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2018-03-13 經濟日報/記者陳昱翔/台北報導

英特磊IET-KY(4971)昨(12)日宣布,將調整產品策略,降低傳統pHEMT產品存貨,強攻面射雷射(VCSEL),藉此推升毛利率增長,並卡位人臉辨識商機。

近期砷化鎵產業受惠3D感測利多題材加持,成為近期台股盤面焦點,昨日相關族群漲勢整齊,穩懋強攻漲停板,上漲27元,收297元,全新上漲8.5元,收128元,宏捷科上漲2.3元,收66.8元,英特磊上漲5.1元,收94.5元。

根據研調機構統計,2016年3D影像及感測產值約為13.28億美元,預估至2022年將成長至90.34億美元,複合年成長率達37.7%,英特磊看準此趨勢,逐漸將產品朝高毛利、高技術領域移動。

英特磊指出,2月出貨的砷化鎵產品中,以汽車防撞雷達晶片為主力,傳統pHEMT產品存貨調整,略有調降,而VCSEL正比例則逐漸增加中;未來公司經過產品調整後,整體毛利率表現有機會提升。

去年下半年起,三星、蘋果等一線品牌都推出具臉部辨識系統(Face ID)手機,預估2020年時,全球每年約有10億支搭載此功能的智慧手機。由於臉部辨識需具備3D感測裝置,商機大,吸引穩懋、宏捷科、全新、英特磊等台廠積極卡位。

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英特磊月線圖.gif

2018年05月12日 工商時報/方歆婷/台北報導

英特磊IET-KY(4971)產品朝多元化發展,轉投入物聯網(IoT)、高頻電子、車用及國防等,在產品組合調整下,毛利率表現出色,首季達47.5%,每股盈餘(EPS)年增更翻倍、達1.09元,總經理高永中表示,雖然5月表現仍不明朗,但6月將漸入佳境,對公司下半年營運深具信心。

 

IET-KY受到主要大客戶Skyworks製程由4吋轉進6吋影響,訂單延誤,導致4月營收衰退,不過,高永中表示,目前問題排除,並已恢復出貨,再加上公司持續布局IoT、車用及國防等領域,隨新品可望進入量產,6月營運將轉佳,因此,不僅對下半年營運有信心,今年全年也有機會超越去年表現。

對於美國制裁大陸中興通訊及可能波及華為是否影響營運,IET-KY表示,因並非直接售予兩家廠商,因此,無從取得確切可能受影響的營收比重,然市場需求面仍在,對中興及華為事件以短期影響看待。

IET-KY將短中期目標鎖定垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)、光接收器(PIN)與雪崩式光接收器(APD)磊晶片,用於3D感測與資料中心,而長期目標則聚焦在5G相關產品。

IET-KY首季產品營收比重上,砷化鎵(GaAs)占62.6%、磷化銦(InP)占21.1%、銻化鎵(GaSb)及其他占16.3%。其中,毛利較高的砷化鎵產品主為汽車防撞雷達ADAS晶片、國防應用產品,以及銻化鎵紅外線相關產品等。

IET-KY砷化鎵的VCSEL磊晶片客戶增加5成,因此擴編生產團隊、增加機台,導入量產模式,下半年將看到貢獻;磷化銦用於研發生物辨識,配合新產能開出,加速潛力商品包括PIN/APD、5G HBT等交貨;銻化鎵市場目前進入成長階段,將是未來重要產品,主要應用於夜視及國防安全等領域。

此外,公司受客戶庫存調整與匯率的影響,4月營收4,884萬元,月減16.6%、年減26.8%,前4月營收2.4億元,年減8.4%,但在產品組合調整得宜下,首季毛利率高達47.5%,為近3年新高,EPS為1.09元,年增1.22倍,隨應用商機引爆,中長線發展看好。

(工商時報)

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2017-12-04 聯合晚報 記者詹惠珠/台北報導

非蘋手機將跟進蘋果iPhone X採用3D感測作人臉辨識,上游VCSEL磊晶片需求火紅,IET-KY(4971,英特磊)透露,已有五至十個客戶找上IET,預估明年第2季也會開始出貨給中國的手機廠。

IET主管表示,英國IQE一開始就以MOCVD機台來做VCSEL,而IET是以MBE機台做長晶,所生產的VCSEL會比較均勻,因此IET在VCSEL這個領域也不會缺席,IET投入目前的二大應用,分別是人臉辨識,IET有機會打入美國和中國大陸的手機市場。

IET主管表示目前已配合客戶進度,預估明年第2季、第3季,會有客戶的手機推出;其次是砷化鎵面射型雷射VCSEL用於資料中心,IET會發展25G的相關產品。

IET-KY總經理高永中表示,IET-KY在砷化鎵光電市場有更多新的機會,IET現在在砷化鎵最大的專注就是VCSEL產品,例如:砷化鎵面射型雷射VCSEL用於資料中心與3D感測。IET已於2010年起開始進行面射型雷射14G與28G用於資料中心相關產品開發,目前技術已臻成熟,VCSEL不只是要看性能,它的良率和可靠度有非常具有挑戰的目標,這是現在與客戶努力的部份。

高永中強調,目前在美國和中國手機市場有很大的商機,且接下來在PC、車用和資通訊用途非常大,IET-KY有很好的VCSEL的技術,MBE的製程,雖然在成本上是劣勢,但在良率上卻有相當大的優勢。

高永中表示,IET也會發展將長波長的雷射,砷化鎵邊射型雷射用於生物電子傳感器等最新應用,有機會為公司開啟另一塊高技術門檻、高毛利的市場區塊。

對於VCSEL的應用,IET-KY有能力與新產能為主要供應商提供代工服務獲取更大營收。IET-KY所新建的70,000平方英尺廠房,預計於今年底前落成,到2018年底前,產能可以至少增加50%。

高永中強調,英特磊正值產業發展的趨勢上,目前全世界只剩下二家擁有MBE技術,包括英特磊和英國IQE,未來在5G的應用可望勝出。

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世界唯二MBE磊晶大廠:英特磊(4971)

作者:Leo   |   2016 / 12 / 19

文章來源:Stockfeel X Fugle   |   圖片來源:Lisa


通訊概念股_

英特磊(IET-KY)設立於開曼群島,營運主體在美國德州,與另一家同業IQE,是少數採用分子束磊晶(MBE)技術生產化合物半導體磊晶片的半導體廠。目前主要從事III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產,具有基板到磊晶的垂直整合技術能力,提供無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商用,以及太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品應用。英特磊正在研發磷化銦HBT,未來可望應用於5G通訊PA中,潛在市場龐大。

世界唯二MBE磊晶大廠-4971英特磊(IET-KY)_內文圖-01

1.砷化鎵磊晶片:因具有超高頻及低雜訊特性,使其在高功率基地台,低雜訊放大器(LNA)及射頻開關(RF Switch)上佔有重要地位。而IET主要產品用於非行動通訊裝置,如:衛星通訊、無線基地台、車用防撞雷達、太空國防、RFID、醫療、智慧型能源系統等

2.磷化銦磊晶片:能提供更低功率消耗、更佳電氣特性,因而使手機待機電壓更低、功率放大倍率更佳。用於高頻量測儀器元件(示波器) 、高頻特殊應用、光通訊用光接收器等

3.其他(銻化鎵磊晶片等):銻化鎵磊晶片主要作為紅外線探測器的元件,主要應用於夜視、保全、國土安全、太空科技等,在軍事用途,如目標搜尋、鎖定上,在民生用途如保全監控及夜視上,均有非常重要之功能。

4.勞務收入:紅外線光偵檢器產品如:銻化鎵紅外線偵檢器,為使用MBE技術成長在銻化鎵基板上,再送到客戶端完成中長波段的紅外線光偵檢器之製造,為勞務收入來源

營運概況

世界唯二MBE磊晶大廠-4971英特磊(IET-KY)_內文圖-02

英特磊公司設立於開曼群島,營運主體則位於美國德州,因此主要銷售區域為北美洲是理所當然的,2015年約佔總營收的83%。截至2015年底,英特磊共有MBE機台18台。

在砷化鎵磊晶片的部分,目前英特磊主要生產砷化鎵pHEMT磊晶片,其具有超高頻、低雜訊的特性。目前主要客戶為Skyworks、UMS:

1.於2014年時,英特磊承接Skyworks所有MBE生產設備(5台MBE機台),獨家供應Skyworks所有非行動裝置之高頻砷化鎵pHEMT磊晶片,成為Skyworks在非手機應用唯一代工廠商。

2.於2014年時,英特磊和Soitec簽訂整廠設備移轉與技術授權合約合約,與既有客戶完成產品認證,獨家供貨予歐洲最強的汽車防撞雷達晶片廠UMS,UMS為BMW、Audi、賓士等歐系高級車廠供應商,並為與Tesla計畫合作自駕車系統Mobileye主要客戶。此部分為英特磊毛利率較高之產品。

在磷化銦磊晶片的部分,主要生產磷化銦HBT磊晶片,客戶為電子量測設備廠Keysight,提供5G量測儀器中的磷化銦磊晶片,英特磊於2012年取得與Keysight的獨家磊晶片供應合約契約共5年,金額為新台幣8億。

在銻化鎵磊晶片部分,主要以國防合約為主,於2014年與美國國防部續約,每年新台幣6000萬的合約。銻化鎵相較於原先用在紅外線設備上的二六族,可將陣列型(紅外偵測器做得更大,如此一來,便可大幅提升紅外線設備的影像解析度,美國將其運用在夜視鏡、衛星通訊、國土監控及太空軍事等相關項目中

在勞務收入部分,為使用MBE技術成長在銻化鎵基板上,再送到客戶端完成中長波段的紅外線光偵檢器之製造。

市場分析

砷化鎵pHEMT因具有超高頻及低雜訊特性,使其在高功率基地台,低雜訊放大器及射頻開關上佔有重要地位。pHEMT因為砷化銦鎵(InGaAs)的加入,使得它未來在電腦與電腦間的無線區域網路、物聯網(IoT)、光纖通訊、衛星通訊、點對點微波通訊、衛星直播、有線電視、數位電視應用、及汽車防撞系統等應用,都有相當大的成長空間。分子束磊晶法(MBE)及 MOCVD 兩種技術皆可生產pHEMT。傳統上客戶端較習慣使用以MBE成長之pHEMT,因品質水準以MBE技術佔優異特性,且MBE製程良率更勝一籌,在無線通訊產業發展趨勢中更凸顯其重要性。

由於技術提升之需求,透過手機傳輸的資訊性質也愈趨多元、傳輸容量龐大,消費者對良好的傳輸品質、速度與較長的電池壽命等要求亦日益增高,因而有磷化銦HBT發展之需求。磷化銦HBT能提供更低功率消耗、更佳電氣特性,因而使手機待機電壓更低、功率放大倍率更佳。更甚而之,磷化銦HBT能解決網路頻寬瓶頸,使運算產出最大化,因而加速下個世代通訊與運算架構的誕生。磷化銦HBT可應用於網路、通訊、運算、儲存、測量、軍事與太空產品,它能提供 40 gigabits/s(40G)及100 gigabits/s (100G)高速類比半導體解決方案於通訊市場,及高速記憶體介面解決方案於運算市場。據美國整合元件製造代工公司(IDM)大廠分析,磷化銦HBT將在未來主流高頻5G手機PA應用上有極大潛力及優勢。

產業上中下游

世界唯二MBE磊晶大廠-4971英特磊(IET-KY)_內文圖-03

綜觀III-V半導體產業,可以分為上游的基板廠、磊晶圓廠,其中IQE在併購Kopin之後囊括超過4成的市佔率,市佔約2成的全新則是穩懋的重要供應商,僅有幾家廠商屬於寡占市場。

處在較下游的還有IC設計、晶圓代工、IC封裝與測試等廠商,以及國際大廠如skyworks、Avago、Qorvo等砷化鎵整合元件廠(Integrated Device Manufacturers,簡稱IDM),進行產業垂直整合,同時也掌握關鍵技術與專利,擁有高度的元件整合能力。

在無晶圓(fabless)、輕晶圓(fab-lite)的趨勢之下,為了縮減資本支出,上述一線大廠通常會將其中幾項業務切出,英特磊、穩懋與宏捷科即為接獲晶圓代工訂單之廠商。

在終端應用上,手機為最大應用市場,Apple三星HTC等智慧型手機中所應用到的PA,以及無線區域網路(WLAN)的應用,代表廠商有CiscoBroadcom及華為等。

競爭情形

國內外III-V族化合物半導體磊晶的生產業者包括:Kopin、IQE、Soitec、Hitachi Cable、全新光電、台灣高平磊晶、巨鎵科技、翔合等。以MBE技術而言,全球僅存兩家專業MBE 磊晶代工廠︰IQE及英特磊。由於有些大廠商(如:Skyworks)還是獨鍾於MBE技術製造出來之高品質磊晶片,因此在客戶忠誠度上有一定的優勢。

競爭優勢

1.英特磊為全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ,分子束磊晶法(MBE)及化學氣相沉積法(MOCVD)是目前僅存之關鍵且成熟的III-V族化合物半導體磊晶代工技術。兩種技術各有其特殊而不可取代的優點,且MBE在技術上擁有較高門檻

2.法國汽車防撞雷達晶片大廠UMS認證通過,為唯一供應商,獨家供應其汽車防撞雷達晶片之原料,且此部分相較於傳統的手機PA而言毛利率較高

3.其磷化銦HBT具有潛力,在5G技術上佔有重要地位,與電子量測設備廠Keysight的5G量測儀器合約提供其穩定的營收來源。

潛在風險

1.與電子量測設備廠Keysight簽定的合約為5年效期,時間為2012~2017年4月,因此明年第二季此合約將到期,Keysight是否續約將與英特磊繼續簽約為一關注重點

2.主要客戶Skyworks的營收佔比高達30.42%,且Skyworks與蘋果的連動極大,此一部分之風險不可忽略

3.目前5G的通訊協定、頻率等規定尚未開始統一,因此在原料(磊晶片)的部分也差異很多,究竟哪種材料適合5G最後的通訊頻率,還待觀察

未來展望

1.III-V半導體雷射擁有體積小整合性高等優點,在工業上與商用領域均有愈來愈多之應用,其中適合大量量產的面射型雷射(VCSEL),在虛擬實境、肢體動作辨識、近接辨識等領域更有許多新應用陸續開發出來,未來將成為砷化鎵在行動裝置上的重要關鍵元件。

2.磷化銦HBT可應用於網路、通訊、運算、儲存、測量、軍事與太空產品,它能提供 40 gigabits/s(40G)及100 gigabits/s (100G)高速類比半導體解決方案於通訊市場,及高速記憶體介面解決方案於運算市場。據美國整合元件製造代工公司(IDM)大廠分析,磷化銦HBT將在未來主流高頻5G手機PA應用上有極大潛力及優勢。

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MoneyDJ新聞 2017-03-30 08:51:12 記者 新聞中心 報導

IET-KY英特磊(4971)昨(29)日舉行法說並公布財報,去(2016)年合併營收8.85億元,年增3.3%,稅後淨利1.04億元、年減8%,EPS 2.88元。展望今年,總經理高永中指出,今年營收成長主要動能仍為磷化銦相關,尤其是用於10G PON 、Data Center市場的光通訊PIN/APD;而砷化鎵產品中,用於ADAS市場的汽車防撞雷達也將持續成長;新產品方面,面射型雷射(VCSEL)磊晶產品應用在3D感測和25G Data Center的部分,將是今年推廣重點,且目前已與多家客戶進行產品開發及認證;而銻化鎵產品今年亦可望較去年成長。

英特磊指出,2016年合併營收為8.85億元,年成長3.3%,毛利率為33.5%,低於前年的37.5%,毛利率降低主因是公司營運規模成長,籌備新廠初期投入營運之人力、物力成本增加;營業費用方面,推銷、管理及研發等總額較前年支出增加1,485萬元;稅前淨利1.49億元,創歷年新高,但因所得稅費用較前年度大幅增加4,424萬元,使稅後淨利略減,稅後淨利為1.04億元,年減8%,淨利率11.7%,每股稅後盈餘為2.88元。

研究發展狀況方面,英特磊指出,今年投入研發費用3,056萬元,較去年增加621萬元,公司對高頻量測HBT磊晶片進行產品升級優化,與客戶共同開發5G通訊磊晶片,開發與認證各項主流面射型雷射(VCSEL)磊晶片,認證雪崩光電二極體(APD) 磊晶片,及III-V化合物半導體銻化銦(InSb)基板原料均同時進行。

經營方針部分,英特磊指出,公司堅持品質管理,並專注於開拓磊晶產品與國際市場;將完成新建廠房,並與產能擴充同步規劃,依產品需求進程及潛在產能需求排定新增機台,以及時爭取商機,並將組裝砷化鎵VCSEL磊晶產品專用機台,加速產品認證,提早進入量產模式。另外,對磷化銦光接收器(PIN,APD)等高成長產品,將建立庫存,降低生產成本,及縮短交貨期,同時開發5G磷化銦HBT-PA磊晶產品,保持磷化銦產品市場領先地位。

此外,英特磊也指出,公司將持續保持銻化鎵、銻化銦等紅外磊晶產品商用訂單,開發CZT紅外基板晶片,並以客戶公認的自產高質量銻化鎵基板鞏固核心磊晶產品的生產銷售。

展望2017年,英特磊表示,公司產能在新廠完成後將有更多機台投產,工程人員的整體技術品質與經驗與時俱進,公司有信心掌握分子束(MBE)磊晶生產的各項技術及持續保持磊晶產品的高品質要求,深信未來在5G應用,雲端科技、車聯網,及虛擬實境感應等各項產品應用,都能交出更好的成績單。

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布局5G飆速趨勢產業 - 理財周刊 2017年10月5日

而對IET-KY來說,原本就專注InP HBT的生產,因此未來在高頻趨勢下,勢必可在相關功率元件商機中取得一定比重的份額。公司於德州設立的新廠,已於今年八月份完工,目前正進行使用執造申請以及聯外道路工程,廠房中可容納十六台MBE機台,為目前產能的一.五倍,剛好迎接未來5G相關訂單需求。

另外,無人駕駛也將是應用商機的重點之一,IET-KY早已在汽車防撞雷達上游領域中布局,可為IET-KY帶來不小的成長動能。

英特磊新廠將完工今年營運將持續成長| 蘋果日報 2017年5月12日

IET-KY(英特磊,4971)今參加櫃買業績發表會,預期今年磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)佔比將提升,同時新建3廠將在8月完工,將進一步提升產能,英特磊總經理高永中指對今年營運持正面看法。
 
英特磊主要產品包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb),高永中指出,十幾年前主要從事手機方面這幾年聚焦雲端、國防等產品,過去6年開發許多產品,1999年在磷化銦領先十界量產,2011年發展高頻量測設備,2012年發展雪崩式光接器,2014年切入銻化銦,2015年發展超高頻量設備、2016年進展到銻化鎵基板和高速光接收器,預計至2020年將發展5G通訊及手機功率放大器等。
 
英特磊財務長王家齊表示,英特磊首季營收1.94億元,季增1.2%,年減16%,毛利31.6%,季增2.4個百分點,純益1774.9萬元,季減23%,每股純益0.49元。由於美國川普政府降稅措施,未來在稅率上會有些幫助。
 
在2017年第1季產品銷售比重上,砷化鎵佔60.3%、磷化銦佔29.5%,預期第2季將成長,全年目標到35%、銻化鎵佔8.5%,預期第2季成長,全年目標15%、其他佔1.7%。
 
針對未來營運策略上,高永中說,新建廠房完工在即,公司將備妥新增機台所需各項軟硬體零組件,以及進行機台清淨作業,盡快縮短機台上線時程,預計2017年8月15日完成,產能將大幅成長。
 
另將密切與客戶合作,針對開發中的砷化鎵VCSEL磊晶產品優化設計,對已發展的產品加速認證時程,爭取量產訂單。同時加速開發與生產主要應用於生物電子傳感器的磷化銦雷射產品,並與策略大廠合作研發5G HBT-PA磊晶產品,發揮公司磷化銦的專業技術,在各類型的化銦磊晶產品都有穩固而持續的市場。
 
此外,銻化銦等紅外線磊晶產品的國防合約第2季執行項目增加,請款金額也較高,工作重點為確保國防合約如期執行,維持請款進度。高永中對於公司今年整體營運持正面看法,他並透露今年有新增日本及台灣2個大客戶,其中預期今年在台灣業績會較去年倍增。
 
法人表示:英特磊在砷化鎵無線通訊晶片(GaAs pHEMT)擁有技術優勢,未來手機市場進階到5G(28~30GHz),估計在2020年前制定規格,採用磷化銦HBT為手機功率放大器時,將會是公司的大利基。
 
此外,在光電方面越來越多高階雷射與光接收器技術應用被開發出來,在在顯示公司聚焦在高技術門檻之研發策略,已經逐步將公司建立成一個不可或缺的高端磊晶材料供應商,公司的獨特性與不可或缺性將走出一個與眾不同的成功模式,相當值得期待。(蕭文康/台北報導)

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英特磊磷化銦HBT與量測龍頭KeySight(是德科技)合作,自去年第3季開始放量,持續在今年上半年貢獻,另在高速10G~20G的光接收器(Pin, APD)應用,獲得大中華區客戶高度需求,將在第3季再度放量,估計磷化銦會是今年成長性最高的項目,占比將由去年的24.8%,提升到30%以上。

一般來說,汽車供應鏈切入需要花三到五年時間,而UMS是汽車大廠主要的汽車雷達晶片供應商,全球市占率接近八○%,以英特磊是UMS唯一的GaAs磊晶片供應商的地位來看,受惠程度不言可喻。

客戶涵蓋美商安捷倫(Agilent)、Qorvo、射頻元件廠Skyworks、TriQuint,以及代工廠穩懋、宏捷科、韓廠Samsung、日本光電元件廠住友(Sumitomo)與三菱(Mistubishi)等,同時也與美國太空總署NASA合作,供應太空應用等級的銻化鎵磊晶,磷化銦磊晶客戶為Keysight Technologies,終端應用為高頻量測儀器,公司與Keysight於2012年起簽訂5年的獨家供貨合約,由於跟Skyworks長期配合,因此透過關係與穩懋做策略合作,並獲得穩懋的入股。

2014年2月,與美國國防部簽署合約,供應銻化鎵紅外線(Infrared或IR)磊晶片,用於強化國防設備。

IET-KY已獲得全球「汽車安全系統防撞晶片」大廠─瑞典商UMS零組件訂單,汽車安全電子相關無線電波偵測應用「砷化鎵」磊晶片,營收出貨占比已大幅拉高至約二○%;UMS為賓士、BMW、Audi等歐系高級車廠汽車防撞晶片主要供應商,同時亦為先前與全球電動車大廠─Tesla,合作、供應「自動駕駛光學辨識及偵測」汽車安全系統大廠─Mobileye主要客戶。

近年砷化鎵產品主要客戶訂單由手機應用轉變為非手機應用,並收購Skyworks非手機應用砷化鎵製造機台,Skyworks砷化鎵非手機應用,將交由公司代工。2014年砷化鎵磊晶片總銷售比重由 2013 年的 35.1%提高到 46.7%。

2015年公司獲得全球Skyworks、安捷倫等大廠指定為獨家MBE砷化鎵磊晶片供應商。磷化銦磊晶產品並獲得Agilent 5G量測訂單。

銷售獲利水準方面,磷化銦、銻化鎵的毛利率在50%、70%不等,而砷化鎵磊晶片用在手機上的產品毛利率為15~20%,若是用在防撞雷達上則有50%。

2015年公司布局CTZ基板新品,因獲得政府合約,順利打入紅外線高端市場。

公司是市場上少數的MBE製程磊晶片供應商,在轉型後,目前產品已無應用在手機領域。2015年公司主要成長動能來自Skywork的分子束磊晶代工,以及UMS的汽車防撞雷達產品。

磷化銦(InP)產品近年著重於光電產品之應用,如光偵測器(PIN 及APD),其中PIN應用已於2015年Q3開始出貨,APD產品規劃2016年Q3可量產出貨。

IET-KY明年攻VCSEL | 科技產業| 產經| 聯合新聞網

英特磊IET-KY(4971)是全球唯一與Finisar共同開發分子束磊晶(MBE)技術生產VCSEL。IET主管表示,VCSEL是IET明年發展最大的重點,目前已接獲5至10個客戶,將會通吃25G資料中心和3D感測的市場。 ... A-A+. 2017-12-15 14:27聯合晚報記者詹惠珠/台北報導 ...

IET-KY與Finisar合作開發VCSEL | 科技產業| 產經| 聯合新聞網

IET-KY(英特磊,4971)是全球唯一與Finisar共同開發分子束磊晶(MBE)技術生產VCSEL。IET-K... ... A-A+. 2017-12-15 12:14經濟日報記者詹惠珠╱即時報導 ... IET-KY代理發言人范振隆今(15)日表示,早在2010年,當時Finisar因為以MOCVD生產VCSEL的磊晶良率不到10%,因此與IET-KY獨家合作以MBE技術生產VCSEL,當時的 ...

非蘋跟進3D感測人臉辨識IET - 經濟日報 - 聯合新聞網

非蘋手機將跟進蘋果iPhone X採用3D感測作人臉辨識,上游VCSEL磊晶片需求火紅,IET-KY(4971,英特磊)透露,已有五至十個客戶找上IET,預估明年第2季也會開始出貨給 ... 2017-12-04 15:13聯合晚報記者詹惠珠/台北報導 ... IET-KY所新建的70,000平方英尺廠房,預計於今年底前落成,到2018年底前,產能可以至少增加50%

IET-KY英特磊4971展望2018、2017(詹惠珠為何還報蘋果注資Finisar呢 ...

2017年12月16日 - 2017-12-15 15:17聯合晚報記者詹惠珠/台北報導 英特磊IET-KY(4971)是全球唯一與Finisar共同開發分.

英特磊:VCSEL 已有5 至10 家客戶,供應中國手機廠| TechNews 科技新報

2017年12月15日 - 蘋果積極扶植3D 感測第二供應商,Finisar 成為首選,被市場點名Finisar 供應鏈的英特磊IET-KY 將受惠,英特磊表示,VCSEL 已有5~10 家客戶,主要供應 ... 因地緣關係與Finisar 關係密切,2010 年時Finisar 為突破MOCVD 製程生產的VCSEL 良率瓶頸,與英特磊共同開發採MBE(分子束磊晶法)技術生產VCSEL, ...

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2017-06-28 00:10經濟日報 記者詹惠珠/台北報導

5G通信規格預計在2020年商轉,供應鏈已積極卡位,光通訊上游磊晶廠聯亞光電(3081)和IET-KY(英特磊)擁有磷化銦(InP)的長晶技術,可望搶奪機先。而砷化鎵晶圓代工廠穩懋、環宇-KY則以氮化鎵搶攻5G基地台商機,環宇今年就會率先出貨。

由於手機消費者對於通訊品質與傳輸速度的要求愈來愈高,4G已成為全球通訊規格之主流,5G勢必會驅動下一波成長動能,市場成長可期。5G被外資喻為是「新藍海」,在5G之前的pre-5G,最早吃到商機的是應是與光通訊相關的砷化鎵廠商。

環宇董事長黃大倫表示,5G進度比預期快,環宇發展中的氮化鎵,解決5G在頻率要求的技術,並與客戶開發量產,已開始出貨,是代工廠中第一家。5G和4G最大差別在頻率不同,砷化鎵到5G已無法實現高頻的製造,今年將致力提高氮化鎵製程技術出貨比重。

英特磊總經理高永中表示,目前全世界只剩下二家擁有MBE技術的磊晶廠,包括英特磊和英國IQE,未來在5G應用MBE的技術可望勝出。英特磊新廠將在8月完成,可容納16台MBE機台,完工後會先安裝六台,產能增加60%,到2018年中產能會倍增。

由於真正5G網路採用磷化銦HBT做為手機功率放大器材料,目前有此長磊技術只有英特磊和聯亞光電,英特磊的磷化銦的比重在第1季已提高逾35%,今年會完成5G手機功率放大器(PA)磊晶結構建置。

製程技術。氮化鎵,因此光電業者都致力提高砷化鎵為材料到5G時已無法實現高頻的製造砷化鎵業者表示,5G和4G最大差別在頻率不同,以砷化鎵為材料到5G時已無法實現高頻的製造,因此光電業者都致力提高氮化鎵製程技術。

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