星星愛的傳說

2019/12/09 工商/方歆婷

針對貿易戰因應之道，環宇-KY董事會9日決議與晶品光電(常州)及其他專業投資法人，將分次共同投資常州新晶宇光電有限公司(合資公司新晶宇)，簽署中外合資經營合同，將以現金出資人民幣1億1千萬元認繳常州新晶宇光電有限公司的註冊資本額人民幣一億一千萬元

依此中外合資經營合同，新晶宇將建置6吋晶圓廠，以環宇之製程技術為基礎，未來將開展化合物半導體無線射頻6吋晶圓代工以及光電6吋晶圓代工等業務。

同時，因市場環境因素，影響原定之策略合作，環宇-KY與廈門市三安集成合資成立之廈門三安環宇，因未實際開展經營業務，環宇-KY與三安集成友好協商並一致同意終止合資公司的營運，9日董事會決議清算註銷廈門三安環宇。(工商 )

環宇表示，將參與晶成半導體現金增資，投入 6 吋晶圓代工服務，發展氮化鎵、VCSEL 產品，環宇則提供技術支援，拓展代工產能及客戶，預期明年第 1 季持股比例將從 14.09% 增加至 36.06%，明年底則會提升至 49%。

 IET-KY( 4971 )、聯亞( 3081 )、全新( 2455 )

這些於中上游生產磊晶片的台灣上市櫃公司上

其中IET-KY投入分子束磊晶( MBE )技術

而聯亞、全新是投入有機金屬化學氣相磊晶( MOCVD )技術

目前後兩家公司的營收突破 20 億元

而 IET-KY 則不足 9 億元

不過分子束磊晶技術在將來的潛力可期

在硬體構件部分，持續開發下一代MBE超大8x 6”機台，同時研擬組裝MBE氮化鎵(GaN)長晶機台，為(2019)第四季開發GaN新產品做準備。

轉投資事業

股數 持股比例 股數 持股比例 股數 持股比例

Atelier de décolletage de Bigorre (ADB)  股數 4,390 持股比例 76%

LuTec SAS (LUTEC)  股數317,629 持股比例76% 

總公司、分公司及工廠之地址及電話

1.本公司：JPP Holding Company Limited

地址：190 Elgin Avenue, George Town, Grand Cayman KY1-9005 Cayman Islands

台灣辦事處地址：台北市中山區松江路 152 號 1112 室 (11 樓之 9)

電話：+886-2-2541-5566

2.泰國子公司：Jinpao Precision Industry Co., Ltd.

地址：631 Soi 12 Moo 4 Bangpoo Industrial Estate T. Phraksa, A. Muang, Samutprakarn 10280 Thailand.

電話：+66-2-7093687

主要營業或生產項目：從事精密金屬板金客製化產品之設計、生產製造與銷售。

3.日本孫公司：Jinpao Precision Japan Company Limited

持股：80.00%

地址：Vision Center Nihonbashi Fukushima Bldg. 2F, 1-5-3 Nihonbashimuromachi, Chuo-ku, Tokyo, 103-0022, Japan.

電話：+81-3-6869-1099

主要營業或生產項目：擴展日本業務及售後服務。

4.法國孫公司：Jinpao Europe SAS

持股：80.00%

地址：Zone Industrielle Pyrène Aéropôle, 65290 Louey R.C.S. TARBES FRANCE

電話：+33-5-62 45 63 80

主要營業或生產項目：控股公司，持有 Lutec SAS 和 Atelier de décolletage de Bigorre (ADB) 兩家法國航太專業精密銑床公司之 100%股權。

主要產品之重要用途

航太 航太飛行控制電腦機殼，駕駛艙飛行儀表、通訊、導航控制 系統等相關週邊機殼、機構件。 通訊 監視器控制箱體，光纖通訊系統櫃，3G通訊櫃，4G LTE 通 訊櫃，電話系統交換機+ IP phone機組櫃，通訊系統散熱模 組機盒，物聯網多媒體自助機體，UPS+Battery系列，智慧 型數位電表系列，具有臉部辨識系統功能的高階儲物櫃，第 三方支付系統的自動販賣機、自助加油機機殼等相關週邊。 電子 3D電影立體放映機組底座，監視器系統機構零組件，攝像機 機構零組件等相關週邊，工業用散熱系統機盒，遊戲機，收 銀機組及工業印表機及3D印表機機構件。 醫療 X-Ray，醫療設備用顯示器，內視鏡主機之機構零組件等。

交通 運輸
高速鐵路及汽車之機構零組件，捷運自動購票系統。

綠能 太陽能系統相關機構組件，太陽能交/直流逆變轉換器。

食品 檢測
自動電子計量機，異物檢驗設備，質量檢驗設備，肉類乳製 品分析儀，牛乳成份分析儀等相關週邊設備

(一)公司簡介

1.沿革與背景

英特磊(IET)於2011年4月26日設立於開曼群島，公司營運主體設立於美國德州，採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，具有基板到磊晶的垂直整合技術能力，提供無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商用，以及太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品應用。

公司為全球磷化銦、銻化鎵磊晶片代工領導廠商。

2014年9月29日，公司宣布以600萬美元取得法國Soitec旗下的砷化鎵事業部，包含5台NBE機台及相關備品、耗材、量測設備等。

2.營業項目與產品結構

主要產品：GaAs pHEMTs（砷化鎵假型高電子遷移電晶體）、InP HBTs（磷化銦異質接面雙極電晶體）及銻化鎵(GaSb)紅外偵測器磊晶晶片。 

2019年Q3公司產品比重：砷化鎵磊晶片佔49%、磷化銦磊晶片佔37%、銻化鎵佔14%。

2019年Q3公司產品應用比重：射頻(物聯網、航太、無線通訊)佔8%、汽車防撞及車用佔26%、光纖網路佔39%、高速傳輸元件佔14%、紅外線偵測佔12%、硬體構件佔1%

公司近年光通訊訂單增加，主要成長動能來自於磷化銦，公司近年光通訊訂單增加，主要成長動能來自於磷化銦。砷化鎵主要產品pHEMT銷售集中在非行動裝置與汽車防撞雷達應用，磷化銦銷售成長的力道來自雲端科技與高速光纖網路傳輸。

產品圖來源公司法說，公司網址 http://www.intelliepi.com/tw/index.htm

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

三五族化合物半導體

砷化鎵之電子遷移速率高，在1GHz以上高頻使用時雜訊低，元件尺寸小，因此適於通訊使用，且砷化鎵具抗輻射性，特適於衛星通訊。砷化鎵的操作溫度可達200℃，不易因高頻過熱而影響性能，穩定性佳。砷化鎵磊晶片可應用於手機所需之射頻開關（RF Switch）、高頻量測及光通訊元件、紅外線光電探測、熱感應及國防科技等領域。

砷化鎵依電晶體製程架構細分：異質介面雙極電晶體(HBT)、擬態高速移動電子電晶體(pHEMT)及金屬-半導體場效電晶體(MESFET)等，另有整合HBT與pHEMT製程為雙極場效電晶體(BiFET)技術。HBT多應用於功率放大器，pHEMT多應用於射頻開關。

磷化銦電特性比矽或砷化鎵優越，而磷化銦HBT比砷化鎵HBT具有更高的操作頻率及更高頻頻寬，主要應用於光纖通訊、光纖網路光源、光接收器等。

2.重要原物料及相關供應商

砷化鎵基板 Hitachi(Marubeni)、Sumitomo、Freiberger Compound Materials、American Xtal Technology等。

磷化銦基板 JX Nippon Mining & Metals USA Inc.、American Xtal Technology、Sumitomo等。

III-V 族元素材料：UMC, 5N Plus (MCP), Indium Corp.。

3.產能狀況與生產能力

公司生產基地位於美國德州，2012年產能狀況：砷化鎵達8200萬片/年、磷化銦720萬片/年、其他(含銻化鎵)240萬片/年。

截至2014年底，公司原有產能為MBE 8台，於併購Soitec後取得5台，以及購得Skyworks 5台，總計有18台，2015年Q2起陸續投入生產，2015年總產能將成長近4成。

2015年，公司已在美國德州取得土地籌建新廠，預計2016年8月完工。

4.新產品規劃

陳學進│理財周刊958期│2019-01-04 

在陸股及港股聯袂大跌拖累下，牽動一月二日新春開紅盤台股下殺拉回主要元兇落在權值股。反觀5G概念股、銅箔基板、二極體、碳纖維複合材料及生技股等，表現仍相當強勁，顯見市場人氣還在，沒有潰散跡象，台股元月仍可望有震盪向上空間可期。

特別是隨著美中貿易談判氣氛轉趨樂觀，中方開始大量採購美進口大豆等農產品，對美進口汽車及零組件關稅由四○％降至一五％，且北京當局承諾將採取新措施，保護外國企業在中國的合法經濟，將立法禁止強迫技術轉移，回應川普與其他批評者抗議。美國代表團一月七日前往北京與中國代表舉行貿易談判，顯見雙方已取得某一程度共識。川普推文也表示：貿易協議談判順利，將可獲重大進展。顯見美中貿易危機已解除一大半。

美聯準會上半年可望暫緩升息，有利營造一波資金行情。加上外資陸續回補持股，買盤轉趨積極偏多，配合內資買盤力挺偏多，訊息面、金融面及籌碼面均處於相對有利條件，都有利台股展開一波中期大反彈行情。儘管目前季線尚未能扭轉上來，短線震盪拉回洗盤不失為「挑好股、買主流、賺大錢」的好機會。

【個股推薦】嘉晶(3016)，磊晶產量世界第二大。主要利基題材有：

(1)業績表現亮眼：累計二○一八年前三季EPS達一．二元，較前年同期大幅成長近二倍，十一月營收四．二一億元，年增四七．一％，累計前十一月營收四一．八五億元，年增三五．六四％，優於市場預期。

受惠MOSFET及IGBT等功率元件強勁需求、報價調漲、國際IDM大廠擴大委外代工，以及英飛凌(Infineon)、安森美(ON Semi)、德儀等提前卡位因應電動車及自駕車、5G高速通訊、人工智慧及高效能運算(AI/HPC)等新應用領域的第三代半導體關鍵材料碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)市場，嘉晶及漢磊(3707)已投入GaN及SiC的矽晶圓及晶圓代工技術多年，相關商機將可望大爆發。

(2)嘉晶為國內唯一同時提供碳化矽、氮化鎵兩種磊晶製程廠商：碳化矽於一千二百伏特以上的高壓背景環境，具十分顯著的應用優勢，可大大減少高達八五％的切換能源損失，非常適合運用於電動車、高鐵、超高壓直流輸送電、工業電機、智能電網、航空航太等高壓電力(高功率)應用領域。氮化鎵則主要應用於六百至一千伏特工作電壓區間，對應SiC、GaN基材材料特性發展出的功率半導體晶片，如：MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)、IGBT(絕緣柵雙極電晶體)等，於產業界、市場發展功率半導體應用時，超越以往因矽基材性能較低造成的限制。

因SiC、GaN基材具備更佳：低電流阻抗(膜厚漂移層(drift diffusion)更可薄化，進一步降低電流阻抗值)、高電能轉換效率、耐高溫及低過熱風險(因為寬能隙)、耐高壓(因擊穿電場高)等運作(轉)優勢，結合動力模組的體積、重量同步縮減，有利電動車進一步延長「單次充電後行駛距離」，亦間接有助全球電動車市規模持續擴大，誰能掌握碳化矽與氮化鎵關鍵技術，將可望帶動未來營運及獲利大爆發。

(3)營運前景看俏：券商報告表示，預估未來五年碳化矽與氮化鎵功率元件與模組年複合成長率為二一％、八三％，嘉晶四吋SiC碳化矽、六吋氮化鎵已正式出貨，今年將更進一步導入六吋碳化矽磊晶製程，前景看俏(※基本面資料若有異動，依公開資訊觀測站最新訊息為主)。

【操作建議】低接不追高，營運前景看俏、法人心態偏多不變，以及券資比攀升(截至2018/12/28融券餘額達六一一二張，券資比達四五．九二％)，只要「控盤指標」及「攻擊力道」可再度雙雙翻紅轉強，突破站穩於十日線及月線之上，隨著雙腳築底成形，後市可望有一波強彈行情。基於風險考量，設好停損停利(詳見附圖說明)。

2019-12-20 19:41萬寶週刊 撰文/王榮旭

萬眾期盼的美中第一階段協議終於敲定，市場狀況回穩，廠商信心得到提振，投資可望增加，國際經濟形勢改善將使消費者支出意願增加。投資、消費雙雙上揚將帶動GDP的成長，股市作為經濟的風向球將率先表現，明年GDP上修，提升台股突破12682歷史高點的機率。貿易協議最直接的受惠者是科技類股，受到新關稅取消帶動的蘋概股尤其強勁，但長遠來看，中國去美化的進程不會因為第一階段協議的簽署而停止，台灣的5G供應鏈將持續受惠於轉單效應，預計明年最夯的題材仍然將是5G。

5G引爆高頻材料需求

隨著5G基地台及資料中心需求轉旺，國際IDM廠第四季開始擴大釋出電源管理IC及功率半導體委外代工訂單，晶圓代工廠漢磊科及其旗下嘉晶(3016)營運轉旺，國際IDM廠投入氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等新一代寬能隙(WBG)材料功率半導體市場，漢磊科及嘉晶為國內唯二能夠生產氮化鎵與碳化矽的廠商，現也已完成產能佈建，全力搶攻WBG材料晶圓代工及磊晶矽晶圓新商機；碳化矽晶圓具備高功率、耐高壓、耐高溫等特性，是高頻/高功率放大器元件的重要材料，氮化鎵則是一種直接帶隙半導體材料，在高功率和高速元件中具有比矽元件更好的性能，相比砷化鎵電晶體，碳化矽和氮化鎵電晶體可以在高得多的溫度和電壓下工作，因此是理想的微波頻率功率放大元件，5G通訊的射頻前端有著高頻和高效率的嚴格要求，搭上2020年5G大商機。

嘉晶長線底部成型

漢磊持有嘉晶超過60％的股權，嘉晶在市場上流通籌碼不多，籌碼優勢讓未來行情增添爆發力，以石英元件廠加高(8182)為例，由於5G對石英元件的需求拉高，導致部分石英元件產品供不應求，明年1月可能漲價，加高背後的大股東是日本大真空，持股超過5成，這樣的股票往往不鳴則以，一鳴驚人；加高股價兩週內從20元飆漲到35元，漲幅超過7成，這就是5G題材加上大股東籌碼的優勢。再一個例子是12月初分析看好的新揚科(3144)，5G手機需要大量的軟性銅箔基板，因此帶動上游原材料供應，而新揚科第一大股東為日本電子材料大廠有澤製作，持股比率達52％，籌碼穩定度高，再加上當時新揚科股價處於低檔，又具備了低基期的優勢，三方結合下新揚科股價成功從底部反彈，超越了上一波段的高點，明年5G換機潮即將來臨，嘉晶產品搭上5G商機，股價具有低基期及籌碼優勢，三股力量加持下，補漲空間大。

》1364期】萬寶週刊【本文未完，全文詳情及圖表 請見完整內容《

半導體原料共經歷了三個發展階段：第一階段是以矽 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導體原料；第二階段是以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等化合物為代表；第三階段是以氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC)、硒化鋅 (ZnSe) 等寬頻半導體原料為主。

明日之星 - GaN (IET-KY(英特磊)目前已進行組裝量產MBE氮化鎵(GaN)磊晶機台，準備進入GaN磊晶片市場)

手機中基石 - GaAs

2019/11/07 16:42 時報資訊 

【時報記者張漢綺台北報導】IET-KY(英特磊) (4971) 前3季財報出爐，每股盈餘為1.5元，超越去年全年水準，由於中美貿易戰影響已漸減緩，預估第4季營收、獲利都可望優於第3季。

IET-KY第3季合併營收為1.83億元，營業毛利為6395萬元，單季合併毛利率為34.8%，年增4.5個百分點，稅後盈餘為2125萬元，單季每股盈餘為0.58元；累計前3季合併營收為5.33億元，營業毛利為1.84億元，合併毛利率為34.56%，稅後盈餘為5446萬元，每股盈餘為1.5元。

就產品別來看，砷化鎵佔第3季營收比重約49.3%，磷化銦約佔36.8%，銻化鎵及其他約佔13.9%。

IET-KY自結10月合併營收為6732萬5000元，較9月增加16%，累計前10月合併營收為6.01億元，年成長8.9%，由於中美貿易戰影響已漸減緩，預估第4季營收、獲利都可望優於第3季。

在砷化鎵部分，IET-KY以汽車防撞雷達及高頻應用的pHEMT晶片仍佔營收主力，同時取得大廠新的RF高頻pHEMT量產訂單，並爭取於本季開始穩定出貨，貢獻營收；

(pHEMT : 是用GaAs（砷化鉀）生產的微波元件結構的一種。pHEMT與HBT同樣可使用在高線度，高功效的無線電射頻裝置，但pHEMT的RF若要達到與HBT相同的功效則需較大尺寸的晶片，雖然pHEMT要有相對的高單體成本，但pHEMT在操作電壓效率上比HBT有優勢，因為HBT需要極高的開機電壓，所以無法在低於2.5V的狀態下繼續操作或維持高效能，此外，pHEMT元件在1.5V狀態下能有高效能的表現，對講究待機時間長的行動產品而言，pHEMT較具優勢。另外，pHEMT亦具有低雜訊的特點，因此在20GHz以上的高頻微波通訊上，pHEMT有一定的市場地位。)

此外，高速VCSEL磊晶片量產訂單亦穩定出貨，並持續與客戶共同開發其他波長及用途VCSEL。

在磷化銦部分，5G相關HBT，PIN磊晶片定期量產訂單已到位，公司將於新廠擴增生產機台認證，以靈活調度產能，另將與客戶進一步開發磷化銦及相關銻化鎵生物感測雷射晶片，可望帶來不錯的營運動能。

在銻化鎵部分，今年銻化鎵紅外磊晶片國外訂單穩定增加，整體營收已超越去年，預計明年應可取得國防量產訂單。因應需求成長，英特磊也將調整現有生產機台，用大MBE機台替換較小機台，並視未來訂單需求決定再進一步增加第三台大型MBE機台。

在氮化鎵部分，硬體構件部分，則是已與國外GaN專業公司合作，開發量產技術，目前已進行組裝量產MBE氮化鎵(GaN)磊晶機台，準備進入GaN磊晶片市場。

至於明年的成長動能，英特磊表示，公司主要成長動能將來自5G相關之高頻高速及通訊相關晶片，高速VCSEL磊晶片，以及銻化鎵紅外磊晶片。

每年200萬美元入袋！F-IET與美國防部續約 精實新聞 2014-02-24 16:16:21 記者 羅毓嘉 報導

III-V族化合物磊晶廠F-IET(英特磊, 4971)宣佈，與美國國防部簽署的長期供貨合約已完成續約，將在未來兩年內持續供應銻化鎵磊晶片給美國防部，做為強化與發展軍用設備之用。F-IET指出，獲得續約意味著F-IET的產品持續獲得美國國防部認可，品質獲得肯定，該筆合約每年將貢獻F-IET約200萬美元(約合新台幣6000萬元)營收。

F-IET採用MBE(分子束磊晶)技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，除砷化鎵應用於一般消費性電子產品之外，銻化鎵、磷化銦等磊晶產品，多數是應用在車用、衛星通訊、醫學用途、掃描偵測等利基型應用領域，其中尤以與美國國防部、NASA的合作案最獲矚目。

F-IET宣告，今年公司已經與美國國防部續簽每年約200萬美金的重要合約，未來兩年F-IET將繼續供應美國國防部銻化鎵紅外線磊晶片，做為強化及發展國防設備之用，投入包括夜視鏡、衛星通訊、國土監控、及太空軍事等相關項目的開發。

F-IET說明，相較於原先用在紅外線設備上的II-VI族化合物，銻化鎵所屬的III-V族化合物半導體可將陣列型(Focal Plane Array)紅外線偵測器做得更大，如此一來，便可大幅提升紅外線設備的影像解析度，近年來相關材料已經被廣泛運用在高端紅外線設備中。

事實上，目前F-IET成功開發出的全球首片6吋銻化鎵晶片，已超越原先美國國防部所要求的5吋規格研發目標，雙方延續合作供應關係，不僅意味著F-IET的產品品質獲得肯定，也代表F-IET持續投入研發能量已開花結果。

F-IET不僅與美國國防部延續關係，由美國太空總署(NASA)支持的小型企業創新研發(SBIR)二期計畫，也獲得認同，已獲得追加撥款、計畫服務時間也有所延長。

全文網址: http://www.moneydj.com/KMDJ/News/NewsViewer.aspx?a=1542df99-4ec5-449a-a087-4e04a93ccd49#ixzz2uEgyDaIR

2019/07/22 16:49 鉅亨網編輯江泰傑

半導體原料共經歷了三個發展階段：第一階段是以矽 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導體原料；第二階段是以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等化合物為代表；第三階段是以氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC)、硒化鋅 (ZnSe) 等寬頻半導體原料為主。

第三代半導體原料具有較大的頻寬寬度，較高的擊穿電壓 (breakdown voltage)，耐壓與耐高溫性能良好，因此更適用於製造高頻、高溫、大功率的射頻元件。

從第二代半導體原料開始出現化合物，這些化合物憑藉優異性能在半導體領域中取得廣泛應用。

如 GaAs 在高功率傳輸領域具有優異的物理性能優勢，廣泛應用於手機、無線區域網路、光纖通訊、衛星通訊、衛星定位等領域。

GaN 則具有低導通損耗、高電流密度等優勢，可顯著減少電力損耗和散熱負載。可應用於變頻器、穩壓器、變壓器、無線充電等領域。

SiC 因其在高溫、高壓、高頻等條件下的優異性能，在交流 - 直流轉換器等電源轉換裝置中得以大量應用。

明日之星 - GaN

GaN 是未來最具增長潛力的化合物半導體，與 GaAs 和 InP 等高頻工藝相比，GaN 製成元件輸出的功率更大；與 LDMOS 和 SiC 等功率工藝相比，GaN 的頻率特性更好。

大多數 Sub 6GHz 的蜂窩網路都將採用 GaN 元件，因為 LDMOS 無法承受如此高的頻率，而 GaAs 對於高功率應用又非理想之選。

此外，因為較高的頻率會降低每個基地台的覆蓋範圍，所以需要安裝更多的電晶體，進而帶動 GaN 市場規模將迅速擴大。

GaN 元件產值目前占整個市場 20% 左右，Yole 預估到 2025 年比重將提升至 50% 以上。

GaN HEMT 已經成為未來大型基地台功率放大器的候選技術。目前預估全球每年新建約 150 萬座基地台，未來 5G 網路還將補充覆蓋區域更小、分佈更加密集的微型基地台，這將刺激 GaN 元件的需求。

此外，國防市場在過去幾十年裡一直是 GaN 開發的主要驅動力，目前已用於新一代空中和地面雷達。

而在 GaN 射頻元件領域中，龍頭廠包括日本住友電工、美國科銳和 Qorvo、韓國 RFHIC 等。GaN 代工廠則有穩懋 (3105.TW)、三安光電等。

手機中基石 - GaAs

GaAs 作為最成熟的化合物半導體之一，是智慧手機零組件中，功率放大器 (PA) 的基石。

根據 Strategy Analytics 數據顯示， 2018 年全球 GaAs 元件市場（含 IDM 廠元件產值）總產值約為 88.7 億美元，創歷史新高，且市場集中度高，前四大廠商比重達 73.4%，分別為 Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、穩懋 (6%)。

至於 GaAs 晶圓代工市場方面，2018 年規模為 7.5 億美元，其中穩懋市占率高達 71.1%，為全球第一大 GaAs 晶圓代工廠。

由於 GaAs 具有載波聚合和多輸入多輸出技術所需的高功率和高線性度，GaAs 仍將是 6 GHz 以下頻段的主流技術。除此之外，GaAs 在汽車電子、軍事領域方面也有一定的應用。

總結上述這些 III-V 族化合物半導體元件具有優異的高頻特性，長期以來被視為太空科技中無線領域應用首選。

隨著商業上寬頻無線通訊及光通訊的爆炸性需求，化合物半導體製程技術更廣泛的被應用在高頻、高功率、低雜訊的無線產品及光電元件中。同時也從掌上型無線通訊，擴散至物聯網趨勢下的 5G 基礎建設和光通訊的技術開發領域。

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全球據點

美國德州李察森市 2002 總面積2,3000 平方英尺 生產區面積1,3000 平方英尺 總部 磊晶生產 無塵室產品測試 北美最大MBE磊晶片生產工廠 全球磷化銦銻化鎵磊晶片代工領導廠商

美國德州亞倫市 2011 8000 平方英尺 100 to 10K  無塵室 銻化鎵長晶切片研磨拋光 提高產能以因應生產高峰時所需

台灣台北市 2013 3000 平方英尺辦公室 台灣市場客戶服務 投資人關係 上市相關事宜 位於台北市士林區可就近服務投資人與客戶

中國天津市 2009 7,500 平方英尺生產廠房 基板再生 原材料採購  銻化鎵銻化銦單晶生長 砷化鎵磷化銦3-6英吋基板再生 生產2-3英吋磊晶級銻化鎵基板

日本橫濱市 2010 1000 平方英尺辦公室

鉅亨網記者劉韋廷 台北2019/11/07

英特磊 IET-KY(4971-TW) 今 (7) 日召開法說，董事長暨總經理高永中表示，隨著 5G 帶動磊晶片需求，加上產品組合調整，預期第 4 季營收、獲利都可望優於第 3 季，全年營收可年增 1 成，對於明年展望也審慎樂觀。

高永中表示，去年看到大環境變化，投資擴產速度放緩，今年已恢復正常水準，因應未來需求成長，將調整現有生產機台，用大 MBE 機台替換較小機台，並視未來訂單需求進一步決定是否增加第 3 台大型 MBE 。

依產品別來看，高永中表示，砷化鎵 (GaAs) 部分以汽車防撞雷達及高頻應用的 pHEMT 晶片仍占營收主力，也已取得大廠新的 RF 高頻 pHEMT 量產訂單，爭取本季開始穩定出貨、貢獻營收，此外，高速 VCSEL 磊晶片量產訂單也穩定出貨，將持續與客戶共同開發其他波長及用途的 VCSEL。

磷化銦 (InP) 部分，5G 相關 HBT，PIN 磊晶片定期量產訂單已到位，公司將於新廠擴增生產機台認證，以靈活調度產能，並將與客戶進一步開發磷化銦及相關銻化鎵生物感測雷射晶片，

銻化鎵 (GaSb) 部分，預計明年可取得國防量產訂單。

英特磊第 3 季產品營收比重，砷化鎵占營收比重 49.3%、磷化銦 36.8%、銻化鎵及其他約占 13.9%。

展望明年，高永中表示，預期未來主要成長動能將來自 5G 相關高頻高速及通訊相關晶片，如高速 VCSEL 磊晶片、銻化鎵紅外磊晶片，對明年展望仍審慎樂觀，維持 10-20% 年增幅度。

https://www.xvideos.com/video29651281/older_woman_mouth_jizzed

你以為UMS只是全球24G雷達收發晶片出貨量第一的供應商嗎? Too naive。

UMS：業界先進工藝的代名詞

UMS(United Monolithic Semiconductors)是一家全球通信、雷達、電子晶圓、射頻系統的MMIC供應商。主要服務於航空、通信、汽車雷達、工業、儀器等市場。其中，24G雷達收發晶片擁有業界唯一的GaAs工藝，工作溫度範圍為-40度-125度，Tx Power13.2dBm， VCO phase noise -90dB@100KHz，出貨量世界第一，占世界市場份額60%以上，是當之無愧的雷達收發晶片行業領頭羊。

此外，UMS還是全球領先的GaN、GaAs工藝微波元件供應商。UMS的微波通信晶片覆蓋L、S、C及以上波段，並提供微波頻段的PA、LNA、VGA、SWITCH等的組合解決方案，真正的做到了產品全、覆蓋廣。

在上述兩類標準化晶片的基礎上，UMS還為客戶提供Foundry service，該項服務不僅可以提供封裝，還可以提供設計、生產等一系列服務，生產線擁有GaN、GaAs、GeSi的工藝，最高達到400W的輸出功率，將會滿足絕大客戶的需求。

簽約世強，為工程師提供更好的產品服務及更強大的技術支持

近期，UMS與全球先進電子元件分銷商世強簽訂分銷協議，後者正式代理包括24G雷達收發晶片、微波通信晶片及定製化服務等在內的UMS全線產品。

此次合作，世強將憑藉強大的FAE團隊，為硬體工程師提供最貼心的產品服務。

原文網址：https://kknews.cc/tech/3av2pg.html

公司簡介

United Monolithic Semiconductors為國防，安全與航天，電信，汽車和工業應用設計，製造和銷售領先的射頻和毫米波組件及解決方案。 我們的內部GaAs和GaN技術可提供最先進的性能。 它們中的大多數在鑄造模式下可用。 UMS還提供了基於GaAs，GaN和SiGe技術的高達100GHz的完整目錄產品，可提供裸片和SMD QFN無鉛封裝。

隨著美國高速公路交通安全局與高速公路安全保險協會(IIHS)兩大機構與主要車廠達成協議，二○二二年九月一日後上市的新車必須全數加裝前方撞擊預警系統與自動緊急煞車系統(Autonomous Emergency Braking, AEB)，以避免因為駕駛人分心而追撞前方減速車輛，法人指出，包括明泰(3380)、啟碁(6285)、原相(3227)、聯傑(3094)、F-IET(4971)等廠商相關產品營收貢獻將逐步提升，成為獲利重要來源。

法人表示，物聯網是支撐近來網通股價表現最重要的話題之一，車聯網更是其中相當被看好的領域，然而就車聯網的層次來看，屬於門檻較高的產業，相關的聯網設備想要通過車廠認證，往往需要很長一段時間，在技術水準、時間及安全要求等成本都相對較高之下，廠商若能順利打入供應鏈，營運表現也相當值得期待。根據研調機構拓墣指出，隨著車載資通訊系統不斷推陳出新，後續會有更多車款會將車聯網系統納入基本配備，預估到二○二○年全球聯網車比例將高達七五％。

無人駕駛 汽車電子智慧化發展

TrendForce旗下拓墣產業研究所車輛電子分析師張仙平表示，在無人駕駛／自動駕駛車輛與新能源車的趨勢帶動下，車輛產業將朝零污染與智慧化發展，結合新的感測技術也使未來汽車行車資訊輸出與輸入介面與傳統汽車迥異，提升汽車電子化的程度，其中國際車廠以更貼近現實需求的高度駕駛輔助系統，結合新能源車作為新一代車輛開發主軸，進一步與半導體廠商密切合作，以及推出造型新穎的概念車，同時強調自動駕駛功能，都是推升汽車防撞雷達的重要需求。

張仙平表示，各大國際車廠在無人駕駛／自動駕駛車的實現已轉變為更加實際的功能，如在使用者介面上提供更加方便直覺的使用體驗，間接帶動螢幕在車輛上的應用需求，未來車用螢幕將朝向數量更多、尺寸更大的方向發展。另外，處理器能力提升讓畫面處理更加精緻，也使駕駛人更加信任無人駕駛功能，如Nvidia發布針對自動駕駛的超級電腦與整體解決方案，大幅提升GPU效能，搭配雲端運算提供更加精確的駕駛資訊及預測。

法人指出，AEB系統是透過車頭前方的毫米波雷達，結合影像感測器，有效掌握車輛與前車，或是其他行進方向上的交通狀況，一旦系統預測可能會有狀況時，就會先行以聲響、警示燈號等方式，提醒駕駛人留意並減速，如果駕駛人未做出反應，系統則會主動介入強制煞車。

惡劣天候 催生防撞雷達需求

其中推動防撞雷達需求的起源，則是美國在二○一五年發生超強暴風雪，使得美國東北部交通大亂，引發嚴重的連環車禍，讓汽車主、被動安全防護機制成為產業關注焦點。此外，隨著人口老化，汽車也必須因應高齡化造成行動不便的代步需求或操作模式做些改變，新應用出現，都讓車用防撞雷達需求有增無減。

產業人士指出，兩年多前，汽車防撞警示系統的大部分應用都還在測試階段，不過隨著各家車用電子廠陸續投入，在主動防撞設計系統部分，不僅高階新車款已配備主動防撞系統，就連平價車種也開始搭載。防撞雷達是行車輔助系統的重要一環，目前市場開發方向以24GHz頻段為主流，並搭配不同的天線設計在不同的使用環境條件下使用，偵測距離最遠可達一百公尺以上。 ；

同時為了能符合創新、節能及智慧化等需求，近年汽車安全的開發概念，已逐漸演進到主動偵測、提前預警並避免車輛碰撞事故，亦即強調「主動安全」的先進駕駛輔助系統，以達到防撞目的，主要內容包括車體前方／後方側邊碰撞預警(FCW)和緩解(Side Pre-Crash Detection)、車道偏離示警(LDW)、盲點偵測(BSD)、後方路口交通警示系統(RCTA)、駕駛疲勞警示和自動煞車控制等。

明泰訂單看到六月 今年拚虧轉盈

網通廠明泰二○一五年第四季稅後純損○．二六元，低於法人預期，主要是毛利率驟降且業外匯損，法人預估，儘管明泰今年第一季恐怕仍無法擺脫虧損狀況，不過公司態度相當積極，對於今年力拚獲利轉盈仍相當有信心。明泰董事長李中旺表示，技術是明泰的強項，不過正因如此，也讓公司營運成也技術、敗也技術，因此近年將重心擺在行銷業務面

明泰的車用防撞雷達產品主要分為三類，目前有效範圍約五十公尺的24GHz防撞雷達已經在交貨中，有效範圍約二百公尺的77GHz防撞雷達在開發中，另外應用在無人機、停車輔助的24GHz低成本慢速移動防撞雷達則是在進行測試中。李中旺指出，防撞雷達透過雷達感測器，加上監控系統，就能讓機器視覺變完整。明泰車用雷達產品已交貨給美國大型露營車應用，一台車要導入六個雷達，去年出貨約約一千多台的用量，目前每月單月出貨已超過二千台。

對於景氣狀況，明泰總經理林裕欽表示，目前訂單能見度可以看到六月，換言之，能見度約一季，根據歷史經驗，每年七月到九月的訂單狀況都是全年最穩定的月份，但今年狀況還要再觀察。

法人推估，第一季因為是傳統淡季，因此明泰單季營收恐較二○一五年第四季下滑一○％，毛利率則可望逆勢成長○．八個百分點，加上匯損狀況應可趨緩，預估明泰第一季雖然仍將虧損，不過每股稅後純損將縮小到○．○八元。除了車用防撞雷達外，明泰今年的重點目標還有交換器、家庭智能無線閘道器、智慧家庭中心監控系統、家庭高速WiFi骨幹網路等。

啟碁車用營收占比明年突破三成

網通廠啟碁專注於無線通訊產品之應用，產品部門分為六大範疇，包括衛星直播系統、機上盒、汽車數位產品、手機通訊、及天線等。啟碁在汽車防撞雷達已布局許久，主要發展24GHz防撞雷達產品，日前啟碁購入友達(2409)舊廠，就要針對北美一線車廠車聯網長單的產線擴充使用，防撞雷達新產品近期亦獲得日本一線客戶訂單，預估啟碁車用營收占比今年將達二七％，明年將突破三○％。

法人指出，啟碁有智慧家庭聯網、汽車電子產品及智慧電網三大產品線，展望今年，在智慧家庭聯網產品線以企業級Gateway閘道器訂單及汽車電子產品線成長動能持續強勁，包括Radio以及Wi-Fi、LTE、Bluetooth等傳輸系統和汽車防撞雷達持續成長，再加上智慧電網產品，法人預估，第一季營收將呈現淡季不淡，單季營收僅小幅季減八％，第二季營收恢復正成長，預估季增率六％，第三季營收就有機會挑戰新高水準。

整體來看，法人預期，啟碁今年營收仍可保持兩位數年增率，毛利率也將維持在一三％以上水準，稅後純益預估將年成長一○％，ＥＰＳ上看六．五元。

UMS唯一磊晶供應商 F-IET營收創高

F-IET(英特磊)二月受惠磷化銦產品需求成長，月合併營收來到七六○七萬元，年增九．七％，月增六．三％，創歷年同期營收新高。

公司表示，砷化鎵pHEMT磊晶片因為下游產品多樣化，需求狀況並未明顯受到行動裝置的淡季影響，主要客戶拉貨穩定。

法人指出，英特磊的磊晶技術為分子束磊晶，與另一種MOCVD(金屬有機物化學氣相沉積)技術有所不同。值得注意的是，英特磊是汽車防撞雷達晶片商UMS唯一磊晶供應商，美國交通運輸部將緊急煞車系統列為新車標準配備，並獲全球十大車廠表態支持，汽車防撞雷達將成為安全基本配備。

一般來說，汽車供應鏈切入需要花三到五年時間，而UMS是汽車大廠主要的汽車雷達晶片供應商，全球市占率接近八○％，以英特磊是UMS唯一的GaAs磊晶片供應商的地位來看，受惠程度不言可喻。

2014年9月29日，IET-KY取得法國Soitec旗下的砷化鎵事業部，進而成功打進汽車防撞雷達晶片商UMS供應鏈

原相CMOS影像感測器申請專利

ＩＣ設計廠原相二○一五年第四季自結ＥＰＳ○．五二元，優於法人預期的○．三元，主要是因為業外收益的匯兌利益及股利收入貢獻，其他數據，包括毛利率因產品組合、安防感測元件占比提升，較第三季微幅下滑○．七個百分點。

法人指出，原相第一季營收約較第四季下滑五％到一○％，因為主要產品，包括Mouse進入淡季，遊戲也明顯下滑，安控出貨略降，心跳量測則可望小幅成長，但對整體貢獻有限。

根據市調機構IC Insights預估，車用電子可望成為ＩＣ產業未來幾年成長最迅速的領域，儘管二○一五年車用電子於半導體ＩＣ占比只有八％，不過自二○一三到二○一八年，車用電子ＩＣ產值年平均複合成長率可望達到一○．八％，優於其他所有終端應用市場。

原相的車用感應器已應用在倒車攝影產品，開始小量出貨，儘管目前對營收的貢獻度仍不明顯，不過法人指出，由於原相與車廠合作開發，透過CMOS影像感測器及獨特的演算法，應用在於車道偏離警示及距離防撞警示等次系統，並提出專利申請，相關營運貢獻將隨著防撞雷達成為標準配備後明顯浮現。

聯傑跨入車用影像處理晶片

網通晶片廠聯傑二○一五年順利擴展電子紙市場，推升營運穩定成長，全年合併營收三．二八億元，年增率二％，稅後純益八四三四萬元，年增率一．三％，ＥＰＳ一．○一元。

聯傑是由有線通訊晶片跨入車用影像處理晶片，法人指出，儘管防撞雷達可以偵測車輛與障礙物距離遠近，但如果有影像，可以讓駕駛更精準掌握狀況，增加安全性。

理周小辭典 ；車用防撞雷達

防撞雷達主要是針對防碰撞技術，屬於先進駕駛輔助系統(ADAS)的一環，相關技術及產品在2015年CES大展中就出現，廠商紛紛將研發重點放在多重感測功能，其運作概念主要是透過二維感測辨識物體數量、距離、定位與行進方向等狀態，當感應器或雷達偵測器發現物體異狀，就會立即連通並啟動攝影機功能，動態調整智慧車運作參數，做出及時準確的行車反應。目前車用雷達技術以24GHz頻段為主，這類功能模組不僅具有判斷物體速度及距離的功能，同時也能判別物體方位，有益於行車環境的判斷。

不過，由於24GHz射頻技術除了掃描距離不夠長，頻寬也不夠，因此48GHz與77GHz汽車主動安全射頻技術順勢崛起。

另外，為了持續強化解析度及系統效能，未來除了繼續開發更高頻段的應用外，隨著需要傳輸處理的資料量愈來愈龐雜，導入多天線輸入輸出機制是必然的趨勢，同時，強化智慧車本身對資料運算功能也會是一大重點。(本文由理財周刊授權轉載)

(一)公司簡介

1.沿革與背景

嘉聯益科技股份有限公司(股票代碼：6153)成立於1992年11月3日，2003年與百稼企業股份有限公司進行合併，合併完成後，嘉聯益成為國內軟板大廠之一，同時也擠進全球前十大的專業軟板製造廠。

2018年3月可成子公司可耀科技斥資11.27億元，認購嘉聯益現增股近2.97萬張。交易完成後，將取得公司7.42%股權，成為公司最大法人股東。2018年7月可成公告旗下子公司處份嘉聯益持股逾2.6萬張，持股比重降到3.64%。

2019年7月瀚宇博預計斥資24.38億元，以私募方式(每股28元)取得嘉聯益本次增資後股本約16%股權；並且再以換股方式約每1股瀚宇博普通股換發1.36股嘉聯益普通股，共取得約8%股權。交易完成後，將取得嘉聯益24%股權，成為嘉聯益最大股東，預計10月底完成。

2.營業項目與產品結構

公司主要從事各類軟性印刷電路板之生產與銷售，產品包括：單面板、雙面板、多層板、軟硬結合板、其他特殊規格軟板及覆晶薄膜載板 ( COF )等，產品應用涵蓋手機、筆電及平板電腦、液晶顯示器、消費型電子產品等。

2018年公司營收比重：軟板100%。

公司產品應用圖

圖片來源：公司網站；http://www.careergroups.com

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

軟性印刷電路板又稱軟板(Flexible Print Circuit；FPC)是將軟性銅箔基板(FCCL)和軟性絕緣層使用接著劑貼附後壓合而成，並經過蝕刻等加工過程，最後留下所需的線路，作為電子訊號傳輸媒介，通常還會搭配積體電路晶片、電容、電阻等電子元件，才能使電子產品發揮功能。

軟板優點包含使產品體積縮小、重量較輕薄、有折撓性、依照空間改變形狀做成立體配線、可提升系統的配線密度並減少配線錯誤等。缺點包含成本較高、容易因製造過程中掉落或碰撞而折損、不適合接較重的元件、容易因為靜電殘留而吸塵等。

2.重要原物料及相關供應商

軟板上游主要原料包含軟板基板(FCCL)、保護膜、背膠、金鹽、電子零件等。

3.產能狀況與生產能力

公司旗下生產基地包含樹林、大陸昆山、大陸蘇州、大陸深圳、美國、芬蘭。

4.新產品與新技術

公司是全球生產LCP(Liquid Crystal Polymer；液晶高分子聚合物)天線軟板唯二廠商之一。

(三)市場需求與銷售競爭

1.產業結構與供需

上、下游關係

軟板上游主要原料包含軟板基板(FCCL)、保護膜、背膠、金鹽、電子零件等，下游應用範圍十分廣泛包含電腦及週邊設備、通訊產品、消費性電子產品、汽車、軍事、醫療、工業等領域。

市場規模

依據市調機構Prismark統計，2017年全球軟板總產值約125.23億美元，較2016年的109.01億美元，成長14.9%。此外，Prismark還預計2018年軟板產值將達128.42億美元，成長率為2.5%。

2.銷售狀況

公司客戶遍佈國際大廠，包含Apple、三星電子、小米、華為等。

2018年產品銷售地區比重：亞洲60%、其他15%、台灣25%。

3.國內外競爭廠商

競爭對手包含日商Nippon Mektron、Fujikura、Smitomo、Nitto Denko；韓商為Interflex、Young Poong、SI Flex；美商為M-Flex、Innovex；台灣鴻勝、台郡、毅嘉、同泰等。

(四)財務相關

庫藏股

2015年6月公司董事會通過實施庫藏股，預計買回張數5000張，期間為6月9日到8月7日，買回價格16.6到40元之間。                    

2015/07/09 工商時報/吳姿瑩

三五族F-IET（4971）昨（8）日公布6月營收7,693萬元，月增8.18％年增15.2％，第2季營收2.24億元，季增8.21％年增46.84％，月、季營收同步創高，公司並將在9月洽談車用防撞系統新單，可望打入Tesla發展自駕（ADAS）電動車需求，再創營運高峰。

據了解，英特磊收購Soitec後，取得全球最大車用防撞IC廠UMS供應認證，UMS打入多數歐系高級車，包括BMW、Audi、賓士等，同時間，UMS也是與Tesla計畫合作自駕車系統Mobileye的主要客戶，在此緊密的車用供應鏈關係中，英特磊持續獲得熱賣車款點火。

英特磊總經理高永中表示，在砷化鎵產品營運上，Soitec合併案與Skyworks非手機應用MBE磊晶片的全部供應，成功讓公司步入穩健成長方向，新布局項目將獲得更多更廣的市場應用點火，對MBE磊晶片的市場需求更強勁。

英特磊看好第3季旺季需求，將獲得新布局的車用防撞雷達、Skyworks物聯網帶動，因此公司先在5月進行歲修調整機台，將對全年營收衝刺動能有關鍵性助益。

高永中也表示，儘管今年來推升公司高成長的為砷化鎵產品項目，不過公司提供的砷化鎵產品也是砷化鎵同業中毛利率最高的，符合公司發展高毛利率產品宗旨。也因此，第2季營收的創高，法人估計有利於毛利率向上提升。

累積前6月營收4.32億元，年增56.73％，其中砷化鎵產品貢獻約55％，磷化銦占比約21～22％，銻化鎵占比也在21～22％，然而公司放量砷化鎵產品，多來自車用防撞系統UMS貢獻，法人推估其毛利率有50％之高，因此營運衝刺時不影響毛利率被稀釋。

英特磊受惠客戶發展ADAS，長線動能有利今年逐季表態，公司磷化銦產品也是下半年需求蓬勃的光通訊關鍵零件，其價格更高出砷化鎵3～5倍，與最大客戶安捷倫（Agilent）下半年進入安裝高峰，估計也將是下一代通訊規格5G的最佳解決方案，對此英特磊看好會是下一波引領高成長關鍵。

轉貼2017年6月30日工商時報，供同學參考

營收逐季揚，IET抗跌

記者張漢綺╱台北報導

IET-KY(英特磊) (4971) 因ADAS(先進輔助駕駛)高速成長，且磷化銦PIN/APD晶片已有多家美日客戶認證完成進入量產，加上傳統旺季來臨，IET-KY總經理高永中表示，公司樂觀看待未來業績，營收將逐季成長，今天盤中股價相對抗跌。

IET-KY在去年進行了9000坪總廠區建置、安裝2台MBE機台，用以支援砷化鎵及氮化鎵磊晶需求，而公司亦開始發展CdZnTe(CZT)基板研磨技術，並完成磷化銦PIN/APD量產準備，今年在完成新廠工程與設備搬遷後，亦將進行高速高功率面射型雷射量產，完備5G手機功率放大器(PA)磊晶結構研發。

IET-KY現有產品涵蓋許多當紅產業，其中砷化鎵相關產品除既有產品外，RF高端應用晶片、汽車防撞雷達晶片、面射型雷射晶片(用於3D感測與資料中心)、生物檢測用特殊雷射晶片等，公司均已有產品；磷化銦HBT晶片除用於高頻量測設備與高頻特殊應用外，磷化銦PIN/APD晶片亦已有多家美日客戶認證完成進入量產，可望挹注未來的營運。

就產品來看，去年砷化鎵(GaAs)磊晶片佔營收約48%，磷化銦(InP)磊晶片佔35%，銻化鎵(GaSb)磊晶片佔12%，其他佔5%。

IET-KY今年第1季合併營收為1.94億元，營業毛利為6148萬元，合併毛利率為31.64%，稅前盈餘為2438萬元，稅後盈餘為1763萬元，每股盈餘為0.49元。

IET-KY今年5月合併營收為8216萬元，月增23%，若以功能性貨幣美元收入計算，年增率3.88%，創下單月歷史新高；累計1到5月合併營收為3.44億元，年減14.86%。

高永中表示，今年營收將逐季成長。

評析
IET-KY樂觀看待未來業績，營收將逐季成長。

轉貼2017年6月28日經濟日報，供同學參考

英特磊、環宇 卡位5G

經濟日報 記者詹惠珠／台北報導

5G通信規格預計在2020年商轉，供應鏈已積極卡位，光通訊上游磊晶廠聯亞光電（3081）和IET-KY（英特磊）擁有磷化銦（InP）的長晶技術，可望搶奪機先。而砷化鎵晶圓代工廠穩懋、環宇-KY則以氮化鎵搶攻5G基地台商機，環宇今年就會率先出貨。

由於手機消費者對於通訊品質與傳輸速度的要求愈來愈高，4G已成為全球通訊規格之主流，5G勢必會驅動下一波成長動能，市場成長可期。5G被外資喻為是「新藍海」，在5G之前的pre-5G，最早吃到商機的是應是與光通訊相關的砷化鎵廠商。

環宇董事長黃大倫表示，5G進度比預期快，環宇發展中的氮化鎵，解決5G在頻率要求的技術，並與客戶開發量產，已開始出貨，是代工廠中第一家。5G和4G最大差別在頻率不同，砷化鎵到5G已無法實現高頻的製造，今年將致力提高氮化鎵製程技術出貨比重。

英特磊總經理高永中表示，目前全世界只剩下二家擁有MBE技術的磊晶廠，包括英特磊和英國IQE，未來在5G應用MBE的技術可望勝出。英特磊新廠將在8月完成，可容納16台MBE機台，完工後會先安裝六台，產能增加60%，到2018年中產能會倍增。

由於真正5G網路採用磷化銦HBT做為手機功率放大器材料，目前有此長磊技術只有英特磊和聯亞光電，英特磊的磷化銦的比重在第1季已提高逾35%，今年會完成5G手機功率放大器（PA）磊晶結構建置。

砷化鎵業者表示，5G和4G最大差別在頻率不同，以砷化鎵為材料到5G時已無法實現高頻的製造，因此光電業者都致力提高氮化鎵製程技術。

評析
5G和4G最大差別在頻率不同，以砷化鎵為材料到5G時已無法實現高頻的製造，光電業者都致力提高氮化鎵製程技術。

轉貼2017年6月23日經濟日報，供同學參考

英特磊供貨大廠 營收俏

經濟日報 記者詹惠珠／台北報導

IET-KY英特磊（4971）接獲是德科技（前身為安捷倫）新一期長達五年的5G量測設備新訂單，且計劃再擴充六成的產能發展高階VCSEL和氮化鎵。

[是德科技（Keysight Technologies），是一家生產測試與測量儀器與軟體的美國公司。2014年從安捷倫科技的電子產品與技術部分分立為是德科技；安捷倫科技留下化學與生化分析產品部分。]

總經理高永中昨（22）日表示，整體市場在第2、3季將進入旺季，帶動營收逐步成長，對市場與訂單狀況保持樂觀。

由於第2季的營收增溫，磷化銦等高毛利率的比重提高，高永中表示，第2季的毛利率會再提高。法人表示，英特磊從5月起營收跳升及各項優勢產品陸續認證通過，且進入產品出貨旺季，未來營運看俏。

高永中表示，砷化鎵產品中汽車防撞雷達用於ADAS市場持續成長，面射型雷射VCSEL用於3D感測，以及25G Data Center將會是2017年產品推廣重點，目前已有多家客戶與公司進行產品開發及認證；銻化鎵產品將有機會較2016年成長。

英特磊的5G量測設備供貨給安捷倫，今年五年的合約到期，高永中表示，公司又簽下新的五年供貨合約。

評析
英特磊的5G量測設備供貨給安捷倫，今年五年的合約到期，公司又簽下新的五年供貨合約。

轉貼2017年9月11日經濟日報，供同學參考

半導體展概念股／聯發科、IET 動能強勁

經濟日報 記者謝佳雯、詹惠珠／台北報導

智慧車電產業成為全球半導體產業的布局重點，市場傳出聯發科取得德國汽車馬牌（Continental）的報價清單（RFQ），內部全力準備產品中，希望明年能有好消息。

德國馬牌又名大陸集團，為全球第四大輪胎製造商，也是全球五大汽車零組件供應商之一。

聯發科將切入以影像為基礎的先進駕駛輔助系統（ADAS）、高精準度毫米波雷達、車用資訊娛樂系統及車用資通訊系統等四大應用為主，目標2020年至2025年時拿下全球二至三成市占率。

聯發科8月營收重回200億元大關，月增近兩成。法人預估，第3季營收有機會趨近財測高標，第4季因智慧型手機需求持穩，下滑幅度有限。

IET-KY的砷化鎵產品中，汽車防撞雷達用於ADAS市場持續成長，其中英特磊在上一季產品營收比重中，砷化鎵占56.3%，砷化鎵高頻電子產品成長主要來自於汽車防撞雷達ADAS與國防相關等高端無線通訊晶片應用產品，近年來ADAS備受重視，很多新車配有防撞雷達，帶動汽車防撞雷達晶片成長，是砷化鎵產品主要成長動能。

IET-KY的產品正值產業快速發展趨勢，技術上擁有多項未來明星產品，在市場上有絕佳戰略位置。

砷化鎵相關產品除既有產品外，以RF高端應用晶片、汽車防撞雷達晶片、面射型雷射晶片（用於3D感測與資料中心）、生物檢測用特殊雷射晶片較有成長性。

磷化銦HBT晶片用於高頻量測設備與高頻特殊應用外，磷化銦PIN/APD晶片已有多家美、日客戶認證完成進入量產，估計將對營收成長有較大貢獻。

評析
IET-KY的產品正值產業快速發展趨勢，技術上擁有多項未來明星產品，在市場上有絕佳戰略位置。

李泰宏│理財周刊814期│2016-04-01

隨著美國高速公路交通安全局與高速公路安全保險協會(IIHS)兩大機構與主要車廠達成協議，二○二二年九月一日後上市的新車必須全數加裝前方撞擊預警系統與自動緊急煞車系統(Autonomous Emergency Braking, AEB)，以避免因為駕駛人分心而追撞前方減速車輛，法人指出，包括明泰(3380)、啟碁(6285)、原相(3227)、聯傑(3094)、F-IET(4971)等廠商相關產品營收貢獻將逐步提升，成為獲利重要來源。

法人表示，物聯網是支撐近來網通股價表現最重要的話題之一，車聯網更是其中相當被看好的領域，然而就車聯網的層次來看，屬於門檻較高的產業，相關的聯網設備想要通過車廠認證，往往需要很長一段時間，在技術水準、時間及安全要求等成本都相對較高之下，廠商若能順利打入供應鏈，營運表現也相當值得期待。根據研調機構拓墣指出，隨著車載資通訊系統不斷推陳出新，後續會有更多車款會將車聯網系統納入基本配備，預估到二○二○年全球聯網車比例將高達七五％

無人駕駛 汽車電子智慧化發展

TrendForce旗下拓墣產業研究所車輛電子分析師張仙平表示，在無人駕駛／自動駕駛車輛與新能源車的趨勢帶動下，車輛產業將朝零污染與智慧化發展，結合新的感測技術也使未來汽車行車資訊輸出與輸入介面與傳統汽車迥異，提升汽車電子化的程度，其中國際車廠以更貼近現實需求的高度駕駛輔助系統，結合新能源車作為新一代車輛開發主軸，進一步與半導體廠商密切合作，以及推出造型新穎的概念車，同時強調自動駕駛功能，都是推升汽車防撞雷達的重要需求。

張仙平表示，各大國際車廠在無人駕駛／自動駕駛車的實現已轉變為更加實際的功能，如在使用者介面上提供更加方便直覺的使用體驗，間接帶動螢幕在車輛上的應用需求，未來車用螢幕將朝向數量更多、尺寸更大的方向發展。另外，處理器能力提升讓畫面處理更加精緻，也使駕駛人更加信任無人駕駛功能，如Nvidia發布針對自動駕駛的超級電腦與整體解決方案，大幅提升GPU效能，搭配雲端運算提供更加精確的駕駛資訊及預測。

法人指出，AEB系統是透過車頭前方的毫米波雷達，結合影像感測器，有效掌握車輛與前車，或是其他行進方向上的交通狀況，一旦系統預測可能會有狀況時，就會先行以聲響、警示燈號等方式，提醒駕駛人留意並減速，如果駕駛人未做出反應，系統則會主動介入強制煞車。

惡劣天候 催生防撞雷達需求

其中推動防撞雷達需求的起源，則是美國在二○一五年發生超強暴風雪，使得美國東北部交通大亂，引發嚴重的連環車禍，讓汽車主、被動安全防護機制成為產業關注焦點。此外，隨著人口老化，汽車也必須因應高齡化造成行動不便的代步需求或操作模式做些改變，新應用出現，都讓車用防撞雷達需求有增無減。

產業人士指出，兩年多前，汽車防撞警示系統的大部分應用都還在測試階段，不過隨著各家車用電子廠陸續投入，在主動防撞設計系統部分，不僅高階新車款已配備主動防撞系統，就連平價車種也開始搭載。防撞雷達是行車輔助系統的重要一環，目前市場開發方向以24GHz頻段為主流，並搭配不同的天線設計在不同的使用環境條件下使用，偵測距離最遠可達一百公尺以上。

同時為了能符合創新、節能及智慧化等需求，近年汽車安全的開發概念，已逐漸演進到主動偵測、提前預警並避免車輛碰撞事故，亦即強調「主動安全」的先進駕駛輔助系統，以達到防撞目的，主要內容包括車體前方／後方側邊碰撞預警(FCW)和緩解(Side Pre-Crash Detection)、車道偏離示警(LDW)、盲點偵測(BSD)、後方路口交通警示系統(RCTA)、駕駛疲勞警示和自動煞車控制等。

明泰訂單看到六月 今年拚虧轉盈

網通廠明泰二○一五年第四季稅後純損○．二六元，低於法人預期，主要是毛利率驟降且業外匯損，法人預估，儘管明泰今年第一季恐怕仍無法擺脫虧損狀況，不過公司態度相當積極，對於今年力拚獲利轉盈仍相當有信心。明泰董事長李中旺表示，技術是明泰的強項，不過正因如此，也讓公司營運成也技術、敗也技術，因此近年將重心擺在行銷業務面。

明泰的車用防撞雷達產品主要分為三類，目前有效範圍約五十公尺的24GHz防撞雷達已經在交貨中，有效範圍約二百公尺的77GHz防撞雷達在開發中，另外應用在無人機、停車輔助的24GHz低成本慢速移動防撞雷達則是在進行測試中。李中旺指出，防撞雷達透過雷達感測器，加上監控系統，就能讓機器視覺變完整。明泰車用雷達產品已交貨給美國大型露營車應用，一台車要導入六個雷達，去年出貨約約一千多台的用量，目前每月單月出貨已超過二千台。

對於景氣狀況，明泰總經理林裕欽表示，目前訂單能見度可以看到六月，換言之，能見度約一季，根據歷史經驗，每年七月到九月的訂單狀況都是全年最穩定的月份，但今年狀況還要再觀察。

法人推估，第一季因為是傳統淡季，因此明泰單季營收恐較二○一五年第四季下滑一○％，毛利率則可望逆勢成長○．八個百分點，加上匯損狀況應可趨緩，預估明泰第一季雖然仍將虧損，不過每股稅後純損將縮小到○．○八元。除了車用防撞雷達外，明泰今年的重點目標還有交換器、家庭智能無線閘道器、智慧家庭中心監控系統、家庭高速WiFi骨幹網路等。

啟碁車用營收占比明年突破三成

網通廠啟碁專注於無線通訊產品之應用，產品部門分為六大範疇，包括衛星直播系統、機上盒、汽車數位產品、手機通訊、及天線等。啟碁在汽車防撞雷達已布局許久，主要發展24GHz防撞雷達產品，日前啟碁購入友達(2409)舊廠，就要針對北美一線車廠車聯網長單的產線擴充使用，防撞雷達新產品近期亦獲得日本一線客戶訂單，預估啟碁車用營收占比今年將達二七％，明年將突破三○％。

法人指出，啟碁有智慧家庭聯網、汽車電子產品及智慧電網三大產品線，展望今年，在智慧家庭聯網產品線以企業級Gateway閘道器訂單及汽車電子產品線成長動能持續強勁，包括Radio以及Wi-Fi、LTE、Bluetooth等傳輸系統和汽車防撞雷達持續成長，再加上智慧電網產品，法人預估，第一季營收將呈現淡季不淡，單季營收僅小幅季減八％，第二季營收恢復正成長，預估季增率六％，第三季營收就有機會挑戰新高水準。

整體來看，法人預期，啟碁今年營收仍可保持兩位數年增率，毛利率也將維持在一三％以上水準，稅後純益預估將年成長一○％，ＥＰＳ上看六．五元。

UMS唯一磊晶供應商 F-IET營收創高 

F-IET(英特磊)二月受惠磷化銦產品需求成長，月合併營收來到七六○七萬元，年增九．七％，月增六．三％，創歷年同期營收新高。

公司表示，砷化鎵pHEMT磊晶片因為下游產品多樣化，需求狀況並未明顯受到行動裝置的淡季影響，主要客戶拉貨穩定。

法人指出，英特磊的磊晶技術為分子束磊晶，與另一種MOCVD(金屬有機物化學氣相沉積)技術有所不同。值得注意的是，英特磊是汽車防撞雷達晶片商UMS唯一磊晶供應商，美國交通運輸部將緊急煞車系統列為新車標準配備，並獲全球十大車廠表態支持，汽車防撞雷達將成為安全基本配備。

一般來說，汽車供應鏈切入需要花三到五年時間，而UMS是汽車大廠主要的汽車雷達晶片供應商，全球市占率接近八○％，以英特磊是UMS唯一的GaAs磊晶片供應商的地位來看，受惠程度不言可喻。

原相CMOS影像感測器申請專利

ＩＣ設計廠原相二○一五年第四季自結ＥＰＳ○．五二元，優於法人預期的○．三元，主要是因為業外收益的匯兌利益及股利收入貢獻，其他數據，包括毛利率因產品組合、安防感測元件占比提升，較第三季微幅下滑○．七個百分點。

法人指出，原相第一季營收約較第四季下滑五％到一○％，因為主要產品，包括Mouse進入淡季，遊戲也明顯下滑，安控出貨略降，心跳量測則可望小幅成長，但對整體貢獻有限。

根據市調機構IC Insights預估，車用電子可望成為ＩＣ產業未來幾年成長最迅速的領域，儘管二○一五年車用電子於半導體ＩＣ占比只有八％，不過自二○一三到二○一八年，車用電子ＩＣ產值年平均複合成長率可望達到一○．八％，優於其他所有終端應用市場。

原相的車用感應器已應用在倒車攝影產品，開始小量出貨，儘管目前對營收的貢獻度仍不明顯，不過法人指出，由於原相與車廠合作開發，透過CMOS影像感測器及獨特的演算法，應用在於車道偏離警示及距離防撞警示等次系統，並提出專利申請，相關營運貢獻將隨著防撞雷達成為標準配備後明顯浮現。

聯傑跨入車用影像處理晶片

網通晶片廠聯傑二○一五年順利擴展電子紙市場，推升營運穩定成長，全年合併營收三．二八億元，年增率二％，稅後純益八四三四萬元，年增率一．三％，ＥＰＳ一．○一元。

聯傑是由有線通訊晶片跨入車用影像處理晶片，法人指出，儘管防撞雷達可以偵測車輛與障礙物距離遠近，但如果有影像，可以讓駕駛更精準掌握狀況，增加安全性。

理周小辭典 車用防撞雷達

防撞雷達主要是針對防碰撞技術，屬於先進駕駛輔助系統(ADAS)的一環，相關技術及產品在2015年CES大展中就出現，廠商紛紛將研發重點放在多重感測功能，其運作概念主要是透過二維感測辨識物體數量、距離、定位與行進方向等狀態，當感應器或雷達偵測器發現物體異狀，就會立即連通並啟動攝影機功能，動態調整智慧車運作參數，做出及時準確的行車反應。目前車用雷達技術以24GHz頻段為主，這類功能模組不僅具有判斷物體速度及距離的功能，同時也能判別物體方位，有益於行車環境的判斷。

不過，由於24GHz射頻技術除了掃描距離不夠長，頻寬也不夠，因此48GHz與77GHz汽車主動安全射頻技術順勢崛起。

另外，為了持續強化解析度及系統效能，未來除了繼續開發更高頻段的應用外，隨著需要傳輸處理的資料量愈來愈龐雜，導入多天線輸入輸出機制是必然的趨勢，同時，強化智慧車本身對資料運算功能也會是一大重點。

聯電股本2006年2月16日減資由1,979億元大降到現在1172 億元，海外地盤又不斷地擴張。

聯電的12吋晶圓廠

第一座位於台南的Fab 12A於2002年進入量產，目前已運用先進14及28奈米製程為生產客戶產品，目前產能超過75,000片/月。

第二座12吋廠Fab 12i位於新加坡白沙晶圓科技園區，目前產能達50,000片/月的水準。

第三座12吋晶圓廠位於中國廈門的聯芯，已於2016年11月開始量產，目前產能達50,000片/月。

第四座12吋晶圓廠合併日本三重富士通，2019/10/01完成購併，目前產能達30,000片/月。

據了解，日本三重富士通半導體月產能3.6萬片12吋晶圓，主要應用在車用、物聯網等，並以40、65奈米製程等成熟製程為生產主力。

另聯電的8吋晶圓廠聯電擁有的七座8吋廠與一座6吋廠

於2013年03月南科取得中國蘇州和艦科技8吋晶圓廠(持有和艦86.88%股權)

新竹6座8吋廠廠與1座6吋廠

廠房介紹

Wavetek (WTK)
製程： 3.5um - 0.45um
規劃產能：50,000 wafers/month
生產晶圓： 6"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan

Fab 8C
製程：0.35um - 0.11um
規劃產能：29,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan

Fab 8E
製程： 0.5um - 0.18um
規劃產能：35,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址：Hsin-Chu, Taiwan

HeJian 和艦
製程： 0.5 - 0.13um
規劃產能：50,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址：Suzhou, China

Fab 12i (12-inch Fab)
製程： 0.13um - 40nm
規劃產能： 45,000 wafers/month
生產晶圓： 12"
廠址： Singapore

聯華電子新加坡分公司(以下簡稱UMC-SG)擁有完善的12吋晶圓製造技術，利用當今最新技術與材料，如嵌入式DRAM、銅連接等提供優質產品以滿足顧客需求，在國際IC市場競爭中取得領先地位。

USCXM 聯芯
製程： 40nm - 28nm
規劃產能： 50,000 wafers/month
生產晶圓： 12"
廠址： Xiamen, China

Fab 8A
製程： 0.5um - 0.25um
規劃產能：70,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan

Fab 8D
製程： 0.13um - 90nm
規劃產能： 32,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan

Fab 8F
製程： 0.18 - 0.11um
規劃產能： 32,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan

Fab 12A (12-inch Fab)
製程：0.18 - 14nm
規劃產能： 82,000 wafers/month
生產晶圓： 12"
廠址： Tainan, Taiwan

先進12吋晶圓廠。位於台南的Fab 12A於2002年進入量產，目前已運用先進14及28奈米製程為生產客戶產品。

Fab 8S
製程： 0.18 - 0.11um
規劃產能： 25,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan