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AEB概念股  F-IET受惠磷化銦相關光電產品成長快速，砷化鎵產品新增汽車防撞雷達、5G高頻量測設備、車聯網、物聯網等附加價值高領域，增添公司營運長期成長潛力。

法人指出，車用零組件概念股熱度回溫，新車款加裝ADAS系統數量愈來愈多，F-IET是UMS磊晶策略合作夥伴，UMS更是提供全球80%汽車防撞系統磊晶片，隨著原廠客戶耕耘取得認證，今年有望新增客戶。

另外，2020年東京奧運將打造5G環境，從上游晶片、晶圓代工廠、關鍵零組件、中小型基地台等一連串5G供應鏈個股將可受惠，磷化銦出貨5G量預估今年業績額有望放大。

 

(一)公司簡介

 
1.沿革與背景
 
英特磊(IET)於2011年4月26日設立於開曼群島，公司營運主體設立於美國德州，採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，具有基板到磊晶的垂直整合技術能力，提供無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商用，以及太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品應用。
 
公司為全球磷化銦、銻化鎵磊晶片代工領導廠商。
 
2014年9月29日，公司宣布以600萬美元取得法國Soitec旗下的砷化鎵事業部，包含5台NBE機台及相關備品、耗材、量測設備等。
 
2.營業項目與產品結構
 
主要產品：GaAs pHEMTs（砷化鎵假型高電子遷移電晶體）、InP HBTs（磷化銦異質接面雙極電晶體）及銻化鎵(GaSb)紅外偵測器磊晶晶片。 

2016年產品比重為磷化銦磊晶片佔35%、砷化鎵磊晶片佔48%、銻化鎵佔10%。

公司近年光通訊訂單增加，主要成長動能來自於磷化銦，公司近年光通訊訂單增加，主要成長動能來自於磷化銦。砷化鎵主要產品pHEMT銷售集中在非行動裝置與汽車防撞雷達應用，磷化銦銷售成長的力道來自雲端科技與高速光纖網路傳輸。
 
(二)產品與競爭條件
 
1.產品與技術簡介

三五族化合物半導體
分類 細項 應用
二元化合物半導體 砷化鎵、磷化銦 高速通訊元件、光電元件
三元化合物半導體 砷化鋁鎵、磷化銦鎵、磷砷化鎵 紅外線偵測器、太陽能電池材料
四元化合物半導體 磷砷化銦鎵 光纖通訊上光源及偵測器、發光二極體
 
砷化鎵之電子遷移速率高，在1GHz以上高頻使用時雜訊低，元件尺寸小，因此適於通訊使用，且砷化鎵具抗輻射性，特適於衛星通訊。砷化鎵的操作溫度可達200℃，不易因高頻過熱而影響性能，穩定性佳。砷化鎵磊晶片可應用於手機所需之射頻開關（RF Switch）、高頻量測及光通訊元件、紅外線光電探測、熱感應及國防科技等領域。
 
砷化鎵依電晶體製程架構細分：異質介面雙極電晶體(HBT)、擬態高速移動電子電晶體(pHEMT)及金屬-半導體場效電晶體(MESFET)等，另有整合HBT與pHEMT製程為雙極場效電晶體(BiFET)技術。HBT多應用於功率放大器，pHEMT多應用於射頻開關。
 
磷化銦電特性比矽或砷化鎵優越，而磷化銦HBT比砷化鎵HBT具有更高的操作頻率及更高頻頻寬，主要應用於光纖通訊、光纖網路光源、光接收器等。
 
2.重要原物料及相關供應商
 
砷化鎵基板 Hitachi(Marubeni)、Sumitomo、Freiberger Compound Materials、American Xtal Technology等。
 
磷化銦基板 JX Nippon Mining & Metals USA Inc.、American Xtal Technology、Sumitomo等。
 
III-V 族元素材料：UMC, 5N Plus (MCP), Indium Corp.。
 
3.產能狀況與生產能力
 
公司生產基地位於美國德州，2012年產能狀況：砷化鎵達8200萬片/年、磷化銦720萬片/年、其他(含銻化鎵)240萬片/年。

截至2014年底，公司原有產能為MBE 8台，於併購Soitec後取得5台，以及購得Skyworks 5台，總計有18台，2015年Q2起陸續投入生產，2015年總產能將成長近4成。

2015年，公司已在美國德州取得土地籌建新廠，預計2016年8月完工。

4.新產品規劃

砷化鎵磊晶片：持續研發高端高速產品，包括汽車防撞雷達、大於40G的高速光纖、通訊、衛星通訊晶片等產品。

磷化銦磊晶片：拓展光電晶片，應用於資料中心、雲端運算市場。

銻化鎵磊晶片：為擴大紅外產品領域，開發、生產其他三五族及二四族化合物半導體基板原料。
 
(三)市場需求與銷售競爭
 
1.產業結構與供需
 
化合物半導體磊晶長晶方式有化學氣相沉積法(MOCVD)與分子束磊晶法(MBE)，其中MBE 技術發展較早，在磊晶的過程中厚度的控制較為精確，但缺點是均勻度較難掌握；而MOCVD技術則有利於大量生產，但在控制厚度上卻較為不易。
 
MOCVD 適合生產HBT元件，而MBE 技術則大多生產pHEMT元件；MOCVD 生產磊晶的地區主要集中在日本，而 MBE生產方式主要地區則以北美為主。
 
2.銷售狀況
 
按銷售地區：2015年銷售區域比重為北美洲佔83%、亞洲佔5%、歐洲佔12%。
 
公司佔商用MBE磊晶片市佔統計量20%比重；而InP HBT磊晶片市場，公司與競爭對手IQE 幾乎全包所有商用訂單。
 
客戶涵蓋美商安捷倫(Agilent)、Qorvo、射頻元件廠Skyworks、TriQuint，以及代工廠穩懋、宏捷科、韓廠Samsung、日本光電元件廠住友(Sumitomo)與三菱(Mistubishi)等，同時也與美國太空總署NASA合作，供應太空應用等級的銻化鎵磊晶，磷化銦磊晶客戶為Keysight Technologies，終端應用為高頻量測儀器，公司與Keysight於2012年起簽訂5年的獨家供貨合約。

2014年2月，與美國國防部簽署合約，供應銻化鎵紅外線（Infrared或IR）磊晶片，用於強化國防設備。
 
受惠與法國Soitec合併案成功，公司獲得汽車防撞晶片大廠的UMS訂單，汽車相關應用佔比提升至約20%，UMS為BMW、Audi、賓士等歐系高級車廠供應商，並為與Tesla計畫合作自駕車系統Mobileye主要客戶。

近年砷化鎵產品主要客戶訂單由手機應用轉變為非手機應用，並收購Skyworks非手機應用砷化鎵製造機台，Skyworks砷化鎵非手機應用，將交由公司代工。2014年砷化鎵磊晶片總銷售比重由 2013 年的 35.1%提高到 46.7%。

2015年公司獲得全球Skyworks、安捷倫等大廠指定為獨家MBE砷化鎵磊晶片供應商。磷化銦磊晶產品並獲得Agilent 5G量測訂單。

銷售獲利水準方面，磷化銦、銻化鎵的毛利率在50%、70%不等，而砷化鎵磊晶片用在手機上的產品毛利率為15~20%，若是用在防撞雷達上則有50%。

2015年公司布局CTZ基板新品，因獲得政府合約，順利打入紅外線高端市場。

公司是市場上少數的MBE製程磊晶片供應商，在轉型後，目前產品已無應用在手機領域。2015年公司主要成長動能來自Skywork的分子束磊晶代工，以及UMS的汽車防撞雷達產品。

磷化銦(InP)產品近年著重於光電產品之應用，如光偵測器(PIN 及APD)，其中PIN應用已於2015年Q3開始出貨，APD產品規劃2016年Q3可量產出貨。
 
3.國內外競爭廠商
 
國內外III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產業者包括：Kopin、IQE、Soitec、Hitachi Cable、全新光電、台灣高平磊晶、巨鎵科技、翔合等。
 
以MBE技術而言，全球僅存兩家專業MBE 磊晶代工廠︰ IQE 及英特磊。
 
四、財務相關
 
1.轉投資
 
子公司IntelliEPI-IR在銻化鎵(GaSb) T2SLS 第二型紅外線偵測器產品，是唯一以美國為基地，並獲得美國國防部（DOD）、能源部（DOE）、及太空總署（NASA）支持的小型公司，主要開發新磊晶結構、磊晶成長技術、及分子束磊晶機台硬體優化。

2.合作

2013年12月，與法國磊晶廠Soitec簽訂合作協議，內容包括Soitec對F-IET的技術授權，成為Soitec主要客戶的第2供應商，擴展市佔率。

3.募資

2014年5月8日，宣布將募資3億元可轉債，用於擴產美國生產中心高毛利產品
 
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