星星愛的傳說

2019-10-24 自立晚報記者柯安聰台北報導

兆勁科技9月營收達1.36億元，較去年同期的8597萬元，大幅成長58.22%，雖然9月營收受中秋連續假期跟月底颱風假影響下，使得部分產品出貨遞延至10月。

兆勁歷史單月營收新高為1.53億元，公司已從今年7月開始，營收已連續2個月創歷史單月新高，隨著10月開始在電子網通產業旺季效應帶動，並配合五大新業務業績挹住下，公司營收將有望回復創新高趨勢。

兆勁今年第3季單季營收達4.52億，已創單季營收歷史新高，較去年第3季的2.24億，大幅成長101.83%，亦較第2季的3.52億，成長28.43%。由於在單季營收創歷史新高下，兆勁第3季單季公司營運亦將有機會轉虧為盈，擺脫過去近2年來營運虧損狀況。

兆勁在新經營團隊努力改變健全公司體質下，目前公司已分有：先進雷射晶片（VCSEL Chip）、先進晶圓材料（Advancesd Wafer）、記憶體事業（Memory Testing &Production）、物聯網應用事業（LoT Application）、先進精密製造事業、網通製造事業等五大事業部門。

在這五大事業部營運業績，逐步轉型成功帶動下，兆勁營運自今年第3季開始已正式進入高成長階段。（自立電子報2019/10/23）

2019-09-23 經濟日報 記者李孟珊／台北報導

LED廠光磊近幾年（2340）積極朝向感測元件產品發展，耳機用感測元件亦通過認證，外傳為新一代AirPods耳機的訂單，法人推估，AirPods出貨量將由今年的5,000萬至5,500萬組，成長到明年7,000萬 8,000萬組。

光磊昨（23）日為減資15%後首日恢復交易，盤中股價最高來到26.65元，終場收26.60元，上漲5.77%。

光磊過去二、三年來積極朝向感測元件產品發展，感測元件自去年以來占營收比重就已達到約五成左右；在接單方面，目前已成功打入蘋果Apple Watch供應鏈，耳機用感測元件亦通過認證。

光磊感測元件產品供應領域從手表、手環，延伸到TWS無線藍牙耳機，目前在全球智慧手表感測元件市占率達85%，應用面擴大，單月產能已提升到35億顆。

光磊在完成現金減資後，前景看俏，昨天股價跳空勁揚逾5%，上攻至26.65元，挑戰今年4月24日27.15元前波高點。

外資和國內自營昨天也同步敲進，其中外資買進181張、自營買超294張，累計三大法人合計買超397張。

光磊今年8月營收5.37億元、月增5.49%、年增11.4%，累計今年前八月營收36.3億元，年減1.5%；在現金減資、調整資本結構下，法人推估，光磊今年全年每股純益可達1.9元，優於去年的1.47元。

光磊(2340)搭上 TWS 題材

外資買超堅定，股價站上頸線

在 TWS 持續發展的背景下

光磊(2340)的營運版圖也開始跨入無線藍芽耳機

穿戴需求持續攀高令光磊(2340) 2018 年擴產

提升感測元件月產量至 30 億顆/月

市場傳出已打入第三代 Airpods 的利多消息

在 2019 的營運重心持續移往感測元件

光磊(2340)決定再擴產兩成

月產能將有望從 30 億顆提升至 35 億顆

(光磊表示，雖然LED市場供過於求，不過近兩年感測元件的產能利用率都處於滿載，去年已小規模擴產1成、今年再投入4億元擴產2成，主要生產車用及穿戴裝置感測器，新增產能將於第3季起陸續投產。)

並由於產品毛利較高，占比提升有助改善獲利結構

第三代 Airpods 即將發布有望於後續放量

令 2H19 整體獲利有望持續提升

但應留意 9/11~20 由於減資將暫停交易

並於 9/23 上市新股，本次減資返還現金 1.5 元/股

(一) 公司簡介
 
1.沿革與背景
 
光磊(2340.TW)成立於1983年12月21日，總部位於新竹科學園區，為台灣一家LED晶粒製造商。1995年5月2日於台灣證交所掛牌上市。
 
2.營業項目與產品結構
 
公司業務涵蓋LED晶粒製造、LED封裝及LED應用三大塊，其中又以LED晶粒為核心產品。

 2017H1營收比重為：發光元件33.7%、二極體/電晶體等感測元件42%、系統產品23.9%、封裝產品0.4%。

公司產品項目如下：

 
資料來源：光磊

3.產能狀況與生產能力
 
公司擁有兩座工廠，分別為大陸蘇州廠及寧波廠。

2016年產能為：發光元件310億個、感測元件288億個、封裝產品620百萬個。

光磊擁有的MOCVD機台數量不多，受藍光LED價格衝擊程度較小，法人憂心大陸LED廠採用國產MOCVD設備，藍光LED價格恐再受到擠壓，對此光磊表示，大陸自製MOCVD在政府支持下，陸續導入設備，但成熟度不足，實際狀況還要再觀察，光磊自身MOCVD產能不大，會選擇利基市場經營差異化產品，降低低價競爭與威脅。

LED切入VSCEL領域 光磊業績添動能

2017-11-23 經濟日報/記者劉怡妤/即時報導

預期台廠轉型方向除了先前的不可見光IR（紅外線）、UV（紫外線）之外，陸續開發VCSEL、Mini LED、Micro LED新技術。

據研究機構拆解iPhone X後成本分析，預估整顆Face ID系統模組成本為4.5美元，而VCSEL發光器成本比重最高為2-2.5美元；由於市場興起加上價格優於LED藍光照明領域，使得法人機構看好LED廠轉入VCSEL生產代工，有望增添營運新動能，另外，受惠消費性辨識應用外，VCSEL可用於資料中心（Data center）光電傳輸，台廠預期資訊傳輸應用價格有望較消費應用佳。

光磊、晶電均投入VCSEL技術與產品開發，晶電表示，目前進行產品與製程客戶端認證，可望陸續取得認證，明年供應客戶代工服務，看好VCSEL需求增長加上價格遠優於藍光LED殺價競爭，明年營運維持透過產品組合優化，切入利基市場應用，避開競爭同業產能增加對於市場的衝擊。

光磊已完成小功率VCSEL產品開發並已送樣客戶，小功率主要用於消費性等低功率市場，規劃年底完成大功率產品開發，並於明年初進行客戶送樣。

擴充10%產能投入車載、穿戴、紅外線應用。2017-08-24

光磊已完成小功率VCSEL產品開發並已送樣客戶，小功率主要用於消費性等低功率市場，規劃年底完成大功率產品開發，並於明年初進行客戶送樣。2017-11-23

(一) 公司簡介

1.沿革與背景

光磊(2340.TW)成立於1983年12月21日，總部位於新竹科學園區，為台灣一家LED晶粒製造商。1995年5月2日於台灣證交所掛牌上市。

2.營業項目與產品結構

公司業務涵蓋LED晶粒製造、LED封裝及LED應用三大塊，其中又以LED晶粒為核心產品。

2017H1營收比重為：發光元件33.7%、二極體/電晶體等感測元件42%、系統產品23.9%、封裝產品0.4%。

公司產品項目如下：

資料來源：光晶

(二) 產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

公司以先進的LED製程技術，長期與日商日亞化學(Nichia)及日立金屬(Hitachi Metals)策略聯盟，開發一系列LED產品，其中與日亞化共同建立合作平台，取得日亞化具專利權材料，生產出藍光LED磊晶粒；與日立則為合作開發全系列四元LED產品。

1996年自日本引進矽磊技術，結合公司原有的矽電技術與資源，成功開發出檢光二極體晶粒、檢光電晶體晶粒、光閘流體晶粒、接面場效電晶體晶粒、MOS場效電晶體晶粒、稽納二極體晶粒、蕭特基二極體晶粒及晶粒電阻等產品。

其中，具環境光感測功能的半導體元件晶粒主要應用於車用市場；雙向垂直結構高電壓稽納二極體為LED照明與背光元件；具備高浪湧電流衝擊防護能力的光閘流體則應用於AC控制元件。

而光電產品部份，公司因應客戶不同需求，生產具GaP(紅色、黃綠、標準綠、純綠)、VPE(紅色、橘色、淡橘色、黃色)、AlGaAs(SH, DH, DDH)、IR(紅外線發光二極體)、AlGaInP(紅色、橘色、黃色、黃綠色、純綠)、InGaN(綠色、青藍、藍色、紫色)等二極體晶粒產品。另外，還結合氮化鎵藍光覆晶晶粒、Zener Diode覆晶晶粒技術，配合開發之覆晶共晶封裝等關鍵技術，開發MOCVD可見光及不可見光高(綠色、藍色)功率封裝產品。

系統產品方面，為響應環保概念，公司藉由自身晶粒製程技術與節能專利技術，導入一系列如：P3小間距顯示屏、全彩顯示屏及照明等系統產品。

其中，公司於2014年發表的P3小間距顯示屏，已獲專利認證，主要應用於室內商用照明，其特色與一般產品相比，晶片亮度提升50%以上，還可隨客戶要求做出彎曲面(Curved)、直角接縫小等設計，加上高效率LED使用與特殊IC及線路設計，可降低產品約30%能源熱能，延長LED顯示屏壽命，快速拆裝與維修設計，還可降低人力工時及成本。

全彩顯示屏部份，則以各16位元的紅、綠、藍色階，達到最佳化的珈瑪曲線，使顯示屏色彩分布細膩生動，克服低階色彩亮度的閃爍與干擾效應，讓畫面更加清晰，呈現出超高品質影像。

而路燈、投射燈、天井燈、T8、LED燈、崁燈等照明產品，採用模組化設計使產品拆卸方便，其獨特的散熱技術，則可快速降低光學模組所產生的熱源，搭配優良電源模組，轉換效率可高達90%以上。

2.重要原物料及相關供應商南

公司LED系列產品主要原料皆向日本、韓國、台灣、德國等廠商採購，其上游原料包括：

 
3.產能狀況與生產能力

公司擁有兩座工廠，分別為大陸蘇州廠及寧波廠。

2016年產能為：發光元件310億個、感測元件288億個、封裝產品620百萬個。

(三) 市場需求與銷售競爭

1.產業結構與供需
 
國內LED產業採垂直分工方式生產，主要產品為上游磊晶成長(Epitaxy)、中游晶粒製作(Chip)及下游封裝(Packing)三個階段。上游是先從單晶片作為成長用的基板，再利用各種磊晶成長法（如LPE、MOCVD、MBE 等）長成多層不同厚度之多元材料薄膜，中游則依LED 元件結構之需求，先進行金屬蒸鍍，然後在磊晶片上透過光罩蝕刻及熱處理而製作LED 兩端的金屬電極，經過基板磨薄、拋光後切割為LED 晶粒，下游則使用封裝技術將晶粒封裝成LED 成品，依各種市場需求包裝成各種應用產品，提供給各類應用市場使用。

根據LEDinside表示，由於全球LED照明起飛，預估2014年全球LED產值將達178億美元，整體LED照明產品出貨量可達13.2億只，較2013年成長68%。

2.銷售狀況

2016年產品銷售地區佔比為：東南亞43%、台灣35%、美洲8%、東北亞8%、歐洲4%、其他地區1%。
 
3.國內外競爭廠商

LED晶粒主要競爭對手包括：Cree Inc、Rohm、Toyoda Gosei、Nichia、Osram、Philips Lumileds、LG Innotek、Semileds、晶電、光鋐、華上、新世紀、鼎元、璨圓、隆達等。

資料來源 : 光磊科技股份有限公司- 財經百科- 財經知識庫- MoneyDJ理財網

聯傑的IP STB晶片已成功卡位大陸數位家庭市場，至於正在開發IP STB整合型系統單晶片，下半年可開始送樣，明年在大陸IP STB市場占有率將會有明顯提升。

嵌入式網路晶片廠聯傑（3094）高速銅線／光纖晶片獲得大陸電信設備廠青睞，順利打進三大電信公司4G基地台及基礎建設標案。同時，聯傑也宣布將推出針對血壓計及血糖儀（Glucose Meter）等醫療相關設備系統單晶片。

公司於2014年8月15日宣布，推出新一代SoC及電子紙驅動IC產品，其中SoC產品應用於血壓計、血糖儀等醫療設備，而電子紙驅動IC產品用於可視卡、電子標籤及電子看板等產品。

SoC產品應用於血壓計、血糖儀等醫療設備。郝挺強調，未來包括心跳感測、血氧偵測、攝影機、GPS、陀螺儀等感測IC、藍芽、WIFI等傳輸IC及雲端儲存控制IC市場需求將全面成長，提供國內IC設計廠商全新的機會。

電子紙驅動IC產品用於可視卡、電子標籤及電子看板等產品。聯傑也推出電子紙驅動IC，強攻大陸需求正強勁爆發的電子標籤、電子看板、可視卡（Visual Card）等物聯網應用市場，全面卡位物聯網商機。

IC設計廠聯傑（3094）近年來強攻車用電子市場，在先前成功打入歐洲汽車大廠的重型車輛採用後，現在車用環景影像系統（AVMS）將持續進攻中國大陸汽車市場，現在已經成功卡位後裝市場，今年有機會進軍房車前裝市場。

2017年11月27日 工商時報/蘇嘉維/台北報導

隨著無人商店市場逐步火熱，切入電子標籤市場的廠商也將可雨露均霑。老字號IC設計廠聯傑（3094）自去年推出斷碼式的電子標籤產品後，今年已經成功打入電子貨價標籤及銀行金融卡等市場，今年再度亮出點陣式產品，準備在明年開始強襲歐美陸三大市場的電子標籤領域。

今年由全球最大零售商沃爾瑪（Walmart）率先在貨架上採用電子標籤後，引起中法韓等商店業者跟進採用，中國大陸最大電商阿里巴巴更進一步讓商店無人化，透過電子標籤即時更新價格，省去更換標籤的人力成本，現在台灣最大超商龍頭統一也計畫在台灣設立無人商店。

聯傑在近幾年就提前看見商機，並與電子紙大廠元太攜手開發電子標籤產品，於去年率先推出斷碼式產品，並打入到台鐵一卡通電子紙供應鏈，目前正在穩定出貨當中。不僅如此，聯傑今年也開始針對電子貨價標籤市場開始出貨，同時還打入銀行金融卡市場，帶動營運穩定向上。

聯傑更於今年加碼推出點陣式產品，該產品由於可顯示圖案較為多樣化，產品單價也相對較高，將有機會在未來無人商店市場拿下更多訂單，並同時擴充金融智慧卡及電子標籤等應用。

聯傑近幾年以來由於乙太市場趨於穩定，營運狀況較為平穩，不過，聯傑今年也宣誓，將以乙太網路為核心，發展出高效能、省電、工業級及多樣化介面的產品，目標是打入智慧電網、智慧家居、醫療、安全監控、車用、工業控制及物聯網等市場，

聯傑今年仍不斷深耕中國大陸及歐美市場，同時積極拓展特定市場，藉以提升市場占有率，並提高國際知名度。聯傑今年前3季合併營收2.36億元，稅後淨利0.44億元，每股淨利0.53元。

(工商時報)

2019/03/18 時報資訊/張漢綺

華晶科(3059)攜手國際大廠-高通、微軟、亞馬遜，搶攻邊緣視覺AI及3D感測解決方案，今年正式進入收割期，華晶科預估，今年非傳統相機及手機解決方案佔營收比重可望上看40%，帶動公司毛利率回升，今年獲利可期，公司也將辦理私募國內或海外轉換公司債，預計不超過6000萬股，華晶科表示，公司將透過私募引進策略夥伴。

看好邊緣視覺AI將帶動大量市場需求，華晶科深耕多年，獲得國際大廠肯定，包括：與高通共同開發搭載QCS603晶片組的商用安控IP攝影機，可快速辨識區域內的人與物，更可支援亞馬遜雲端AmazonKVS服務，使用者能在高效安全的雲端後台處理模式下，輕鬆擷取、處理和存放影片串流以進行分析和機器學習；此外，華晶科也支援微軟Azure IoT Edge，並為微軟開發Vision AI developer kit，結合高通Qualcomm AI Engine，強化Azure機器學習服務及提供超高解析度影像品質，優化各種應用上需要的邊緣視覺AI處理能力，與國際大廠共同開發邊緣AI安控系統、智能視覺辨識等創新軟硬體服務，提升零售、製造、工廠與居家等場所的安控環境等產品均已開出貨，今年正式進入收割期。

在人臉辨識部分，華晶科與訊連科技合作AI臉部辨識，由於華晶科3D深度晶片AL 6100結合紅外線結構光，大幅提升影像深度品質及運算速度，能在各種環境與光源下發揮極佳效果的人臉防衛偵測功能；此外，3D感測解決方案可運用於AR/VR與機器人常用的功能，例如：手勢辨識、SLAM、避障功能等。

華晶科2018年合併營收為111.93億元，營業毛利為13.18億元，合併毛利率為11.78%，稅後盈餘為1.3億元，每股盈餘為0.48元，公司董事會決議每股配息0.5元。

華晶科也將辦理私募國內或海外可轉換公司債，預計不超過6000萬股，華晶科表示，公司將透過私募案，引進策略夥伴，並投資數位影像相關設備及技術、拓展市場及充實營運資金、償還借款及強化財務結構，預計可強化公司競爭力、提升營運效能及增進股東權益。

華晶科表示，AI監控相關安控系統及3D感測模組是今年成長重點，醫療產品部分，人工胰臟可望在今年取得美國FED許可，可拋棄式內視鏡今年出貨亦可望放量，今年可說是公司轉型進入收割期的開始。

就去年營收來看，車用及傳統相機佔營收比重約20%，手機及ISPD(影像解決處理方案)約佔42%，醫療約佔14%，其他約佔24%，今年醫療產品佔比可望拉升到20%，非傳統相機及手機鏡頭佔比可望拉升到40%，帶動公司今年毛利率優於去年。

(時報資訊)

https://www.xvideos.com/video46501729/sexy_blonde_milf_with_big_tits_loves_anal_sex

2019-07-29 23:26經濟日報 記者劉芳妙／台北報導

華晶科（3059）醫療事業人工胰臟開發完成後，已出貨歐洲市場，目前正申請美國美國食品藥品監督管理局（FDA）認證，若是順利於年底前通過，有望為業績注入新動能。

華晶科來自手機業務新案有望於本季底出貨，在手機及醫療雙引擎帶動下，華晶科下半年營運漸入佳境，有望優於上半年。

華晶科6月營收達4.83億元，月減3.5%，年減62.7%，累計今年上半年營收32.2億元，年減44%，上半年營收表現失色，主要因處於新舊產品交替，華晶科重新調整產品組合所致。華晶科昨（29）日股價收25.15元，下跌0.3元，外資法人反手賣超321張。

華晶科近年來持續轉型升級，跨足邊緣視覺AI、3D感測技術及雙鏡頭模組等解決方案，由傳統相機組裝代工廠轉型為數位影像解決方案大廠，依首季營收結構，相機相關業務營收占比18%，手機晶片ISP等業務占約9%，醫療相關產品占比拉高至39%，估計上季營收結構與首季相當，醫療產品成上半年獲利主要來源。

華晶科切入醫療布局投入逾十年，逐步開花結果，主要客戶為歐洲羅氏藥廠，主要產品為血糖機，同時開發出針對肺鏡及咽喉鏡的拋棄式微型鏡頭，出貨丹麥客戶，人工胰臟開發完成後已出貨，主攻歐洲市場，目前正向FDA申請認證，一旦在年底前通過，有望為業績注入新動能。

華晶科在今年股東會通過辦理私募國內或海外轉換公司債，預計不超過6,000萬股，透過私募案引進策略夥伴，預計可強化競爭力。

2015/05/26 工商時報/楊曉芳、 涂志豪

搭上電動車特斯拉（Tesla）概念的類比IC廠富鼎（8261）昨（25）日召開股東常會，通過配發0.4元現金股利，以及5.5元現金減資案。富鼎今年除了受惠於日本瑞薩（Renesas）退出PC低電壓金氧半場效電晶體（MOSFET）的轉單效應，絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）也正式量產出貨，未來可望打進電動車市場成為關鍵零組件供應商。

富鼎去年順利由虧轉盈，並持續進行企業體質調整，第1季合併營收4.29億元，稅後淨利0.49億元，每股淨利0.27元，符合市場預期。由於手上的約當現金足夠，昨日股東常會中除了通過每股將配發0.4元現金股利，也順利通過現金資減案，今年9月底前將完成55％現金減資，相當於每股退還股東每股5.5元。

富鼎今年最大的營運亮點，在於成功完成IGBT元件開發並量產出貨。富鼎董事長鄧富吉昨日表示，IGBT元件短期內以小家電為主要市場，至於汽車市場仍待驗證中。

事實上，過去只有高階家電會用到的IGBT元件，因為節能減碳已經成為市場主流，省電的變頻家電需求暢旺，IGBT就扮演重要角色。

晨星半導體的類比IC技術團隊去年加入富鼎後，富鼎長期朝向電動車市場發展，雖然車廠驗證需要時間，但由於引入台灣IC設計界的超強技術戰隊，而且多年一直是鴻海集團多項產品的MOSFET供應廠，因此富鼎的產品規劃藍圖已跟上鴻海有意經營的車聯網的市場，在台灣IC設計業內更被視為最有機會以類比IC攻入國際車廠的特斯拉概念股。

此外，日本瑞薩2013年底退出PC低電壓MOSFET市場後，去年轉單效應不太明顯，但今年因為英特爾14奈米Broadwell及Skylake處理器的電源架構需要更多MOSFET元件，所以鄧富吉表示，瑞薩的轉單效益已經愈來愈明顯，富鼎非常關注這塊市場，將會以在這塊市場取得更大的市占為目標。

富鼎經過去年的私募、改組後，績效已經很明顯提升，鄧富吉表示，對今年營運展望樂觀，今年的新品效益會慢慢顯現出來，成長力道會在明年爆發出現。

法人表示，富鼎的中高階產品第2季比重拉升，營收及獲利將會明顯優於第1季，下半年傳統旺季的需求會更為強勁，預估今年每股淨利有機會上看1.2～1.3元。

https://www.xvideos.com/video17684289/real_milf_getting_laid

絕緣柵雙極電晶體（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導體器件的一種，主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。傳統的BJT導通電阻小，但是驅動電流大，而MOSFET的導通電阻大，卻有著驅動電流小的優點。IGBT正是結合了這兩者的優點：不僅驅動電流小，導通電阻也很低。

構造

這種電晶體結合了金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）的高電流單柵控制特性及雙極性電晶體的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件裡，會透過把一個隔離的場效應電晶體（FET）結合，作為其控制輸入，並以雙極性電晶體作開關。

用途和特徵

絕緣柵雙極電晶體其基本包裝為三個端點的功率級半導體元件，其特點為高效率及切換速度快，為改善功率級BJT運作的工作狀況而誕生。

IGBT結合了場效電晶體閘極易驅動的特性與雙極性電晶體耐高電流與低導通電壓壓降特性，IGBT通常用於中高容量功率場合，如切換式電源供應器、馬達控制與電磁爐。大型的IGBT模組應用於數百安培與六千伏特的電力系統領域，其模組內部包含數個單一IGBT元件與保護電路。

IGBT為近數十年發明產物，第一代IGBT產品於1980年代與1990年初期，但其切換速度不快且開關截止時易產生拴鎖現象與二次崩潰現象，第二代IGBT產品便有很大的進展，第三代IGBT產品為目前主流，其切換速度直逼功率級MOSFET的速度並且在電壓電流容量上有很大的進步。

原理

IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由於實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特徵，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高耐壓的器件上，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，並簡化IGBT驅動器的原理圖。

導通

IGBT矽片的結構與功率MOSFET的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+基片和一個N+緩衝層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。如等效電路圖所示(圖1)，其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件。基片的應用在管體的P+和N+區之間創建了一個J1結。 當正柵偏壓使閘極下面反演P基區時，一個N通道形成，同時出現一個電子流，並完全按照功 MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在0.7V範圍內，那麼，J1將處於正向偏壓，一些電洞注入N-區內，並調整陰陽極之間的電阻率，這種方式降低了功率導通的總損耗，並啟動了第二個電荷流。最後的結果是，在半導體層次內臨時出現兩種不同的電流拓撲：一個電子流(MOSFET 電流)；電洞電流(雙極)。

關斷

當在閘極施加一個負偏壓或柵壓低於門限值時，通道被禁止，沒有電洞注入N-區內。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始後，在N層內還存在少數的載流子(少子)。這種殘餘電流值(尾流)的降低，完全取決於關斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關，如摻雜質的數量和拓撲，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特徵尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導通問題，特別是在使用續流二極體的設備上，問題更加明顯。

鑑於尾流與少子的重組有關，尾流的電流值應與晶片的溫度、IC 和VCE密切相關的電洞移動性有密切的關係。因此，根據所達到的溫度，降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的。

阻斷與閂鎖

當集電極被施加一個反向電壓時， J1 就會受到反向偏壓控制，耗盡層則會向N-區擴展。因過多地降低這個層面的厚度，將無法取得一個有效的阻斷能力，所以，這個機制十分重要。另一方面，如果過大地增加這個區域尺寸，就會連續地提高壓降。 第二點清楚地說明了NPT器件的壓降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的壓降高的原因。

當閘極和發射極短接並在集電極端子施加一個正電壓時，P/N J3結受反向電壓控制。此時，仍然是由N漂移區中的耗盡層承受外部施加的電壓。

IGBT在集電極與發射極之間有一個寄生PNPN晶閘管，如圖1所示。在特殊條件下，這種寄生器件會導通。這種現象會使集電極與發射極之間的電流量增加，對等效MOSFET的控制能力降低，通常還會引起器件擊穿問題。晶閘管導通現象被稱為IGBT閂鎖，具體地說，這種缺陷的原因互不相同，與器件的狀態有密切關係。通常情況下，靜態和動態閂鎖有如下主要區別：

當晶閘管全部導通時，靜態閂鎖出現。 只在關斷時才會出現動態閂鎖。這一特殊現象嚴重地限制了安全操作區 。 為防止寄生NPN和PNP電晶體的有害現象，有必要採取以下措施： 防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別。 降低NPN和PNP電晶體的總電流增益。 此外，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結溫的關係也非常密切；在結溫和增益提高的情況下，P基區的電阻率會升高，破壞了整體特性。因此，器件製造商必須注意將集電極最大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例，通常比例為1：5。

應用範圍

電車之馬達驅動器、變頻冷氣、變頻冰箱，甚至是大瓦特輸出音響放大器的音源驅動元件。IGBT特點在於可以大功率場合可以快速做切換動作，因此通常應用方面都配合脈衝寬度調變（Pulse Width Modulation,PWM）與低通濾波器（Low-pass Filters）。

由於半導體元件技術的精進，半導體源料品質的提升，IGBT單價價格越來越便宜，其應用範圍更貼近家用產品範圍，不再只是高功率級的電力系統應用範疇，如電動車輛與混合動力車的馬達驅動器便是使用IGBT元件，豐田汽車第二代混合動力車Prius II 便使用50kw IGBT模組變頻器控制兩組交流馬達/發電機 以便與直流電池組作電力能量之間的轉換。

資料來源 : 絕緣柵雙極晶體管- 维基百科，自由的百科全书

生產製造。廠址位於新加坡白沙晶圓科技園區，目前產能達50,000片/月的水準。最新的12吋晶圓廠是位於中國廈門的聯芯廠，已於2016年第4季度開始量產。其總設計產能為50,000片/月。 聯華電子在亞洲地理區域多元選擇的製造服務，客戶可以分散其製造風險，同時仍在同一區域內的生產，更能確保聯電台灣總部最及時的工程支援。

聯電廠房介紹

1.Wavetek (WTK)
製程： 3.5um - 0.45um
規劃產能：50,000 wafers/month
生產晶圓： 6"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan

2.Fab 8A
製程： 0.5um - 0.25um
規劃產能：70,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan

3.Fab 8C
製程：0.35um - 0.11um
規劃產能：29,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan

4.Fab 8D
製程： 0.13um - 90nm
規劃產能： 32,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan

5.Fab 8E
製程： 0.5um - 0.18um
規劃產能：35,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址：Hsin-Chu, Taiwan

6.Fab 8F
製程： 0.18 - 0.11um
規劃產能： 32,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan

7.Fab 8S
製程： 0.18 - 0.11um
規劃產能： 25,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址： Hsin-Chu, Taiwan

8.HeJian
製程： 0.5 - 0.13um
規劃產能：50,000 wafers/month
生產晶圓： 8"
廠址：蘇州Suzhou, China

9.Fab 12A (12-inch Fab)
製程：0.18 - 14nm
規劃產能： 82,000 wafers/month
生產晶圓： 12"
廠址： Tainan, Taiwan

10.Fab 12i (12-inch Fab)
製程： 0.13um - 40nm
規劃產能： 45,000 wafers/month
生產晶圓： 12"
廠址： 新加坡Singapore

11.USCXM
製程： 40nm - 28nm
規劃產能： 50,000 wafers/month
生產晶圓： 12"
廠址： 厦門Xiamen, China