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聯電股本2006年2月16日減資由1,979億元大降到現在1172 億元,海外地盤又不斷地擴張

聯電12吋晶圓廠

第一座位於台南的Fab 12A於2002年進入量產,目前已運用先進14及28奈米製程為生產客戶產品,目前產能超過75,000片/月。

第二座12吋廠Fab 12i位於新加坡白沙晶圓科技園區,目前產能達50,000片/月的水準。

第三座12吋晶圓廠位於中國廈門的聯芯,已於2016年11月開始量產,目前產能達50,000片/月。

第四座12吋晶圓廠合併本三重富士通,2019/10/01完成購併目前產能達30,000片/月。

據了解,日本三重富士通半導體月產能3.6萬片12吋晶圓,主要應用在車用物聯網等,並以40、65奈米製程等成熟製程為生產主力

另聯電的8吋晶圓廠聯電擁有的七座8吋廠與一座6吋廠

2013年03月南科取得中國蘇州和艦科技8晶圓廠(持有和艦86.88%股權)

新竹6座8吋廠廠與1座6吋廠

廠房介紹

Wavetek (WTK)
製程: 3.5um - 0.45um
規劃產能:
50,000 wafers/month
生產晶圓:
6"
廠址: Hsin-Chu, Taiwan

Fab 8C
製程:0.35um - 0.11um
規劃產能:
29,000 wafers/month
生產晶圓:
8"
廠址: Hsin-Chu, Taiwan

Fab 8E
製程: 0.5um - 0.18um
規劃產能:
35,000 wafers/month
生產晶圓:
8"
廠址:Hsin-Chu, Taiwan

HeJian 和艦
製程: 0.5 - 0.13um
規劃產能:
50,000 wafers/month
生產晶圓:
8"
廠址:Suzhou, China

Fab 12i (12-inch Fab)
製程: 0.13um - 40nm
規劃產能:
45,000 wafers/month
生產晶圓:
12"
廠址: Singapore

聯華電子新加坡分公司(以下簡稱UMC-SG)擁有完善的12吋晶圓製造技術,利用當今最新技術與材料,如嵌入式DRAM、銅連接等提供優質產品以滿足顧客需求,在國際IC市場競爭中取得領先地位。

USCXM 聯芯
製程: 40nm - 28nm
規劃產能:
50,000 wafers/month
生產晶圓:
12"
廠址: Xiamen, China

Fab 8A
製程: 0.5um - 0.25um
規劃產能:
70,000 wafers/month
生產晶圓:
8"
廠址: Hsin-Chu, Taiwan

Fab 8D
製程: 0.13um - 90nm
規劃產能:
32,000 wafers/month
生產晶圓:
8"
廠址: Hsin-Chu, Taiwan

Fab 8F
製程: 0.18 - 0.11um
規劃產能:
32,000 wafers/month
生產晶圓:
8"
廠址: Hsin-Chu, Taiwan

Fab 12A (12-inch Fab)
製程:0.18 - 14nm
規劃產能:
82,000 wafers/month
生產晶圓:
12"
廠址: Tainan, Taiwan

先進12吋晶圓廠。位於台南的Fab 12A於2002年進入量產,目前已運用先進14及28奈米製程為生產客戶產品。

Fab 8S
製程: 0.18 - 0.11um
規劃產能:
25,000 wafers/month
生產晶圓:
8"
廠址: Hsin-Chu, Taiwan

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