星星愛的傳說

漢磊科旗下三座晶圓廠都已通過車規認證，4吋廠量產600V～1200V的SiC蕭特基二極體（SBD）及SiC MOSFET，6吋廠提供SiC晶圓代工服務，並爭取1700V高壓SiC SBD發展及SiC溝槽式（trench）MOSFET代工。至於同集團嘉晶已量產600V～1200V的4吋及6吋SiC磊晶矽晶圓並已出貨給客戶。

嘉晶在去年的重要營運績效包括:一、化合物半導體Compound方面：GaN/Si磊晶成功開發新一代的功率應用產品的磊晶結構，GaN/SiC磊晶成功開發射頻(RF)的應用產品，6吋 SiC磊晶製程提升，品質水準媲美國際大廠。二、超級接面元件磊晶uper junction epi：SJ產能擴充到每月約6,000片，營收成長率較前一年度增加約一倍，增加3家以上的客戶合作，預期今年有較佳成長。三、高功率積體電路磊晶Power IC epi：因應客戶在5G基地台應用的PMIC產品需求增加，下半年已完成磊晶RP產線的產能擴充。預期此產品今年將持續大幅成長。四、矽光子Silicon Photonic：研究開發矽光子的磊晶，主要應用在5G基地台及資料處理中心等的光纖產品。

碳化矽（SiC）製程二極體（Discrete）或金氧半場效電晶體（MOSFET）開始被大量應用在電動車市場，由於具有提升續航力及縮短充電時間等多重優勢，預期2020年開始逐步取代矽基功率元件並進入成長爆發階段。碳化矽SiC功率元件於電動車應用極具潛力，除終端市場年增率高，SiC亦有助於系統小型化、減輕車身重量、提升續航力、縮短充電時間等多項好處，因此，於此應用將漸取代矽基功率元件。

(一) 公司簡介

1.沿革與背景

公司成立於中華民國七十四年三月十八日，為磊晶供應商及專業晶圓代工(Foundry)廠，具備互補金屬半導體、功率半導體及線性半導體元件多樣化製程技術。

公司於2014年3月12日宣布進行轉型及組織重整，通過新成立的漢磊投股本29.6億)，以股份轉換方式，將漢磊全部發行持股轉換為漢磊投控，換股比例為1比0.5股，漢磊成為漢磊投控持股100%子公司。轉換基準日為2014年10月1日，簡稱：漢磊，代碼：3707。

漢磊董事會於2014年12月15日通過將公司分為晶圓與磊晶兩大事業，分別為漢磊科技與漢磊半導體。

據Garter Dateguest統計，依2013年全球磊晶圓供應商產量合計，公司為日本以外亞洲地區最大供應商，世界排名第九位。晶圓代工方面，公司為國內Bipolar、Power MOSFET之最大晶圓代工廠。

2015年8月，旗下子公司漢磊半導體晶圓股份有限公司規劃與嘉晶合併，以利雙方資源整合，並擴大營運規模。雙方暫定換股比例為漢磊普通股1股換發嘉晶普通股1.867876股，合併後將以嘉晶為存續公司、漢磊半導體晶圓股份有限公司為消滅公司，合併基準日由2016年2月1日調整為2016年1月11日。

公司組織圖

圖片來源：公司法說會

2.營業項目與產品結構

公司主要從事兩項業務製造，磊晶及化合物半導體事業、元件及積體電路代工事業。

(1)    磊晶及化合物半導體事業: 矽磊晶片、埋藏層磊晶片、多層矽磊晶片、矽磊晶於藍寶石上(SOS)、GaN磊晶片、SiC磊晶片等。

(2)    元件及積體電路代工事業: 雙載子積體電路(Bipolar IC Service)、高功率場效電晶體(Power MOSFET)、混合型積體電路(邏輯元件)、高壓CMOS、高壓BCD、GaN及SiC分離式元件等。

2018年公司營收比重：矽磊晶佔66%、元件及積體電路代工佔34%。

(二) 產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

磊晶片的製造是在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層。公司利用SiC為化合物取代原來基板，可承受高壓800­ ~ 2000V，也可在高溫環境下運作。
在分離功率元件方面，公司已拓展到製作IGBT、FRED元件；功率IC方面擴展到高功率和高壓CMOS製程，結合Bipolar、CMOS與DMOS元件在高壓、高電流下的優點，推出適合功率IC的BCD製程。

2.重要原物料及相關供應廠商

公司主要原料為磊晶圓，主要供應商為德國、大陸、馬來西亞、台灣廠商。

3.產能狀況與生產能力

公司在磊晶方面有兩座廠房，一廠的晶圓尺寸為4 ~ 8吋(產能為三百萬平方吋/月)。二廠的晶圓尺寸為4 ~ 8吋(產能為一百五十萬平方吋/月) 。漢磊為除日本以外亞洲地區最大的磊晶製造廠，受到產業淡旺季影響產能利用率較為明顯。

晶圓代工方面有三個廠，一廠為5吋晶圓廠(產能為1.4萬片/月)，主要生產類比及功率IC。二廠為6吋晶圓廠(產能為1.5萬片/月)，主要生產類比及功率IC。三廠為6吋晶圓廠(產能3.5萬片/月)，主要生產高功率IC及高壓MOSFET。6吋晶圓廠因中國競爭廠商多，低階產品的客戶選擇性較多，故產能利用率過去大部分都低於50%。

(三)市場需求與銷售競爭  

1.產業結構與供需

晶圓代工上游主要原料為矽晶圓，是以高純度的多晶矽為材料，拉晶過後再經切割、研磨、浸蝕、拋光等加工製程，即可形成拋光矽晶片。

晶圓代工的產製過程是在矽晶圓上將矽晶相疊，以特殊處理過的拋光晶圓為底材，利用化學氣相沈積反應(CVD)或分子光束法(MBE)成長一層純度及平坦度相當高的矽單晶薄膜。中游廠商再以氧化、擴散、CVD、蝕刻、離子植入等方法，將電路及電路上的元件，在晶圓上製作出來。下游則是晶圓的封裝與測試。

磊晶製程技術可廣泛應用於功率電晶體、小信號電晶體、高速回復二極體、複合雙載子互補金屬氧化物半導體（BiCMOS）、蕭特基二極體（Schottky diode）、微機電（MEMS）及大型積體電路等，下游應用範圍涵蓋PC、通訊、汽車工業、電機工業及電源管理等領域。

專業晶圓代工產業結構:

磊晶產業結構:

2.銷售狀況

2018年銷售區域比重為台灣佔47%、亞洲佔39%、美洲佔13%。

客戶包括力士、大中、立錡、強茂，盛群等。

3.國內外競爭廠商

國內磊晶主要廠商為中德、漢磊、嘉晶等，中德主要生產8~12寸拋光矽晶圓，而漢磊與嘉晶生產6~8寸埋藏層磊晶代工服務，以及8寸以下分離式元件用的磊晶矽晶圓；國際競爭廠商則包括日本ShinEtsu、SUMCO、Siltronic AG及美國的MEMC等。

晶圓代工方面，國內主要競爭對手有台積電、聯電、旺宏、茂矽等。國外則有三星、INTEL等大廠。

(四)財務相關

1.公司分割

公司於2014年10月1日完成百分之百股權轉換新設成立漢磊投控，漢磊投控將100%持有漢磊科技（股本13億元）以及漢磊晶（股本8.005億元）等子公司。

2015年8月，旗下子公司漢磊半導體晶圓股份有限公司規劃與嘉晶合併，以利雙方資源整合，並擴大營運規模。雙方暫定換股比例為漢磊普通股1股換發嘉晶普通股1.867876股，合併後將以嘉晶股本27.44億為存續公司、漢磊半導體晶圓股份有限公司為消滅公司，合併基準日由2016年2月1日調整為2016年1月11日。