半導體原料共經歷了三個發展階段：第一階段是以矽 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導體原料；第二階段是以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等化合物為代表；第三階段是以氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC)、硒化鋅 (ZnSe) 等寬頻半導體原料為主。
明日之星 - GaN (IET-KY(英特磊)目前已進行組裝量產MBE氮化鎵(GaN)磊晶機台，準備進入GaN磊晶片市場)
手機中基石 - GaAs
2019/11/07 16:42 時報資訊
【時報記者張漢綺台北報導】IET-KY(英特磊) (4971) 前3季財報出爐，每股盈餘為1.5元，超越去年全年水準，由於中美貿易戰影響已漸減緩，預估第4季營收、獲利都可望優於第3季。
IET-KY第3季合併營收為1.83億元，營業毛利為6395萬元，單季合併毛利率為34.8%，年增4.5個百分點，稅後盈餘為2125萬元，單季每股盈餘為0.58元；累計前3季合併營收為5.33億元，營業毛利為1.84億元，合併毛利率為34.56%，稅後盈餘為5446萬元，每股盈餘為1.5元。
就產品別來看，砷化鎵佔第3季營收比重約49.3%，磷化銦約佔36.8%，銻化鎵及其他約佔13.9%。
IET-KY自結10月合併營收為6732萬5000元，較9月增加16%，累計前10月合併營收為6.01億元，年成長8.9%，由於中美貿易戰影響已漸減緩，預估第4季營收、獲利都可望優於第3季。
在砷化鎵部分，IET-KY以汽車防撞雷達及高頻應用的pHEMT晶片仍佔營收主力，同時取得大廠新的RF高頻pHEMT量產訂單，並爭取於本季開始穩定出貨，貢獻營收；
(pHEMT : 是用GaAs（砷化鉀）生產的微波元件結構的一種。pHEMT與HBT同樣可使用在高線度，高功效的無線電射頻裝置，但pHEMT的RF若要達到與HBT相同的功效則需較大尺寸的晶片，雖然pHEMT要有相對的高單體成本，但pHEMT在操作電壓效率上比HBT有優勢，因為HBT需要極高的開機電壓，所以無法在低於2.5V的狀態下繼續操作或維持高效能，此外，pHEMT元件在1.5V狀態下能有高效能的表現，對講究待機時間長的行動產品而言，pHEMT較具優勢。另外，pHEMT亦具有低雜訊的特點，因此在20GHz以上的高頻微波通訊上，pHEMT有一定的市場地位。)
此外，高速VCSEL磊晶片量產訂單亦穩定出貨，並持續與客戶共同開發其他波長及用途VCSEL。
在磷化銦部分，5G相關HBT，PIN磊晶片定期量產訂單已到位，公司將於新廠擴增生產機台認證，以靈活調度產能，另將與客戶進一步開發磷化銦及相關銻化鎵生物感測雷射晶片，可望帶來不錯的營運動能。
在銻化鎵部分，今年銻化鎵紅外磊晶片國外訂單穩定增加，整體營收已超越去年，預計明年應可取得國防量產訂單。因應需求成長，英特磊也將調整現有生產機台，用大MBE機台替換較小機台，並視未來訂單需求決定再進一步增加第三台大型MBE機台。
在氮化鎵部分，硬體構件部分，則是已與國外GaN專業公司合作，開發量產技術，目前已進行組裝量產MBE氮化鎵(GaN)磊晶機台，準備進入GaN磊晶片市場。
至於明年的成長動能，英特磊表示，公司主要成長動能將來自5G相關之高頻高速及通訊相關晶片，高速VCSEL磊晶片，以及銻化鎵紅外磊晶片。
每年200萬美元入袋！F-IET與美國防部續約 精實新聞 2014-02-24 16:16:21 記者 羅毓嘉 報導
III-V族化合物磊晶廠F-IET(英特磊, 4971)宣佈，與美國國防部簽署的長期供貨合約已完成續約，將在未來兩年內持續供應銻化鎵磊晶片給美國防部，做為強化與發展軍用設備之用。F-IET指出，獲得續約意味著F-IET的產品持續獲得美國國防部認可，品質獲得肯定，該筆合約每年將貢獻F-IET約200萬美元(約合新台幣6000萬元)營收。
F-IET採用MBE(分子束磊晶)技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，除砷化鎵應用於一般消費性電子產品之外，銻化鎵、磷化銦等磊晶產品，多數是應用在車用、衛星通訊、醫學用途、掃描偵測等利基型應用領域，其中尤以與美國國防部、NASA的合作案最獲矚目。
F-IET宣告，今年公司已經與美國國防部續簽每年約200萬美金的重要合約，未來兩年F-IET將繼續供應美國國防部銻化鎵紅外線磊晶片，做為強化及發展國防設備之用，投入包括夜視鏡、衛星通訊、國土監控、及太空軍事等相關項目的開發。
F-IET說明，相較於原先用在紅外線設備上的II-VI族化合物，銻化鎵所屬的III-V族化合物半導體可將陣列型(Focal Plane Array)紅外線偵測器做得更大，如此一來，便可大幅提升紅外線設備的影像解析度，近年來相關材料已經被廣泛運用在高端紅外線設備中。
事實上，目前F-IET成功開發出的全球首片6吋銻化鎵晶片，已超越原先美國國防部所要求的5吋規格研發目標，雙方延續合作供應關係，不僅意味著F-IET的產品品質獲得肯定，也代表F-IET持續投入研發能量已開花結果。
F-IET不僅與美國國防部延續關係，由美國太空總署(NASA)支持的小型企業創新研發(SBIR)二期計畫，也獲得認同，已獲得追加撥款、計畫服務時間也有所延長。
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