公司簡介
誠信為本 海納百川
豐富的MBE磊晶成長經驗，結合專利的智慧型即時監控系統，使IntelliEPI獲得客戶的肯定，以參與尖端技術研發，提升技術，領先群倫。
英特磊科技由高永中博士率領曾服務於德州儀器公司(TI)，美國太空總署(NASA)，及貝爾實驗室等科技菁英，以Intelligent Epitaxy Technology Inc. 為名，於1999成立於美國達拉斯。以多年累積的分子束磊晶(MBE)成長經驗技術，從事化合物半導體磊晶片製造之代工服務。
目前公司主要產品為砷化鎵(GaAs)微電子磊晶片，磷化銦(InP)微電子磊晶片，銻化鎵紅外線材料及磊晶片(GaSb)，光電元件磊晶片（VCSEL， PIN， APD， laser） 廣泛應用於無線通訊，衛星通訊，光纖通訊，夜視鏡，保全監控，太空，軍事，生物醫學，資料傳輸，雲端試算，資料儲存等應用。其中多項產品均與世界頂尖公司從事尖端技術開發，公司營收也逐年穩定成長。
公司於 2011改組成立IntelliEPI Inc.(Cayman)為控股公司，Intelligent Epitaxy Technology Inc.則為美國子公司，另外同時成立美國、中國、日本孫公司，以強化客戶服務，降低材料採購成本，朝向全球化、全方位發展，以尖端科技材料製造服務領導者爲業界做出貢獻。
公司沿革
日期 集團及公司沿革之重要記事
1999年 1月 IET-US開始營業, 主要營業項目為高附加值假型高電子遷移電晶體(pHEMT), 異質接面雙極電晶體(HBT), 以及用於光纖通訊之磊晶片
2000年 8月 Vitesse Semi公司使用IET-US成長之4吋磷化銦磊晶片, 成功生產出第一顆商用積體電路 ),
2001年 6月 IET-US建置新廠房於Richardson, Texas, USA
2002年 2月 IET-US榮獲2001/2002年間世界最大的III-V半導體公司, Vitesse Semi公司, 頒發2001年度最佳供應商獎(其後於2002, 2003, 2004年亦獲此殊榮)
2003年 9月 IET-US建置世界最大之多晶圓量產型分子束磊晶機台(MBE, 7片x6吋晶圓),達到月產能10,000片4吋磊晶片
2004年 7月 IET-US成功通過M/A-COM公司假型高電子遷移電晶體(pHEMT)產品認證,成為合格供應商
2006年 5月 IET-US成功通過A公司假型高電子遷移電晶體(pHEMT)產品認證,成為唯一的合格供應商
2007年 2月 IET-US獲得ISO 9001- 2000品質管理系統認證
2009年 1月 IET-US榮獲美國政府計劃以分子束磊晶(MBE)技術開發III-V半導體紅外線偵測磊晶結構
2009年 4月 IET-China成功做出銻化鎵/銻化銦磊晶等級基板提供母公司以MBE成長紅外線磊晶片
2009年12月 IET-US成功以分子束磊晶(MBE)技術成長III-V半導體紅外線偵測磊晶結構
2010年10月 成立IET-Japan以服務主要客戶
2010年10月 IET-US榮獲美國政府計劃以開發尖端銻化鎵紅外線偵測磊晶結構於大尺寸基板
2011年 1月 IET-US榮獲2010年世界最大的III-V半導體整合設計製造公司A公司，頒發2010年度最佳供應商獎(假型高電子遷移電晶體(pHEMT)準時供應，零缺點，優良客戶支援服務)
2011年 3月 IET-US MBE成長高速面射型雷射(VCSEL)通過14GHz可靠度測試
2011年 4月 成立本公司作為集團之控股公司
2011年 7月 IET-US承租在Allen, Texasㄧ個大面積無塵室做為二廠之用，並成功成長出第一支4吋銻化鎵晶棒
2011年 9月 IET-China也成功成長出第一支4吋銻化鎵晶棒
2012年 5月 與H公司簽訂長期供貨合約
2012年 6月 MBE成長高速面射型雷射(VCSEL)通過28GHz可靠度測試
2013年 7月 本公司於台灣第一上櫃
2013年 8月 成功自行開發銻化鎵基板拉晶、研磨、拋光技術
2013年12月 與法商Soitec簽署合作協議，包含技術授權及生產機台的轉讓
2014年 2月 IET-US承租在Richardson, Texas三廠作為新基板材料開發之用
2014年 7月 發行總額新台幣3億元國內第一次無擔保公司債
2014年 9月 IET-US簽署並完成與法國SOITEC公司砷化鎵MBE部門有關砷化鎵MBE事業及機台移轉合約
2014年 9月 IET-US購買位於美國德州Allen市用於增建廠房土地
2014年11月 IET-US簽署並完成與A公司砷化鎵MBE部門有關砷化鎵MBE事業及機台移轉合約
2015年 1月 IET-China成功成長出第一支4吋銻化銦晶棒
2015年 3月 IET-US於Arapho, Richardson三廠建廠完成。MBE-11開始生產磷化銦磊晶片
2015年 4月 IET-US榮獲多項美國政府計畫開發多片大尺寸銻化鎵紅外線偵測器磊晶技術
2015年 5月 IET-China 廠成功長出第一支5吋銻化銦晶棒
2015年 8月 IET-US與H公司成功開發出先進InP HBT技術並進行量產交貨
2015年12月 IET-China工廠開發出低摻雜濃度(<1E15 cm-3)的5吋InSb晶棒
2016年 2月 發行總額新台幣3億元國內第一次無擔保公司債全數轉換
2016年 3月 A公司第一次完成6吋InP HBT完整製程，使用的是IET-US 提供的磊晶片