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(一)公司簡介

 

1.沿革與背景

 

英特磊(IET)於2011年4月26日設立於開曼群島,公司營運主體設立於美國德州,採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產,具有基板到磊晶的垂直整合技術能力,提供無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商用,以及太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品應用。

 

公司為全球磷化銦、銻化鎵磊晶片代工領導廠商。

 

2014年9月29日,公司宣布以600萬美元取得法國Soitec旗下的砷化鎵事業部,包含5台NBE機台及相關備品、耗材、量測設備等。

 

2.營業項目與產品結構

 

主要產品:GaAs pHEMTs(砷化鎵假型高電子遷移電晶體)、InP HBTs(磷化銦異質接面雙極電晶體)及銻化鎵(GaSb)紅外偵測器磊晶晶片。 

 

2019年Q3公司產品比重:砷化鎵磊晶片佔49%、磷化銦磊晶片佔37%、銻化鎵佔14%。

 

2019年Q3公司產品應用比重:射頻(物聯網、航太、無線通訊)佔8%、汽車防撞及車用佔26%、光纖網路佔39%、高速傳輸元件佔14%、紅外線偵測佔12%、硬體構件佔1%

 

公司近年光通訊訂單增加,主要成長動能來自於磷化銦,公司近年光通訊訂單增加,主要成長動能來自於磷化銦。砷化鎵主要產品pHEMT銷售集中在非行動裝置與汽車防撞雷達應用,磷化銦銷售成長的力道來自雲端科技與高速光纖網路傳輸。

 

產品圖來源公司法說,公司網址 http://www.intelliepi.com/tw/index.htm

 

(二)產品與競爭條件

 

1.產品與技術簡介

 

三五族化合物半導體

 

分類 細項 應用
二元化合物半導體 砷化鎵、磷化銦 高速通訊元件、光電元件
三元化合物半導體 砷化鋁鎵、磷化銦鎵、磷砷化鎵 紅外線偵測器、太陽能電池材料
四元化合物半導體 磷砷化銦鎵 光纖通訊上光源及偵測器、發光二極體

 

砷化鎵之電子遷移速率高,在1GHz以上高頻使用時雜訊低,元件尺寸小,因此適於通訊使用,且砷化鎵具抗輻射性,特適於衛星通訊。砷化鎵的操作溫度可達200℃,不易因高頻過熱而影響性能,穩定性佳。砷化鎵磊晶片可應用於手機所需之射頻開關(RF Switch)、高頻量測及光通訊元件、紅外線光電探測、熱感應及國防科技等領域。

 

砷化鎵依電晶體製程架構細分:異質介面雙極電晶體(HBT)、擬態高速移動電子電晶體(pHEMT)及金屬-半導體場效電晶體(MESFET)等,另有整合HBT與pHEMT製程為雙極場效電晶體(BiFET)技術。HBT多應用於功率放大器,pHEMT多應用於射頻開關。

 

磷化銦電特性比矽或砷化鎵優越,而磷化銦HBT比砷化鎵HBT具有更高的操作頻率及更高頻頻寬,主要應用於光纖通訊、光纖網路光源、光接收器等。

 

2.重要原物料及相關供應商

 

砷化鎵基板 Hitachi(Marubeni)、Sumitomo、Freiberger Compound Materials、American Xtal Technology等。

 

磷化銦基板 JX Nippon Mining & Metals USA Inc.、American Xtal Technology、Sumitomo等。

 

III-V 族元素材料:UMC, 5N Plus (MCP), Indium Corp.。

 

3.產能狀況與生產能力

 

公司生產基地位於美國德州,2012年產能狀況:砷化鎵達8200萬片/年、磷化銦720萬片/年、其他(含銻化鎵)240萬片/年。

 

截至2014年底,公司原有產能為MBE 8台,於併購Soitec後取得5台,以及購得Skyworks 5台,總計有18台,2015年Q2起陸續投入生產,2015年總產能將成長近4成。

 

2015年,公司已在美國德州取得土地籌建新廠,預計2016年8月完工。

 

4.新產品規劃

 

砷化鎵磊晶片:持續研發高端高速產品,包括汽車防撞雷達、大於40G的高速光纖、通訊、衛星通訊晶片等產品。

 

磷化銦磊晶片:拓展光電晶片,應用於資料中心、雲端運算市場。

 

銻化鎵磊晶片:為擴大紅外產品領域,開發、生產其他三五族及二四族化合物半導體基板原料。

 

(三)市場需求與銷售競爭

 

1.產業結構與供需

 

化合物半導體磊晶長晶方式有化學氣相沉積法(MOCVD)與分子束磊晶法(MBE),其中MBE 技術發展較早,在磊晶的過程中厚度的控制較為精確,但缺點是均勻度較難掌握;而MOCVD技術則有利於大量生產,但在控制厚度上卻較為不易。

 

MOCVD 適合生產HBT元件,而MBE 技術則大多生產pHEMT元件;MOCVD 生產磊晶的地區主要集中在日本,而 MBE生產方式主要地區則以北美為主。

 

2.銷售狀況

 

2018年Q1銷售區域比重:北美洲佔58%、亞洲佔17%、歐洲佔25%。

 

公司佔商用MBE磊晶片市佔統計量20%比重;而InP HBT磊晶片市場,公司與競爭對手IQE 幾乎全包所有商用訂單。

 

客戶涵蓋美商安捷倫(Agilent)、Qorvo、射頻元件廠Skyworks、TriQuint,以及代工廠穩懋、宏捷科、韓廠Samsung、日本光電元件廠住友(Sumitomo)與三菱(Mistubishi)等,同時也與美國太空總署NASA合作,供應太空應用等級的銻化鎵磊晶,磷化銦磊晶客戶為Keysight Technologies,終端應用為高頻量測儀器,公司與Keysight於2012年起簽訂5年的獨家供貨合約。

 

2014年2月,與美國國防部簽署合約,供應銻化鎵紅外線(Infrared或IR)磊晶片,用於強化國防設備。

 

受惠與法國Soitec合併案成功,公司獲得汽車防撞晶片大廠的UMS訂單,汽車相關應用佔比提升至約20%,UMS為BMW、Audi、賓士等歐系高級車廠供應商,並為與Tesla計畫合作自駕車系統Mobileye主要客戶。

 

近年砷化鎵產品主要客戶訂單由手機應用轉變為非手機應用,並收購Skyworks非手機應用砷化鎵製造機台,Skyworks砷化鎵非手機應用,將交由公司代工。2014年砷化鎵磊晶片總銷售比重由 2013 年的 35.1%提高到 46.7%。

 

2015年公司獲得全球Skyworks、安捷倫等大廠指定為獨家MBE砷化鎵磊晶片供應商。磷化銦磊晶產品並獲得Agilent 5G量測訂單。

 

銷售獲利水準方面,磷化銦、銻化鎵的毛利率在50%、70%不等,而砷化鎵磊晶片用在手機上的產品毛利率為15~20%,若是用在防撞雷達上則有50%。

 

2015年公司布局CTZ基板新品,因獲得政府合約,順利打入紅外線高端市場。

 

公司是市場上少數的MBE製程磊晶片供應商,在轉型後,目前產品已無應用在手機領域。2015年公司主要成長動能來自Skywork的分子束磊晶代工,以及UMS的汽車防撞雷達產品。

 

磷化銦(InP)產品近年著重於光電產品之應用,如光偵測器(PIN 及APD),其中PIN應用已於2015年Q3開始出貨,APD產品規劃2016年Q3可量產出貨。

 

3.國內外競爭廠商

 

國內外III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產業者包括:Kopin、IQE、Soitec、Hitachi Cable、全新光電、台灣高平磊晶、巨鎵科技、翔合等。

 

MBE技術而言,全球僅存兩家專業MBE 磊晶代工廠︰ IQE 及英特磊。

 

四、財務相關

 

1.轉投資

 

2013年12月,與法國磊晶廠Soitec簽訂合作協議,內容包括Soitec對F-IET的技術授權,成為Soitec主要客戶的第2供應商,擴展市佔率。

 

3.募資 

 

2014年5月8日,宣布將募資3億元可轉債,用於擴產美國生產中心高毛利產

 

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