(一)公司簡介
1.沿革與背景
英特磊(IET)於2011年4月26日設立於開曼群島，公司營運主體設立於美國德州，採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，具有基板到磊晶的垂直整合技術能力，提供無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商用，以及太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品應用。
公司為全球磷化銦、銻化鎵磊晶片代工領導廠商。
2014年9月29日，公司宣布以600萬美元取得法國Soitec旗下的砷化鎵事業部，包含5台NBE機台及相關備品、耗材、量測設備等。
2.營業項目與產品結構
主要產品：GaAs pHEMTs（砷化鎵假型高電子遷移電晶體）、InP HBTs（磷化銦異質接面雙極電晶體）及銻化鎵(GaSb)紅外偵測器磊晶晶片。
2019年Q3公司產品比重：砷化鎵磊晶片佔49%、磷化銦磊晶片佔37%、銻化鎵佔14%。
2019年Q3公司產品應用比重：射頻(物聯網、航太、無線通訊)佔8%、汽車防撞及車用佔26%、光纖網路佔39%、高速傳輸元件佔14%、紅外線偵測佔12%、硬體構件佔1%
公司近年光通訊訂單增加，主要成長動能來自於磷化銦，公司近年光通訊訂單增加，主要成長動能來自於磷化銦。砷化鎵主要產品pHEMT銷售集中在非行動裝置與汽車防撞雷達應用，磷化銦銷售成長的力道來自雲端科技與高速光纖網路傳輸。
產品圖來源公司法說，公司網址 http://www.intelliepi.com/tw/index.htm
(二)產品與競爭條件
1.產品與技術簡介
三五族化合物半導體
| 分類 | 細項 | 應用 |
| 二元化合物半導體 | 砷化鎵、磷化銦 | 高速通訊元件、光電元件 |
| 三元化合物半導體 | 砷化鋁鎵、磷化銦鎵、磷砷化鎵 | 紅外線偵測器、太陽能電池材料 |
| 四元化合物半導體 | 磷砷化銦鎵 | 光纖通訊上光源及偵測器、發光二極體 |
砷化鎵之電子遷移速率高，在1GHz以上高頻使用時雜訊低，元件尺寸小，因此適於通訊使用，且砷化鎵具抗輻射性，特適於衛星通訊。砷化鎵的操作溫度可達200℃，不易因高頻過熱而影響性能，穩定性佳。砷化鎵磊晶片可應用於手機所需之射頻開關（RF Switch）、高頻量測及光通訊元件、紅外線光電探測、熱感應及國防科技等領域。
砷化鎵依電晶體製程架構細分：異質介面雙極電晶體(HBT)、擬態高速移動電子電晶體(pHEMT)及金屬-半導體場效電晶體(MESFET)等，另有整合HBT與pHEMT製程為雙極場效電晶體(BiFET)技術。HBT多應用於功率放大器，pHEMT多應用於射頻開關。
磷化銦電特性比矽或砷化鎵優越，而磷化銦HBT比砷化鎵HBT具有更高的操作頻率及更高頻頻寬，主要應用於光纖通訊、光纖網路光源、光接收器等。
2.重要原物料及相關供應商
砷化鎵基板 Hitachi(Marubeni)、Sumitomo、Freiberger Compound Materials、American Xtal Technology等。
磷化銦基板 JX Nippon Mining & Metals USA Inc.、American Xtal Technology、Sumitomo等。
III-V 族元素材料：UMC, 5N Plus (MCP), Indium Corp.。
3.產能狀況與生產能力
公司生產基地位於美國德州，2012年產能狀況：砷化鎵達8200萬片/年、磷化銦720萬片/年、其他(含銻化鎵)240萬片/年。
截至2014年底，公司原有產能為MBE 8台，於併購Soitec後取得5台，以及購得Skyworks 5台，總計有18台，2015年Q2起陸續投入生產，2015年總產能將成長近4成。
2015年，公司已在美國德州取得土地籌建新廠，預計2016年8月完工。
4.新產品規劃