星星愛的傳說

(一)公司簡介

英特磊(IET)於2011年4月26日設立於開曼群島，公司營運主體設立於美國德州，採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，具有基板到磊晶的垂直整合技術能力，提供無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商用，以及太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品應用。

公司為全球磷化銦、銻化鎵磊晶片代工領導廠商。

2014年9月29日，公司宣布以600萬美元取得法國Soitec旗下的砷化鎵事業部，包含5台NBE機台及相關備品、耗材、量測設備等。

2.營業項目與產品結構

解釋名詞 : 砷化鎵微波元件

砷化鎵微波元件主要有三種，分別為HBT( 異質接面雙極電晶體)、PHEMT(假晶高速電子移動電晶體)、及MESFET(金屬半導體場效電晶體)。其中，

HBT算是GaAs 領域中較新的技術，因物理特性具備高線性度、良好寬頻響應、高崩潰電壓、高增益、高效率、較低寄生效應、無需負偏壓設計、低相位雜訊等優點，致使其功能顯現具有功率放大倍率佳、待機耗電流較低、體積小等特色，HBT 已逐漸成為手機及無線區域網路(WLAN)用PA 之主流技術；

PHEMT 則因具有超高頻及低雜訊特性，因為InGaAs 的加入，其性能比MESFET 或AlGaAs/GaAs HEMT還優異。特別適用於RF Switch 的應用使得它在電腦與電腦間的無線區域網路(Wireless Local Area Network ，WLAN) 、用以固網長途無線傳輸的無線本地迴路(Wireless Local Loop，WLL) ，乃至於光纖通訊、衛星通訊、點對點微波通訊、衛星直播、有線電視、數位電視應用、Automobile radar、汽車防撞系統等應用，都有相當大的成長空間。早期手機的RF Switch採用Si 的diode 為主，但近年來由於3G 手機的品質要求提高，且晶片面積必需減小，因為PHEMT 正符合這方面的需求，因此PHEMT 正逐漸取代Si PIN diode 在手機RF Switch 的應用；

MESFET 因其結構簡單，是最早應用的砷化鎵電晶體，可以直接使用標準晶片製造，生產技術成熟、成本較低，而成為往年使用最廣泛者。

HBT、PHEMT 及MESFET 三者間最大的差異在於HBT為少數載子元件、以電流源控制、三極（基極（Base）、集極（Collector ）、射極（Emitter ））呈垂直排列結構、元件電流以垂直方式傳導、無須負偏壓設計及下游僅需採用微米製程，而PHEMT 與MESFET 則為多數載子結構、以電壓源控制、三極（閘極（Gate）、源極（Source）、汲極（Drain））呈水平結構、元件電流以水平方式傳導與下游須採次微米製程。

三五族化合物半導體

因具有超高頻及低雜訊特性，使其在高功率基地台，低雜訊放大器（LNA）及射頻開關（RF Switch）上佔有重要地位。pHEMT 因為砷化銦鎵（InGaAs）的加入，特別適用於RF Switch 的應用使得它未來在電腦與電腦間的無線區域網路（Wireless Local Area Network, WLAN），於光纖通訊、衛星通訊、點對點微波通訊、衛星直播、有線電視、數位電視應用、及汽車防撞系統（Automobileradar）等應用，都有相當大的成長空間。

磷化銦(InP) HBT

能提供更低功率消耗、更佳電氣特性，因而使手機待機電壓更低、功率放大倍率更佳。更甚而之，磷化銦HBT能解決網路頻寬瓶頸，使運算產出最大化，因而加速下個世代通訊與運算架構的誕生。磷化銦HBT可應用於網路、通訊、運算、儲存、測試與量測、軍事與太空產品，它能提供40 gigabits/s （40G） 及100 gigabits/s （100G）高速類比半導體解決方案於通訊市場，及高速記憶體介面解決方案於運算市場。

紅外線光偵檢器（Infrared （IR） sensors）

在軍事用途，如目標搜尋、鎖定上，在民生用途如保全監控及夜視上，均有非常重要之功能。幾乎所有的紅外線光偵檢器或聚焦面陣列（focal plane arrays, FPA）均使用半導體材料，如II-VI族的汞鎘碲（HgCdTe, MCT）） ，IIIV族的量子井紅外線光偵檢器（quantum well infrared photodetectors, QWIP） ，和銻化鎵第二型應變層超晶格紅外線偵檢器（GaSb type II strained layer superlattice, T2SLS） 透過商業上半導體代工生產T2SLS有潛力在性能上優於MCT且在價格上遠低於MCT。

高速高頻的面射型雷射（VCSEL），光接收器（PIN），雪崩式光接收器（APD）

及各種不同波長半導體雷射磊晶片，主要應用在光纖通訊與資料傳輸領域。目前常用的光接收檢光二極體有PIN 二極體與APD（崩潰光電）二極體兩種。於低頻應用上業界有用有機金屬化學氣相沉積法（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD）成長磊晶片，但在高頻應用上，磊晶層的厚度與摻雜濃度之精確度的高度要求下，分子束磊晶 （MBE）成長技術遂成為首選，以達到精準的厚度與摻雜濃度之控制。例如砷化鋁銦成長在磷化銦基板上的雪崩式光接收器（InAlAs/InP APD）磊晶片，要求P型摻雜控制在10e17 cm-3範圍，目前只有MBE技術能夠達到此水準。

公司近年光通訊訂單增加，主要成長動能來自於磷化銦，公司近年光通訊訂單增加，主要成長動能來自於磷化銦。砷化鎵主要產品pHEMT銷售集中在非行動裝置與汽車防撞雷達應用，磷化銦銷售成長的力道來自雲端科技與高速光纖網路傳輸。

公司沿革