2018/03/26 15:21 時報資訊/記者張漢綺/台北報導
受惠於5G及汽車科技發展，帶動第三代半導體材料碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展，根據TrendForce旗下拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約300萬美元，穩懋 (3105) 專攻GaN-on-SiC領域瞄準5G基地台的商機，環宇-KY (4991) 也提供SiC及GaN的代工業務。
5G將於2020年將邁入商轉，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，帶動第三代半導體材料碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展，拓墣產業研究院指出，相較目前主流的矽晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，不僅可使晶片面積可大幅減少，並能簡化周邊電路的設計，達到減少模組、系統周邊的零組件及冷卻系統的體積。
除了輕化車輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失，兩者對於電動車續航力的提升有相當的幫助。因此，SiC及GaN功率元件的技術與市場發展，與電動車的發展密不可分。
儘管GaN基板在面積大型化的過程中，成本居高不下，造成GaN基板的產值目前仍小於SiC基板，但GaN能在高頻操作的優勢，仍是各大科技廠矚目的焦點。除了高規格產品使用GaN-on-SiC的技術外，GaN-on-Si透過其成本優勢，成為目前GaN功率元件的市場主流，在車用、智慧手機所需的電源管理晶片及充電系統的應用最具成長性。
不過，SiC材料仍在驗證與導入階段，在現階段車用領域僅應用於賽車上，因此，全球現階段的車用功率元件，採用SiC的解決方案的面積不到千分之一。
再者，目前市場上的GaN功率元件則以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進行製造，其中GaN-on-SiC在散熱性能上最具優勢，相當適合應用在高溫、高頻的操作環境，因此以5G基地台的應用能見度最高，預期SiC基板未來五年在通過車廠驗證與2020年5G商轉的帶動下，將進入高速成長期。
拓墣產業研究院指出，觀察供應鏈的發展，由於5G及汽車科技正處於產業成長趨勢的重心，供應鏈已發展出晶圓代工模式，提供客戶SiC及GaN的代工業務服務，改變過去僅由Cree、Infineon、Qorvo等整合元件大廠供應的狀況。
在GaN的部分，有台積電 (2330) 及世界先進 (5347) 提供GaN-on-Si的代工業務，穩懋則專攻GaN-on-SiC領域瞄準5G基地台的商機，X-Fab、漢磊及環宇-KY也提供SiC及GaN的代工業務。隨著代工業務的帶動，第三代半導體材料的市場規模也將進一步擴大。
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