目前全世界只有二家擁有MBE(分子束磊晶)技術的磊晶廠,包括國內掛牌的英特磊IET-KY(4971)和英國IQE,未來在5G應用MBE的技術可望俱優勢。英特磊新廠將在8月完成,可容納16台MBE機台,完工後會先安裝六台,產能增加60%,到2018年中產能將可倍增。

由於5G網路採用磷化銦HBT做為手機功率放大器材料,目前有此技術只有英特磊和聯亞光電(3081),英特磊的磷化銦的比重在第1季已提高逾35%,今年會完成5G手機功率放大器(PA)磊晶結構建置。

英特磊6月營收0.88億,月增7.7%,年增23%,Q2營收2.37億,季增21.8%,連續4季成長。短線在半年線附近整理,待業績發酵激勵股價。聯亞業績在去年Q4見底,Q2營收季成長27.3%,外資及投信6月份開始回補,股價緩步回升站上400元。

主要產品:2016年產品比重為磷化銦磊晶片佔35%、砷化鎵磊晶片佔48%、銻化鎵佔10%。

砷化鎵磊晶片:持續研發高端高速產品,包括汽車防撞雷達、大於40G的高速光纖、通訊、衛星通訊晶片等產品。

磷化銦磊晶片:拓展光電晶片,應用於資料中心、雲端運算市場。


銻化鎵磊晶片:為擴大紅外產品領域,開發、生產其他三五族及二四族化合物半導體基板原料

公司生產基地位於美國德州,2012年產能狀況:砷化鎵達8200萬片/年、磷化銦720萬片/年、其他(含銻化鎵)240萬片/年。

截至2014年底,公司原有產能為MBE 8台,於併購Soitec後取得5台,以及購得Skyworks 5台,總計有18台,2015年Q2起陸續投入生產,2015年總產能將成長近4成。

2015年,公司已在美國德州取得土地籌建新廠,預計2016年8月完工。

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