聯電股本由2006年2月16日宣布減資由1,979億元大降到現在1172 億元,這其間又增加四座12吋晶圓廠以及和艦8吋晶圓廠。
聯電減資大買庫藏股 2006年2月16日
聯電昨(15)日傍晚宣布今起實施庫藏股,預計買回10億股,將用於註銷股本。由於聯電目前已持有庫藏股9.42億股,若加上這次的10億股全部用於註銷股本,聯電股本將由1,979億元大降一成至約1,780億元,與台積電的2,472億元相差近700億元。
聯電破天荒 現金減資3成 2007年1月24日
聯電(2303)昨董事會通過擬辦理現金減資573.93億元,普通股股東每股可退還約三元,減資後實收資本額約為133,9.18億餘元,減資比率約30%。
聯電註銷40萬張庫藏股 2019年6月19日
晶圓代工廠聯電 (2303-TW) 今 (19) 日公告,董事會決議註銷庫藏股,共將減資 40 億元,減資後股本將由約 1212 億元,降至約 1172 億元(由1,979億元大降到現在1172 億元)。
聯電未來若再辦理減資,須配合公司營運轉型(這也是聯電經營團隊目前努力的方向),才有利於發揮綜效,例如不再花大錢跟台積電競逐昂貴的先進製程,專注於深耕符合中長期趨勢的車用電子、物聯網等成熟製程相關應用。
「中長期要看 EPS 的改善。」王石說,聯電從明年下半年起,折舊的成本會開始下降,聯電手上的資金會更加充沛,王石和簡山傑上任後的改革,有機會讓聯電走出失落的 18 年,重啟成長。
聯電定位大翻轉 不追第一追獲利,過去18年,聯電都陷入爭奪全球第一的迷思裡。但現在,聯電不爭第一,要爭獲利,他們密謀,從成熟製程裡再挖出千億規模大成長!
工研院IEK研究經理彭茂榮認為,在智慧物聯網趨勢的帶動下,台灣半導體產業在以下領域較有發展機會:人工智慧、5G無線通訊、物聯網、工業4.0╱智慧機械、車聯網╱自駕車、擴增╱虛擬實境(AR╱VR)、高效能運算晶片(HPC)、軟體及網路服務。其中,智慧物聯(AIoT)應用多元,製程上不需使用到最尖端前瞻的技術,可能只要90奈米,甚至微奈米等級就可以拓展新應用,成本與門檻不若其他應用高,將刺激台灣小型IC設計公司崛起,以創新應用服務取勝,驅動產業多元化發展,創造新一波榮景。
聯電購併富士通三重 12 吋晶圓廠獲許可,將於 10/1 完成合併
晶圓代工廠聯華電子(2303)昨正式宣布,已獲主管機關批准,併購富士通半導體(FSL)所合資的12吋晶圓廠三重富士通半導體 (MIFS) 全部股權,預計今年10月1日完成併購,併購金額為544億日元,對聯電未來的年營收將可挹注逾1成,MIFS成為聯華電子完全獨資的子公司後,將更名為 United Semiconductor Japan Co.,Ltd(USJC)。
至於併購綜效,劉啟東預估,明年第3季後將能逐步顯現,而聯電的全球佈局中,日本的佔比將從現有的5%提高至10%以上。
10月1日,聯電取得MIFS公司的所有股權,這是一座位於日本的十二吋晶圓廠,為客戶提供90、65和40奈米製程的產品。這廠符合聯電專注於特殊技術的發展與長期成長的規畫,並已更名為United Semiconductor Japan Co.,Ltd.(USJC)。隨著USJC的加入,將提升聯電在晶圓專工市場的市占率,並且藉此擴大聯電廣泛的特殊及邏輯技術、創造業務的綜效。
聯電原來在大陸、台灣和新加坡擁有三座12英寸晶圓廠,12英寸月產能約15萬片,隨著USJC的加入,聯電12英寸月產能也將增加20%以上,逼近19萬片。
除了12吋廠外,加上聯電擁有的七座8吋廠與一座6吋廠
聯電的12吋晶圓廠
第一座位於台南的Fab 12A於2002年進入量產,目前已運用先進14及28奈米製程為生產客戶產品。研發製造複和廠區由三個獨立的晶圓廠,P1&2,P3&4,以及P5&6廠區組成,產能目前超過75,000片/月。
2010年12月南科12A廠第三期進入量產
2012年05月 南科12A廠第五第六期廠房動土典禮
第二座12吋廠Fab 12i為聯電特殊技術中心,提供客戶多樣化的應用產品所需IC,於12吋特殊製程的生產製造。廠址位於新加坡白沙晶圓科技園區,目前產能達50,000片/月的水準。
2000年12月於新加坡籌建全球最先進之12吋晶圓製造公司 (UMCi)
2003年1月聯電旗下新加坡12吋晶圓廠(UMCi)進行裝機
2004年3月聯電旗下新加坡12吋晶圓廠(UMCi)邁入量產階段
2004年12月正式收購旗下子公司UMCi,並改名為Fab 12i
第三座12吋晶圓廠位於中國廈門的聯芯,目前產能達50,000片/月,已於2016年11月開始量產。
2015年3月中國廈門聯芯集成電路製造廠房動土典禮
2016年11月中國廈門的12X廠-聯芯進入量產
第四座2019/10/01完成合併日本三重富士通,2019/10/01完成購併,目前產能達30,000片/月。
另2013年03月南科取得中國蘇州和艦科技吋晶圓廠
廠房介紹
Wavetek (WTK)
製程: 3.5um - 0.45um
規劃產能:50,000 wafers/month
生產晶圓: 6"
廠址: Hsin-Chu, Taiwan
Fab 8C
製程:0.35um - 0.11um
規劃產能:29,000 wafers/month
生產晶圓: 8"
廠址: Hsin-Chu, Taiwan
Fab 8E
製程: 0.5um - 0.18um
規劃產能:35,000 wafers/month
生產晶圓: 8"
廠址:Hsin-Chu, Taiwan
HeJian 和艦
製程: 0.5 - 0.13um
規劃產能:50,000 wafers/month
生產晶圓: 8"
廠址:Suzhou, China
Fab 12i (12-inch Fab)
製程: 0.13um - 40nm
規劃產能: 45,000 wafers/month
生產晶圓: 12"
廠址: Singapore
聯華電子新加坡分公司(以下簡稱UMC-SG)擁有完善的12吋晶圓製造技術,利用當今最新技術與材料,如嵌入式DRAM、銅連接等提供優質產品以滿足顧客需求,在國際IC市場競爭中取得領先地位。
USCXM 聯芯
製程: 40nm - 28nm
規劃產能: 50,000 wafers/month
生產晶圓: 12"
廠址: Xiamen, China
Fab 8A
製程: 0.5um - 0.25um
規劃產能:70,000 wafers/month
生產晶圓: 8"
廠址: Hsin-Chu, Taiwan
Fab 8D
製程: 0.13um - 90nm
規劃產能: 32,000 wafers/month
生產晶圓: 8"
廠址: Hsin-Chu, Taiwan
Fab 8F
製程: 0.18 - 0.11um
規劃產能: 32,000 wafers/month
生產晶圓: 8"
廠址: Hsin-Chu, Taiwan
Fab 12A (12-inch Fab)
製程:0.18 - 14nm
規劃產能: 82,000 wafers/month
生產晶圓: 12"
廠址: Tainan, Taiwan
先進12吋晶圓廠。位於台南的Fab 12A於2002年進入量產,目前已運用先進14及28奈米製程為生產客戶產品。
Fab 8S
製程: 0.18 - 0.11um
規劃產能: 25,000 wafers/month
生產晶圓: 8"
廠址: Hsin-Chu, Taiwan